Cтраница 1
Базовый матричный кристалл ( БМК) - матрица нескоммутирован-ных элементов, электрические связи между которыми формируются в соответствии с назначением микросхемы на этапе формирования разводки. Базовые матричные кристаллы являются универсальными кристаллами-заготовками, расположенными на полупроводниковой пластине. Для изготовления специализированных БИС на их основе ( матричных БИС) проектируются и изготовляются 1 - 3 заказных фотошаблона ( маски), с помощью которых на заключительных технологических операциях формируются электрические связи по заданной принципиальной электрической схеме. Метод вентильных матриц позволяет существенно упростить процессы проектирования и производства специализированных БИС, сводя их к трассировке и технологической реализации необходимых электрических соединений. [1]
Базовый матричный кристалл содержит сформированную заранее матрицу базовых ячеек, расположенную в центральной части, и группу буферных ячеек ( ячеек интерфейса - ввода-вывода), расположенных по периферии кристалла. Ячейка БМК - группа нескоммутированных элементов ( транзисторов, диодов, резисторов и др.) и отрезков полупроводниковых шин, используемых для реализации пересекающихся электрических связей. [2]
Базовые матричные кристаллы для цифровых и аналоговых БИС строятся на основе биполярных транзисторов и полевых транзисторов с изолированным затвором. [3]
Базовые матричные кристаллы являются универсальными полуфабрикатами. Для изготовления БИС на их основе требуется спроектировать и изготовить необходимые ( заказные) электрические соединения элементов кристалла. Так как часть конструкции БИС проектируется и изготовляется по заказу, то такие специализированные БИС называются полу заказными. При разработке современной аппаратуры применяются БМК, содержащие десятки и сотни тысяч транзисторов. [4]
Базовые матричные кристаллы являются универсальными кристаллами-заготовками, расположенными на полупроводниковой пластине. Для изготовления специализированных БИС на их основе ( матричных БИС) проектируются и изготовляются 1 - 3 заказных фотошаблона ( маски) с помощью которых на заключительных технологических операциях формируются электрические связи по заданной принципиальной электрической схеме. Метод вентильных матриц позволяет существенно упростить процессы проектирования и производства специализированных БИС, сводя их к трассировке и технологической реализации необходимых электрических соединений. [5]
Базовые матричные кристаллы для цифровых и аналоговых БИС строятся на основе биполярных транзисторов и полевых транзисторов с изолированным затвором. [6]
Базовые матричные кристаллы на основе / г - МОП-транзи-сторов имеют высокую плотность компоновки элементов. Среднее время задержки логических элементов составляет 1 - 20 не. [7]
Микросхема представляет собой базовый матричный кристалл с функционально законченными аналоговыми макроэлементами и предназначена для проектирования, изготовления полузаказных аналоговых микросхем для эксплуатации в составе гибридных микросхем. Полузаказные микросхемы изготавливаются по карте заказа, разработанной заказчиком ( потребителем) и согласованной с изготовителем микросхем. ИС изготовлена на базе набора не соединенных между собой активных и пассивных элементов, изолированных обратносмещенными р-п переходами. Переходы эмиттер - база п-р - п транзисторов могут использоваться в качестве стабилитронов с напряжением стабилизации до 8 В. [8]
Микросхемы представляют собой базовый матричный кристалл ( БМК) емкостью 500 эквивалентных вентилей типа инвертор. Изготовлены по КМОП технологии с поликремниевыми затворами. БМК позволяет по требованию заказчика воплотить в одном корпусе необходимые логические конфигурации. На основе БМК возможна реализация двух направлений: развитие семейства цифровых ИС-функциональных аналогов серий К555, КР1533, К561, КР1564 и расширение или объединение функций ИС, уже используемых в аппаратуре или на этапе ее проектирования, определяя совокупную логическую функцию устройства или отдельного блока. [9]
Микросхемы представляют собой базовый матричный кристалл ( БМК), содержащий 2000 вентилей. Состоит из внутренней и периферийной части. Внутренняя часть представляет собой матрицу 13 х 40, содержащую 2 ряда по 40 усилительных матричных ячеек ( МБЯ) для реализации усилительных функций. Каждая МБЯ содержит 10 транзисторов. Усилительная МБЯ содержит 4 транзистора. Периферийная часть представляет собой периферийную базовую ячейку, содержащую 20 транзисторов и контактную площадку, что позволяет осуществить 40 входов / выходов. БИС на основе БМК позволяют заменить 60 ИС малой и средней степени интеграции. [10]
Микросхема представляет собой базовый матричный кристалл ( БМК) с набором активных и пассивных элементов и используется в качестве элементной базы аналоговых полузаказных микросхем радиотелевизионных систем широкого функционального назначения. Элементы расположены симметрично его вертикальной и горизонтальных осей. Транзисторы сгруппированы в 8 зон, наиболее мощные располагаются по периферии кристалла между контактными площадками. В состав ИС входят 92 п-р - п транзисторов ( 84 маломощных и 8 повышенной мощности), 40 p - n - р транзисторов, 8 диодов, 272 резистора и 4 конденсатора. [11]
Микросхема представляет собой базовый матричный кристалл с функционально законченными аналоговыми макроэлементами и предназначена для проектирования, изготовления полузаказных аналоговых микросхем для эксплуатации в составе гибридных микросхем. Полузаказные микросхемы изготавливаются по карте заказа, разработанной заказчиком ( потребителем) и согласованной с изготовителем микросхем. ИС изготовлена на базе набора не соединенных между собой активных и пассивных элементов, изолированных обратносмещенными р-п переходами. Переходы эмиттер - база п-р - п транзисторов могут использоваться е качестве стабилитронов с напряжением стабилизации до 8 В. [12]
Микросхемы представляют собой аналоговый базовый матричный кристалл с функционально законченными аналоговыми макроэлементами и предназначены для создания полузаказных аналоговых микросхем. На кристалле могут быть одновременно изготовлены 2 операционных усилителя, источник опорного напряжения и компаратор или счетверенный управляемый аналоговый ключ, или два стабилизатора напряжения. [13]
Микросхемы представляют собой цифровой базовый матричный кристалл, содержащий 2636 интегральных элементов ( транзисторов, резисторов) или 300 эквивалентных вентилей. [14]
Микросхема представляет собой цифровой базовый матричный кристалл, содержащий 13100 интегральных элементов ( транзисторов, резисторов) или 1500 эквивалентных вентилей и предназначена для быстродействующих вычислительных систем. Разработана библиотека функциональных ячеек, включающая в себя логические элементы И, ИЛИ, И-ИЛИ, мультиплексоры, сумматоры, триггеры. Кристалл имеет 108 контактных площадок, из них 88 сигнальных. [15]