Cтраница 1
Кристалл интегральной микросхемы - часть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой ИМС, межэлементные соединения и контактные площадки. [1]
Кристалл интегральной микросхемы - часть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки. [2]
Кристалл интегральной микросхемы - пластинка, изготовленная из полупроводника ( обычно из монокрнсталлического кремния), в объеме и на поверхности которого сформированы элементы МС, межэлементные соединения и контактные площадки. [3]
Кристалл интегральной микросхемы - часть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой микросхемы, межэлементные соединения и контакт-ные площадки. [4]
Кристалл интегральной микросхемы - часть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки. [5]
После изготовления кристалла интегральной микросхемы нужно провести операции сборки и герметизации. Это означает, что кристалл необходимо поместить в корпус с выводами. Корпус должен быть достаточно прочным, герметичным, обеспечивать теплообмен с окружающей средой и защищать интегральную микросхему от воздействия света или другого внешнего излучения. [6]
Базовый кристалл микросхемы - кристалл интегральной микросхемы с определенным набором сформированных в нем не соединенных между собой двоичных логических элементов и ( или) узлов из них, используемый для создания интегральных микросхем путем изготовления избирательных межэлементных соединений. [7]
ЭНИАК, может быть реализована на одном кристалле интегральной микросхемы. [8]
Вывод бескорпусной интегральной микросхемы - проводник, соединенный с контактной площадкой кристалла интегральной микросхемы и предназначенный для электрического соединения и механического крепления бескорпусной интегральной микросхемы при ее соединении с внешними электрическими цепями. Гибкие выводы для механического крепления не применяются. [9]
Вывод бескорпусной интегральной микросхемы - проводник, соединенный с контактной площадкой кристалла интегральной микросхемы и предназначенный для электрического соединения и механического крепления бескорпусной интегральной микросхемы при ее соединении с внешними электрическими цепями. Гибкие выводы для механического крепления не применяются. [10]
Усложнение процессора делает более трудным или даже невыполнимым реализацию его на одном кристалле интегральной микросхемы, что благод. [11]
Повышение степени интеграции в микросхемах зависит от нескольких факторов: возможности уменьшения геометрических размеров элементов микросхем; типов активных элементов в микросхеме; возможности увеличения размеров кристалла интегральной микросхемы и других факторов, в том числе и схемотехнических. [12]
Наиболее перспективен метод пластина-кристалл, когда на си-талловой или кремниевой пластине, защищенной слоем окисла, изготовляют пленочные монтажные соединения, с помощью которых монтируются методом перевернутого кристалла или на балочных выводах кристаллы интегральных микросхем второй степени интеграции или БИС. [13]
Топология интегральной микросхемы1 как особый объект правовой охраны представляет собой зафиксированное на материальном носителе пространственно-геометрическое расположение совокупности элементов интегральной микросхемы и связей между ними. Материальным носителем топологии выступает кристалл интегральной микросхемы, т.е. часть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки. Поскольку разработка топологии требует значительных интеллектуальных усилий, больших затрат времени и использования дорогостоящего оборудования, результаты труда разработчиков нуждаются в признании и правовой охране. Это тем более необходимо, что практически любая топология может быть быстро и относительно дешево скопирована заинтересованными лицами. Как показал опыт развитых стран, наиболее действенной преградой для копирования кристаллов ИМС является создание специального правового института охраны топологий, не совпадающего ни с авторским, ни с патентным правом. [14]