Cтраница 1
Идеальный кристалл с бесконечными размерами может иметь конечную теплопроводность только вследствие отклонений от гармоничности колебаний решетки; это приводит к взаимодействиям между фо-нонами, и U-процессы обусловливают тепловое сопротивление. В действительности конечные размеры кристалла приводят к резистивному рассеянию фононов на внешних границах кристалла. [1]
Идеальные кристаллы характеризуются тем, что каждый их атом или ион находится в положении, которое имеет минимум потенциальной энергии. [2]
Идеальные кристаллы характеризуются тем, что каждый их атом или иск находится в положении, которое характеризуется минимумом потенциальной энергии. [3]
Идеальный кристалл становится реальным кристаллом. [4]
Идеальные кристаллы, не содержащие примесей, почти не встречаются. Примеси в кристаллах полупроводниковых материалов увеличивают количество электронов или дырок. Так, при введении одного атома Sb в 1 см3 Ge или Si возникает один электрон, а одного атома В - одна дырка. [5]
Идеальные кристаллы, не содержащие никаких примесей, встречаются очень редко. Примеси в кристаллах полупроводников могут увеличивать количество электронов или дырок. Было установлено, что введение одного атома сурьмы в кубический сантиметр германия или кремния приводит к появлению одного электрона, а одного атома бора - к появлению одной дырки. [6]
Идеальный кристалл строится путем повторения элементарной ячейки, содержащей один или больше атомов, в трех измерениях. В общем случае элементарная ячейка не прямоугольная. [7]
Идеальные кристаллы, не содержащие никаких примесей, встречаются очень редко. Примеси в кристаллах полупроводников могут увеличивать количество электронов или дырок. Было установлено, что введение одного атома сурьмы в кубический сантиметр германия или кремния приводит к появлению одного электрона, а одного атома бора - к появлению одной дырки. [8]
Идеальные кристаллы, не содержащие примесей, почти не встречаются. Примеси в кристаллах полупроводниковых материалов увеличивают количество электронов или дырок. Так, при введении одного атома Sb в 1 см3 Ge или Si возникает один электрон, а одного атома В - одна дырка. [9]
Дефекты кристаллических решеток. [10] |
Идеальные кристаллы характеризуются регулярным расположением атомов. Однако существующие в природе кристаллы не относятся к таковым, так как они имеют разнообразные нарушения регулярности кристаллической решетки, которые называют также дефектами кристаллической решетки или дефектами кристалла. [11]
Идеальный кристалл рассматривается как тело, построенное из атомов, расположенных строго по законам симметрии кристаллической решетки. В реальных веществах существует непрерывный переход от идеально правильного в геометрическом и физическом смысле кристалла к телам с полностью неупорядоченным расположением атомов - аморфным или стеклообразным. Идеальный кристалл, как и аморфное тело с полностью неупорядоченной структурой, является крайним членом этого ряда. Практически всегда имеют дело с промежуточными членами его. Часть реальных кристаллов примыкает к почти идеальным, степень неупорядоченности которых незначительна. Реальные аморфные тела в свою очередь сохраняют некоторую степень упорядоченности. Отклонения в строении реального кристалла от идеализированного с геометрически правильным расположением атомов называются дефектами кристаллической решетки. Дефекты оказывают большое влияние на свойства реальных кристаллов, а во многих случаях обусловливают проявление особых свойств, которые не присущи кристаллам со структурой, близкой к бездефектной. [12]
Идеальные кристаллы характеризуются свойствами однородности и анизотропии. Однородность определяет неизменность свойств при перемещении точки измерения на расстояние, кратное периодам решетки. [13]
Идеальный кристалл - это одна из гех абстракций, с которыми обычно встречаются в теоретической физике л научной фантастике. [14]
Идеальные кристаллы строго периодичны. Однако такая строгая периодичность в реальной ситуации трудно достижима. Обычно кристаллы содержат хотя бы небольшое количество мест, в которых строгая периодичность нарушена и образуются дефектные места или статические дефекты. [15]