Конкретный кристалл

Cтраница 3

С одной стороны, измеренные характеристики позволяют рассчитать для конкретных кристаллов различные макрохарактеристики; напр. [31]

Как показали исследования, на диаграмме состояний системы графит расплав металла - алмаз можно выделить р - 7-области, соответствующие основным габитусным типам кристаллов алмаза. Существование связи между габитусом кристаллов СА и содержанием примесного азота в них позволяет выполнить отнесение конкретных кристаллов по измеренным концентрациям парамагнитного азота к определенным р - 7-областям. Преимущества такого отнесения становятся очевидными при исследовании кристаллов СА мелких фракций, когда установление габитуса по отдельным зернам затруднительно. [32]

В статике эта модель была использована для CoF2 ( гл. О результатах учета анизотропии - фактора в динамике антиферромагнетика еще будет идти речь позднее при расчете спектра колебаний конкретных кристаллов. А здесь мы сперва обратимся к тем проблемам и направлениям развития динамики, которые наиболее активно обсуждаются в литературе последних десятилетий. [33]

Очевидно, такая эквивалентность узлов возможна лишь в бесконечно протяженной решетке, так как наличие границ обязательно приводит к различиям в окружении для узлов в объеме решетки и на ее границе. Отметим, что понятие решетка Браве есть математическая абстракция, отражающая периодичность структуры кристалла, поэтому узлы ее совсем не обязательно совмещать с реальными атомами, хотя в ряде случаев это и оказывается удобным при описании структуры конкретных кристаллов. Если базис состоит из одного атома, то кристаллическую решетку называют простой, а узлы решетки помещают в ядра атомов, образующих одноатомный кристалл. Кристаллическую решетку с базисом, состоящим из двух или более атомов, называют сложной решеткой. [34]

Начнем с общего рассмотрения природы - оболочек в твердых телах и рассмотрим их проявления в физических свойствах. Затем мы рассмотрим конкретные кристаллы. Так как свойства соединений переходных металлов понять легче, то эту главу мы начнем именно с их рассмотрения и только затем, в гл. [35]

Таким образом, существует связь между характером аппроксимации электронной плотности кристалла на основе введения специальных точек ЗБ и учетом определенного числа сфер соседей при суммировании по прямой решетке. Определяющая роль ближнего порядка приводит к возможности ограничиться таким набором специальных точек ЗБ, для которого (2.35) выполнено лишь для нескольких ближайших сфер соседей. Конечно, в каждом конкретном кристалле число соседей, которое следует учесть, может оказаться разным. Это обстоятельство связано с тем, что с помощью небольшого числа специальных точек можно довольно точно рассчитать суммы по ЗБ. [36]

Отметим также, что стабилизирующая роль сил близкодействия и дестабилизирующая - сил дальнодействия в рассмотренном выше примере вовсе не означает, что эти силы будут играть те же роли и в других ситуациях. Если в рамках рассмотренной модели провести рассмотрение других возможных искажений исходной конфигурации ионов, например считать, что центральные ионы в соседних ячейках смещаются в разные стороны, вычисление изменения энергии нужно провести заново, и роли далышдействующих и короткодействующих сил априорно неизвестны. Как показывают расчеты применительно к конкретным кристаллам, возможна ситуация, когда дальнодействующие силы играют стабилизирующую, а короткодействующие - дестабилизирующую роль. [37]

Автор излагает здесь материал таким образом, чтобы вооружить читателя логикой выбора наиболее подходящего метода для выращивания нужного кристалла. В основе такой логики лежит физико-химическая сущность явлений роста, которая и сделана стержнем изложения. Изложение основных методов выращивания следует единой для всей книги схеме: 1) физико-химические основы и общая характеристика метода, показания и противопоказания для его использования, 2) аппаратура, обычно в виде принципиальных схем и 3) способы получения конкретных кристаллов и их характеристики. Осуществляя эту схему, автор концентрирует внимание прежде всего на качественном описании явлений ростр кристалла и дает ориентировочные численные параметры процесса. Технологические приемы также увязываются с процессами роста и образования дефектов. Весь этот обширный, в известной степени энциклопедический материал изложен интересно, ясно, очень по-деловому и с большим педагогическим мастерством. [38]

В четвертой части ( второй том) подробно рассматривается физическое содержание этого понятия, й десь достаточно сказать, что структурная амплитуда является комплексной величиной, зависящей как от амплитуды, так и от фазы соответствующего дифракционного луча. Обратная решетка с такой весовой функцией удобна для математических преобразований при изложении различных теоретических аспектов структурного анализа. В частности, при помощи обратной решетки может быть изложена теория разложения электронной плотности в ряды Фурье. Однако для конкретного кристалла, структура которого еще не исследована, обратная решетка в таком виде не может быть построена, так как для определения начальн / ых фаз отраженных лучей требуется дальнейшая обработка экспериментальных данных. [39]

Форма и тонкая структура этих отражений позволяет сделать заключение об особенностях строения кристалла, а именно о наличии структурных нарушений, по-видимому, локализованных в двумерных зонах-слоях. Полосчатая структура рефлексов, очевидно, является наглядным проявлением ступенчатого роста кристаллов, осуществляемого послойно в направлении ( 111) по механизму кристаллизации толчками. Отражения от разных кристаллов имеют разное распределение полос. Вариации ширины полос, расстояний между ними и их интенсивности, вероятно, обусловлены двумерными скоплениями структурных несовершенств, образующими субграницы, и связаны с особенностями роста конкретных кристаллов. [40]

Однако вычислить магнитную восприимчивость реального кристалла очень сложно и хотя роль основных влияющих факторов видна вполне ясно, детали проблемы трудны и часто недостаточно понятны. В основном по этой причине магнитная термометрия не применяется для первичных измерений температуры, хотя существует и вторая трудность, состоящая в том, что абсолютные измерения магнитной восприимчивости очень сложны. Как мы увидим ниже, константы в функциональной зависимости / от Т приходится находить градуировкой по другим термометрам. Хотя магнитная термометрия не является первичной в строгом смысле, она занимает важное место в первичной термометрии, выступая в качестве особого интерполяционного и в некоторых случаях экстр аполяционного термометра. Рассмотрим кратко основные факторы, определяющие температурную зависимость парамаг - нитной восприимчивости конкретных кристаллов и это сделает ясной специфическую роль магнитной термометрии. [41]

Программируемый таймер. [42]

В компьютерах широко применяются два типа таймеров. Обе схемы сильно отличаются от наручных и настольных часов. Наиболее простые компьютерные часы привязываются по частоте к линии питания переменного напряжения ПО или 220 В и вызывают прерывания при каждом цикле напряжения с частотой 50 или 60 Гц. Такие часы очень широко применялись ранее, но сейчас являются редкостью. Другой тип часов состоит из трех компонентов: кварцевого генератора, счетчика и регистра хранения, как показано на рис. 5.27. Если взять кусок кристалла кварца правильного размера и установить его в оправу под давлением, то можно заставить его колебаться и выдавать электрический сигнал с частотой в несколько сот мегагерц. Частота зависит от конкретного кристалла, но каждый кристалл выдерживает эту частоту с достаточно высокой точностью. [43]

Программируемый таймер. [44]

В компьютерах широко применяются два типа таймеров. Обе схемы сильно отличаются от наручных и настольных часов. Наиболее простые компьютерные часы привязываются по частоте к линии питания переменного напряжения 110 или 220 В и вызывают прерывания при каждом цикле напряжения с частотой 50 или 60 Гц. Такие часы очень широко применялись ранее, но сейчас являются редкостью. Другой тип часов состоит из трех компонентов: кварцевого генератора, счетчика и регистра хранения, как показано на рис. 5.27. Если взять кусок кристалла кварца правильного размера и установить его в оправу под давлением, то можно заставить его колебаться и выдавать электрический сигнал с частотой в несколько сот мегагерц. Частота зависит от конкретного кристалла, но каждый кристалл выдерживает эту частоту с достаточно высокой точностью. [45]

Страницы: 1 2 3 4