Кристалл - антрацен
Cтраница 3
Имея в виду в дальнейшем кристаллы типа кристаллов антрацена или нафталина, для которых ( см. гл. [31]
Каллмен и Поуп [58] провели опыты с кристаллом антрацена, помещенного между двумя электролитными электродами. Оба электрода содержали по 1 моль йодистого натрия, а один из них был насыщен иодом. В темноте наблюдался сильный выпрямляющий эффект, причем ток проходил гораздо легче, когда часть, содержащая иод, была положительной. Эти исследователи пришли к выводу, что молекулы иода приводят к внедрению положительных дырок в антрацен. Было показано, что такой процесс энергетически вполне возможен. [32]
Как уже было отмечено, электроны в кристалле антрацена более чувствительны к разного рода нарушениям, чем дырки. Еще в работе [49] было установлено, что при фотовозбуждении в переносе носителей зарядов через образец участвует в 10 раз меньше электронов, чем дырок. В работе [70] высказано предположение, что молекулы кислорода, или его соединений, захваченные при росте кристалла, могут служить эффективными ловушками для электронов. В частности, такой примесью могут являться молекулы антрахинона. [33]
Обычно для сцинтилляционного счетчика ( 3-частиц достаточно брать кристаллы антрацена толщиной порядка 1 см. Кристаллы, как обычно, помещаются в металлический кожух с зеркальными или покрытыми окисью магния внутренними стенками. Между кристаллом и фотоумножителем располагается плексигласовый блок, приклеиваемый к колбе фотоумножителя специальным клеем ( см. § 60, стр. [35]
Поуп и Вестон [314] исследовали инжекцию дырок в кристалл антрацена при комнатной температуре и получили характерный пример ожидаемой зависимости полного избыточного заряда С ( - Д / 3 / 80) от напряжения для упомянутых трех режимов. В этих исследованиях источником инжекции дырок служил анод, содержащий 0 1 М Се4 в растворе 7 5 М H2SO4, а катод состоял из деионизованной воды. На J - / - характеристике признаки режима предельного заполнения ловушек не проявляются. Как видно из рис. 2.7.15, значение Aj3 / j30 - Q в области напряжений от 5 до 50 В линейно зависит от приложенного напряжения U, что характерно для режима ТОПЗ. [36]
 |
Блок-схема сканирующего прибора, описанного Рэвенхил-лом и Джеймсом. [37] |
Бензол испаряется, а на пластинке остается слой кристаллов антрацена. Эти измерительные каналы работают практически независимо. [38]
А - положительно заряженный носитель, высвобожденный внутри кристалла антрацена. [40]
Нортроп и Симпсон [153] исследовали миграцию экситона в кристаллах антрацена и пирена; в качестве растворенных в них веществ-примесей они использовали девять конденсированных циклических углеводородов. [41]
Зоннаи структура для избыточных электрона и дырки в кристалле антрацена. [42]
В случае применения тяжелых пиридиновых ( хинолиновых) оснований кристаллы антрацена мельче и больше загрязнены маточным раствором, что требует доотгонки оснований либо перекристаллизации антрацена из ксилола. [43]
Для типичных органических полупроводников, как, например, кристалл антрацена, Ле Блан [95] впервые вычислил структуру одноэлектронных зон для избыточных дырки и электрона в приближении сильной связи. [44]
Шулман, Этцел и Аллард [93] наблюдали уменьшение фотолюминесценции кристаллов антрацена и нафталина при облучении у-лучами и электронами при дозах от 3 - Ю5 до 2 - Ю8 фэр. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5