Кристалл - цинк
Cтраница 1
Кристаллы цинка и кадмия характеризуются гексагональной структурой, ртути - ромбоэдрической. [1]
Кристаллы цинка и кадмия имеют гексагональную упаковку атомов. Но в отличие от плотнейшей гексагональной упаковки сферических атомов решетки цинка и кадмия вытянуты в одном направлении. Каждый атом окружен шестью другими атомами, лежащими в одной плоскости или слое. Расстояние между центрами соседних атомов в этом плоском слое а равно 0 26649 нм для цинка и 0 29788 нм для кадмия. [2]
Структура кристаллов цинка гексагональная, его плотность 7 14 г смг, температура плавления 419 6 С, а температура кипения 907 С. В природе цинк распространен в виде пяти изотопов. [3]
Благодаря трению кристаллов цинка о поверхность алюминия снимается окись алюминия, что обеспечивает надежность покрытия припоя по всей поверхности выводных концов. Затем излишки припоя снимают специальными щетками. [4]
Монохроматором при проведении этой работы служил кристалл цинка, а регистратором излучения - ионизационная камера с зеркальным гальванометром. [5]
 |
Схема установки для выращивания кристаллов из расплава методом последовательного охлаждения.| Схема установки для выращивания кристаллов рубина. [6] |
Этот способ часто применяется для выращивания кристаллов цинка, серебра, алюминия, меди и других металлов, а также хлористого натрия, бромистого калия, фтористого лития и других солей, используемых оптической промышленностью. [7]
На рис. 112 показана субструктура описываемого типа в кристалле цинка, выращенном из расплавленного металла. Такие кристаллы отличаются более высоким сопротивлением деформации, так как границы их субзерен относительно стойки в условиях пластической деформации. Мозаичная структура может быть связана с накоплением чужеродных атомов, трещин и других дефектов кристаллической решетки металла. Однако строение ее в первую очередь зависит от распределения дислокаций в кристалле, даже в том случае, когда мозаичная структура наблюдается в отожженном металле до пластического деформирования при нормальной температуре. [8]
 |
Обертывание цинковой полоски исследуемым пленочным. [9] |
На рис. 1, а показано такое прорастание сепаратора кристаллами цинка. [10]
Вычислить по теории Эйнштейна нулевую энергию, которой обладает один килограмм-атом кристалла цинка. Характеристическая температура ОЕ для цинка равна 230 К. [11]
Вычислить по теории Эйнштейна нулевую энергию, которой обладает один килоатом кристалла цинка. [12]
Вычислить по теории Эйнштейна нулевую энергию, которой обладает один килограмм-атом кристалла цинка. Характеристическая температура вн для цинка равна 230 К. [13]
Вычислить по теории Эйнштейна нулевую энергию, которой обладает один килограмм-атом кристалла цинка. Характеристическая температура ОЕ для цинка равна 230 К. [14]
 |
Опыты Шмида ( I926. Результаты для значений определяющих касательного напряжения и деформации сдвига в монокристаллах циика. [15] |
Страницы: 1 2 3 4