Малый кристалл

Cтраница 1

Малый кристалл, находящийся в равновесии со своим паром ( заключенным в достаточно малый резервуар, как это было описано выше), должен во всех своих точках обладать одним и тем же потенциалом. [1]

Рост малых кристаллов в своем пересыщенном растворе в свободном состоянии отвечает принципу Кюри-Вульфа о изменении габитуса в соответствии со стремлением свободной поверхностной энергии кристалла к минимуму. Когда же растущий кристалл встречает препятствие, то дальнейший процесс связан с ограничением роста этого кристалла в одном направлении и в таких условиях проявляется так называемое кристаллизационное давление. [2]

Растворимость малых кристаллов больше, чем крупных, и происходящее при этом диффузионное выравнивание состава твердого раствора вызывает растворение мелких и рост крупных кристаллов избыточной фазы. [3]

В случае агрегации малых кристаллов во вторичные частицы дисперсность является первичным фактором, определяющим величину поверхности, так как стенки пор образуют грани микрокристаллов. В области больших кристаллов дисперсность уже не играет такой роли, так как если отбросить поры большого диаметра, основная масса пор представляет собой трещины кристаллов. [4]

Следовательно, применение малых кристаллов не позволяет полностью реализовать возможности счетного метода в изотопной дефектоскопии. В данном случае порог дискриминации нужно подбирать экспериментально, исходя из вида приборного спектра. Оптимальное положение порога будет находиться, очевидно, на склоне кривой непрерывного распределения, на границе областей А и Б между 100 и 200 кэв. [5]

Эксперименты проводились на малых кристаллах антрацена с использованием метода МПА ( см. разд. [6]

Вычислим значение р для малого кристалла. Поскольку интегральная интенсивность р / 0 не зависит от расходимости и немонохроматичности пучка, будем снова считать пучок параллельным и монохроматичным. [7]

При расчете дифракционной картины от малых кристаллов возможны два пути. [8]

Следует отметить, что растворимость малых кристаллов выше растворимости частиц с радиусом г, поскольку атомы с их поверхности переходят к более крупным атомам. Протекает процесс, аналогичный рекристаллизации, определяемой стремлением системы к уменьшению энергии. [9]

Параметры эле ментарной ячейки. [10]

Вещества, состоящие из множества хаотически ориентированных малых кристаллов, называются поликристаллическими. [11]

Согласно Фольмеру ( точнее Гиббсу) малый кристалл обладает большей свободной энергией, чем то же количество вещества в толще переохлажденной жидкости, поэтому для его образования необходима дополнительная энергия. Следовательно, зародыши новой фазы могут образовываться только при флюктуативном скоплении атомов с повышенной энергией. [12]

Трудности возникают даже тогда, когда используют малые кристаллы. Размер кристалла h должен находиться в равновесии с упругостью пара ph и связан с последним уравнением Гиббса - Томсона. [13]

В ряде работ [182, 465-467] уравнение Кельвина для малого кристалла выводилось на основе построения Вульфа [468], при котором кристалл рассматривается как составленный из пирамид, имеющих основания на гранях и общую вершину в его центре. [14]

К этому побуждают результаты измерений этой константы у крайне малых кристаллов. [15]

Страницы: 1 2 3 4