Cтраница 1
Кристаллы фосфида галлия применяют в качестве электрооптических модуляторов. Наличие поперечного электрооптического эффекта позволяет увеличивать длину прохождения модулированного излучения без повышения приложенного напряжения. При использовании тонких кристаллов необходимы относительно небольшие напряжения, чтобы обеспечить требуемое сильное электрическое поле. Фосфид галлия не является ферроэлектриком и поэтому не нуждается в строгом контроле температуры. К тому же он обладает высокой механической прочностью и стоек против воздействия атмосферных условий и температуры. И, наконец, он прозрачен для большей части видимого спектра, благодаря чему область его применения шире, чем у GaAs, который успешно используется для электрооптической модуляции инфракрасного излучения. [1]
Кристаллы фосфида галлия обладают дырочной проводимостью, легирование серой переводит их в n - тип. Оптическая ширина запрещенной - зоны, найденная по основному краю полосы поглощения, 2 25 эв и с ростом температуры падает со скоростью 5 0 - Ю 4 - Та. Из-за большой ширины запрещенной зоны в GaP собственная проводимость не обнаруживается даже при 1000 К. [2]
Для сравнения экспериментальных результатов с теоретическими была подсчитана отражательная способность идеально мозаичного и идеально совершенного кристаллов фосфида галлия. [3]
Как видно из табл. 1, максимальная разница в интенсив-ностях рефлексов с нечетными hhh от полярных плоскостей ( 111) и ( 11Т) кристалла фосфида галлия будет наблюдаться для Мо / Са-излучения. [4]
При легировании полупроводника донорными и акцепторными примесями образуются области с электронной и дырочной проводимостью. Например, при введении в кристалл фосфида галлия примеси серы, замещающей фосфор, образуются донорные уровни, поскольку у серы на один валентный электрон больше, чем у фосфора. Когда вводится примесь цинка, замещающего галлий, то образуется акцепторный уровень, так как у цинка на один валентный электрон меньше, чем у галлия. Стремление носителей тока к равномерному распределению по кристаллу приводит к тому, что часть электронов переходит на ближайшие акцепторы; это обедняет электронами n - область и дырками р-область. Эти заряды создают поле, препятствующее дальнейшему движению электронов из и - в р-область. Собственно р - re - переход находится в том месте обедненного слоя, где уровень Ферми пересекает середину запрещенной зоны. [5]
На рис. 1 приведены фигуры травления для фосфида галлия. На рис. 3 приведены фигуры травления участков кристалла фосфида галлия с различной плотностью дислокаций. [6]
Данные по условиям получения нитевидных кристаллов ( НК), в том числе и фосфида галлия, и влиянию ряда факторов на морфологию роста [1-7] еще не дают представления о механизме роста. В настоящей работе рассмотрены некоторые физико-химические закономерности процесса роста стехнеметрических кристаллов фосфида галлия в закрытой йодидной системе. [7]
Фосфид галлия при 1000 С реагирует с парами иода с образованием летучего моноиодида галлия и паров фосфора, а при 750 - 800 С преимущественно протекает обратная реакция. Транспортируя смесь Gal и Р4 в более холодную часть ампулы ( диффузия, конвекция) и создавая оптимальное пересыщение, получают кристаллы фосфида галлия. [8]
Фосфид галлия выпускается по техническим условиям ( ЕТО. ТУ 48 - 4 - 301 - 74) в виде слитков диаметром от 15 до 45 мм с интерпалом г, В качестве легирующего элемента могут использоваться теллур, сера. На кристаллах фосфида галлия не должно быть трещин и раковин величиной 1 5 мм. [9]
Фосфид галлия выпускается по техническим условиям ( ЕТО. ТУ 48 - 4 - 301 - 74) в виде слитков диаметром от 15 до 45 мм с интерпалом г, В качестве легирующего элемента могут использоваться теллур, сера. На кристаллах фосфида галлия не должно быть трещин н раковин величиной 1 5 мм. [10]
При измерении отражательной способности полярных плоскостей ( 111) и ( 1И) учитывался тот факт, что плотность дислокаций вдоль слитка выращенного монокристалла, по крайней мере в пределах толщины пластинки, на которой производились измерения, не изменяется. На обеих сторонах пластинки для измерения выбирались участки, симметричные относительно оси кристалла. Измерения показали, что отражательная способность плоскостей ( 111) и ( 111) кристалла фосфида галлия для Си / Са-излучения для всех трех порядков отражения ( 111, 222 и 333) в пределах экспериментальной ошибки ( 2 - 3 %) одинаковая ( см. табл. 2), что согласуется с теоретическими подсчетами. [11]