Нагретый кристалл

Cтраница 1

Нагретые кристаллы дегидратируются в атмосфере водорода. [1]

Было показано, что для неравномерно нагретого кристалла рассеяние определяется не только температурой в отдельной точке, но и распределением температур. [2]

Еще лучше наблюдать это явление, если нагретый кристалл турмалина посыпать порошком из смеси серы и сурика, которые при трении электризуются. Желтая сера и красный сурик разделяются, притягиваясь к двум концам кристалла и показывая тем самым, что электрические заряды на концах противоположны по знаку. Изящным способом демонстрации пиро-эффекта является также охлаждение кристалла в дьюаровском сосуде с жидким азотом; на концах кристалла, вынутого из дыоара, нарастает борода из ледяных кристалликов: водяные пары из воздуха конденсируются на заряженных концах кристалла. [3]

Зависимость скорости роста пленки. а - от скорости потока водорода ( W. б - от концентрации SiCl4 в водороде ( N. [4]

В результате химической реакции, которая протекает вблизи нагретых кристаллов кремния, осаждается чистый кремний и выделяется газообразный хлористый водород. [5]

Металлические дендриты - это металлические древовидные разветвления, которые берут начало на игольчатых электродах и растут внутри некоторых нагретых кристаллов, когда они подвергаются воздействию умеренных электрических полей. [6]

Эллеман и Вильман [11] напыляли пленки сульфида свинца, полученного при реакции HzS с раствором PbNOs, из пирексо-вого испарителя на нагретый кристалл NaCl. При этом они обнаружили, что по мере роста температуры подложки увеличивается степень кристалличности пленки. Зимкина [55] изготавливала напылением сернисто-свинцовые пленки для исследования процесса их окисления. Скулар и Земел [57] дали детальное описание методики выращивания, частично изложенное ниже. [7]

Поэтому введение электронов в кристалл возможно при условии, что одновременно происходит нейтрализация пространственного заряда, которая осуществляется путем выделения из нагретого кристалла отрицательных ионов галоида. Полученная аддитивным способом окраска не может быть уничтожена светом в F-полосе или нагреванием подобно окраске, образованной фотохимическим способом. [8]

Декорированные вакансии и - дислокационные петли в графите. Одна из дислокационных петель пересечена плоскостью скола, и видны вакансии, лежащие в следующем нижнем слое. [9]

Высокая концентрация вакансий, образующихся в результате инжекции, облегчает изучение притяжения вакансий к дислокационным петлям. Если нагретый кристалл расколоть близко к поверхности первоначального скола, можно обнаружить большое число дислокационных петель, но и большое число их остается еще внутри слоев, расположенных около вновь образовавшейся поверхности. Как бы ни проходило вскрытие дислокационной петли, она становится как бы окном, через которое травитель может воздействовать на вакансии, расположенные в следующем, нижележащем слое плоскости. [10]

В связи с опытами Мольво 183 ] установилось ошибочное мнение, что в атмосфере хлора шелочно-галоидные кристаллы аддитивно совершенно не окрашиваются. Ему не удалось обнаружить образования в нагретом кристалле стехиометрически избыточного хлора даже при давлении до 100 атмосфер. Однако Богун доказал при помощи особо чувствительных методов, что в прогретых в атмосфере хлора кристаллах NaCl обнаруживается свободный нейтральный хлор. Следовательно, в атмосфере хлора кристаллы также окрашиваются аддитивно, но не в такой степени, чтобы окраска обнаружилась обычно применяемыми методами. [11]

При нагревании кристалла возникают тепловые упругие волны, энергия которых представляет тепловую энергию кристалла. Квантование тепловых волн приводит к представлению о квантах звука - фононах. В нагретом кристалле возникает фононный газ. Плотность энергии фононного газа растет с повышением температуры пропорционально ее четвертой степени. При-понижении температуры кристалла плотность фононного газа уменьшается. Из состояния плотного газа он переходит в разреженный газ, а затем в состояние вакуума. Здесь оказывается полезным понятие длины свободного пробега фонона. В плотном фононном газе фононы сталкиваются друг с другом. В разреженном газе фононы сталкиваются с границами кристалла, поэтому длина свободного пробега становится постоянной и определяется линейными размерами кристалла, от которых начинает зависеть коэффициент теплопроводности. [12]

Однако нагревание в вакууме и последующий отжиг могут вызвать диффузию поверхностных примесей в объем кристалла; так, например, диффундирует бор, находящийся на поверхности кремния. Чтобы удалить примеси такого типа, кристалл следует сначала бомбардировать ионами, а затем откачать при достаточно высокой температуре ( но ниже точки испарения), поддерживая давление ниже 10 - 6 мм рт. ст., и продолжать откачку до тех пор, пока давление над нагретым кристаллом не упадет ниже 10 - 8 мм рт. ст. После этого необходимо провести ионную бомбардировку и прокаливание. [13]

Еще одно доказательство влияния кристаллической решетки было отмечено С. Поскольку активные винильные группы, как это следует из кристаллографических данных, располагаются в слоях, удаленных друг от друга на 14 А, то, по-видимому, маловероятно, чтобы растущая цепь могла преодолеть такое расстояние и соединить слои. Более вероятно, что полимеризация начинается на поверхности кристалла там, где подвижность мономера максимальна, а затем идет в последующих слоях на границе раздела мономер - полимер. Это предположение позволяет объяснить нулевой порядок кинетики процесса. Полученные методом электронной микроскопии реплики с поверхности мгновенно нагретых кристаллов показывают четкий порядок глобулярных образований, выстроенных рядами в соответствии с кристаллографическим направлением. По-видимому, эти образования представляют зародыши полимеризации. [14]

Страницы: 1