Нестехиометрический кристалл

Cтраница 1

Нестехиометрические кристаллы характеризуются излишком или недостатком одного из компонентов по отношению к стехиометри-ческой формуле состава, хотя это и не приводит к изменению фазового состояния. [1]

Нестехиометрический кристалл был представлен разделенным на элементы объема, замененные для простоты эквивалентными сферами с радиусом г, каждая с вакансией в центре. [2]

В нестехиометрических кристаллах ( рис. 26.2, а, г) под действием энергии извне становятся возможными перескоки электронов от катионов с меньшим положительным зарядом на катионы с большим зарядом. [3]

Такие вещества называются нестехиометрическими кристаллами; их также предложено называть бертоллидами по имени ученого, проигравшего в описанном выше научном споре. [4]

Напротив, в нестехиометрическом кристалле обычно доминирует только один вид атомных дефектов. Например, в бинарном кристалле АВ, поглощающем избыток компонента В из газовой фазы, возникают дефекты типа внедренных атомов / Ва - - В, или вакансий в А-подрешетке / 262 - Ев УА. [5]

Напротив, в нестехиометрическом кристалле обычно доминирует только один сорт атомных дефектов, образование которых также можно выразить квазихимическими уравнениями. [6]

Важным результатом статистической термодинамики нестехиометрических кристаллов явилось доказательство того, что степень отклонения от стехиометрического состава оказывается величиной переменной, зависящей от внешних условий. [7]

В правилах IUPAC 1970 г. подробно рассмотрены названия нестехиометрических кристаллов, приводятся правила для обозначения фаз переменного состава ( бертоллидов), вакансий и межузловых дефектов в кристаллах, включая дефекты по Шот-тки и дефекты по Френкелю, а также материалов с дефектами на поверхности и материалов, легированных примесями. Символ П употребляется для обозначения многих из этих систем. [8]

Окрашенные центры F и. [9]

Повышенные концентрации пустот одного типа ионов встречаются в нестехиометрических кристаллах. На рис. 22, а изображена электронейтральная решетка NaCl, в которой недостает одного атома С1: валентный электрон соседнего атома Na, который обычно был бы поглощен атомом С1 для пополнения октета, частично свободен и описывает траекторию вблизи дефекта. При рассмотрении природы этого дефекта, например двойного дефекта Шоттки, образовавшегося на поверхности кристалла и перешедшего внутрь его с разделением обеих вакансий или же образовавшегося в начале линии дислокации, было замечено, что отсутствие в решетке иона С1 - соответствует положительному заряду, которыйпри-влекает к себе электрон для восстановления нейтральности решетки. [10]

Наиболее важным следствием существования дефектов кристаллической решетки является объяснение природы нестехиометрических кристаллов. Нестехиометрическими называют такие соединения, состав которых не может быть выражен целочисленными стехио-метрическими коэффициентами. [11]

Тепловая энергия может вызвать образование дырки рядом с дефектом в нестехиометрических кристаллах типа / / / и IV. Это равносильно перемещению дырки, что обусловливает способность кристалла проводить электрический ток. Такого типа кристаллы также являются полупроводниками. [12]

Несмотря на свой полуэмпирический характер, формулы (6.90) и (6.91) в целом неплохо описывают температурную зависимость электропроводности нестехиометрических кристаллов, наблюдаемую на эксперименте. Действительно, здесь в большинстве случаев опытные данные описываются прямыми линиями. Ломанные линии, наблюдающиеся для некоторых оксидов, чаще всего свидетельствуют об изменении типа преобладающих дефектов при изменении температуры в достаточно широком интервале. [13]

Уравнения (5.81) - (5.84) следует включить в систему уравнений (5.51), (5.52), сформулированных в предыдущем разделе для чистого нестехиометрического кристалла. Решение полученной обобщенной системы проводится аналогично изложенному выше. [14]

Зависимость энтальпии образования окислов от s в MOS. [15]

Страницы: 1 2