Кристалл - германий
Cтраница 2
 |
Физические свойства сурьмы и висмута. [16] |
Кристаллы германия применяют также для изготовления тсрмисторов ( измерителей температуры), в фотоэлементах с запирающим слоем и в термоэлементах. Германиевые полупроводниковые устройства с успехом заменяют электронные вакуумные лампы, отличаясь от них компактностью, надежностью в работе и долговечностью. [17]
Когда кристалл германия с некоторым количеством внедренной донорной примеси находится при комнатной температуре, то электроны проводимости поставляются как донорными узлами, так и путем рождения электронно-дырочных пар за счет тепловой энергии. Если температура не слишком низкая, то число отрицательных носителей, поставляемых атомами донорной примеси, примерно равно количеству имеющихся атомов примеси. При равновесии уравнение (12.4) еще обязано соблюдаться; произведение NnNp при данной температуре есть вполне определенное число. [18]
Такой кристалл германия с добавлением трехвалентной примеси называется германием типа р ( positive - положительный), поскольку он обладает избытком положительно заряженных носителей тока. Примесь называется акцепторной, так как ее атомы забирают электроны из атомов германия. Полупроводники, содержащие один из двух типов примесей, называются примесными полупроводниками. Заметим, что проводимость каждого из полупроводников типа р или п постоянна по всем направлениям, и, следовательно, такой полупроводник не обладает свойствами выпрямления. [19]
Структура кристалла германия, в котором один атом германия замещен атомом индия. [20]
У кристалла германия с примесью атомов элементов III группы проводимость преимущественно дырочная. [21]
 |
Зависимость температуры, соответствующей максимуму подвижности от концентрации ионов. [22] |
Для кристаллов германия и кремния р-типа этот метод неприменим из-за того, что сложность механизмов рассеяния носителей заряда в них не позволяет найти столь простую градуировочную кривую Т0 f ( Nt) как для германия и кремния - типа. [23]
 |
Формы поверхностей раздела кристалл-расплав. [24] |
Для кристаллов германия, например, значения г / Шах 0 40 н - - 4 - 0 255 см имеют место при радиусах от 0 2 до 3 0 еж. [25]
Поверхность кристалла германия контактируют с двумя проволочками из фосфористой бронзы, острия которых сближены до нескольких десятков микронов. К одной из этих проволок, которую называют эмиттером ( на рис. 432 проволока 3), подводят усиливаемое на пряжение и сообщают этой проволоке положительный потенциал в несколько вольт. Изменения тока, который проходит от эмиттера через кристалл к металлическому держателю М, вызывают ритмичные изменения сопротивления контакта кристалла со второй проволокой / С, которую называют коллектором. [27]
К предварительно полированному и протравленному кристаллу германия с проводимостью n - типа подводят и закрепляют в определенной точке заостренный бронзовый электрод, покрытый индием. Затем производят специальную электрообработку контакта металла с кристаллом, так называемую электроформовку. [28]
 |
Форма р-п перехода при вытягивании из расплава. [29] |
К предварительно полированному и протравленному кристаллу германия с проводимостью - типа подводят и закрепляют в определенной точке заостренный бронзовый электрод, покрытый индием. Затем произ во-дят специальную электрообработку контакта металла с кристаллом, так называемую электроформовку. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5