Кристалл - алмаз
Cтраница 4
В кристалле алмаза эти орбитали образуют прочные а-связи между всеми атомами углерода. [46]
В кристалле алмаза все связи эквивалентны и очень прочны. Атомы образуют непрерывный трехмерный каркас, образованный сочлененными тетраэдрами. Алмаз - самое твердое вещество, найденное в природе. Его кристаллы сильно преломляют свет, поэтому алмаз, погруженный в воду, на свету практически незаметен. При нагревании без доступа воздуха выше 1000 С алмаз переходит в графит. А при очень высоких давлениях ( выше 2 - Ю10 Па) и нагревании без доступа воздуха из графита может быть получен искусственный алмаз. Помимо алмаза и графита, синтезировали гексагональную разновидность алмаза - карбин. [47]
В кристаллах алмазов обычного типа небольшая ( порядка 1: 1000) часть атомов углерода замещена, по-видимому, на атомы азота. Из представителей более редкого типа особенно интересны светло-голубые алмазы, электропроводность которых несравненно выше, чем у прочих образцов. [48]
 |
Идеальные формы алмаза. [49] |
Если ориентировать кристаллы алмаза так, чтобы наиболь шая твердость их была направлена на забой скважины, тогда повышается их износостойкость и скорость бурения алмазным буровым инструментом. [50]
При изучении кристаллов алмаза, полученных из шихты, содержащей As, установлено, что влияние этой примеси на полупроводниковые свойства образцов устойчиво проявляется только при одновременном присутствии в шихте Ti и технологических добавок, обеспечивающих скорость роста кристаллов не более 1 7 - 10 - 3 м / с. Очевидно, такие условия, при которых формируются практически безазотные кристаллы ( см. гл. На образцах с большим сопротивлением определить тип проводимости известными способами ие удается. На температурных зависимостях сопротивления кристаллов n - типа проводимости имеются пологие участки, соответствующие энергии активации 0 008 - 0 03 эВ в низкотемпературной области и 0 25 - 0 58 эВ в высокотемпературной, что также можно объяснить наличием примесной зоны. [51]
Методы получения кристаллов алмаза с успехом применяются для получения других нитевидных кристаллов, а также метастабильных структур. Усы некоторых кристаллических веществ уже используются в композиционных материалах, состоящих из ориентированных усов и полимерной или металлической связки. [52]
При изучении кристаллов алмаза, полученных из шихты, содержащей As, установлено, что влияние этой примеси на полупроводниковые свойства образцов устойчиво проявляется только при одновременном присутствии в шихте Ti и технологических добавок, обеспечивающих скорость роста кристаллов не более 1 7 - 10 - 3 м / с. Очевидно, такие условия, при которых формируются практически безазотные кристаллы ( см. гл. Образованию в них электрически активных дефектов с участием атомов мышьяка. На образцах с большим сопротивлением определить тип проводимости известными способами ие удается. На температурных зависимостях сопротивления кристаллов n - типа проводимости имеются пологие участки, соответствующие энергии активации 0 008 - 0 03 эВ в низкотемпературной области и 0 25 - 0 58 эВ в высокотемпературной, что также можно объяснить наличием примесной зоны. [53]
 |
Значения теоретических напряжений сдвига по различным. [54] |
Малые размеры кристаллов алмаза, их высокая твердость и хрупкость не позволяют изготавливать образцы требуемой формы. Поэтому чаще всего на сжатие испытывают кристаллы с неправильной огранкой, которые к тому же имеют различную дефектность. [55]
 |
Изменение показателя прочности порошка синтетического и природного алмазов после термообработки при температуре 1473 К.| Типы раскрытия трещины. [56] |
При сжатии кристаллов алмазов в условиях невысоких температур ( Т 0ЗГПЛ) происходит их хрупкое разрушение. Отличия экспериментально определенных значений хрупкой прочности от ее теоретически достижимой величины весьма значительны. Разброс экспериментальных данных обусловлен влиянием объемно-напряженного состояния, концентраторов напряжений, дефектов структуры. [57]
При пробое кристаллов алмаза образуются графитные чешуйки на поверхности кристаллов алмаза как в зоне канала пробоя, так и в зоне трещин, отходящих от канала разряда. [58]
 |
Кристаллические структуры алмаза.| Кристаллическая структура графита. [59] |
Координационное число кристалла алмаза 4, что также соответствует правилу Юм-Розери. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5