Дефектный кристалл

Cтраница 2

Если двойники распространяются в дефектном кристалле, то действующая на дислокацию эффективная сила торможения кроме силы ПаЙерл-са включает силу сопротивления, обусловленную распределенными в образце дефектами. Дефекты оказывают непосредственное воздействие на дислокации, препятствуя их огибанию, пересечейию и т.п., и на сопротивление, описываемое их упругими полями. Чтобы подчеркнуть то обстоятельство, что описанная сила имеет слагаемые, отличные от силы Пайерлса, будем называть ее в дальнейшем просто силой трения. Модуль и направление этой силы в равновесии зависят от направления движения дислокации, предшествовавшего равновесию, так как она включает в себя дисси-пативную силу, всегда направленную против движения. [16]

В формализме относительных составляющих единиц дефектный кристалл представляется как раствор дефектов в идеальной кристаллической решетке, причем и решетку, и дефекты каждого сорта можно рассматривать как независимые компоненты системы. [17]

В формализме относительных составляющих единиц дефектный кристалл представляется раствором дефектов в решетке идеального кристалла, поэтому последняя является самостоятельным компонентом системы, аналогичным растворителю в случае жидкого раствора. [18]

В рамках квазихимического метода описания дефектных кристаллов, используемого в данной книге, основные черты дефектной структуры кристаллов определяются целочисленными значениями эффективных зарядов дефектов, которые могут существенно отличаться от зарядов ионов, а истинные заряды ионов не играют существенной роли. Поэтому излагаемая здесь теория в значительной степени применима и к соединениям с промежуточным характером связи, а в некоторых случаях даже к кристаллам, связь в которых б иже к ковалентной, нежели к ионной. В этих случаях критерием применимости теории являются не заряды ионов, а эффективные заряды доминирующих атомных дефектов, определяемые энергетическим спектром электронов в кристалле. [19]

При кристаллизации подобных полимеров всегда образуются плохо выраженные мелкие и дефектные кристаллы. [20]

Существует несколько различных способов описания структуры дефектных кристаллов; мы остановимся на двух, наиболее употребительных. [21]

Указанного недостатка лишена другая система описания дефектных кристаллов, применяемая в химии твердого тела - система относительных составляющих единиц. [22]

Химические потенциалы атомов или ионов в дефектном кристалле легко получить из выражений для химических потенциалов дефектов. По определению, химический потенциал рассматриваемого иона равен изменению изобарного потенциала кристалла при добавлении в него одного иона. Ион может быть введен в кристалл двумя способами: или внедрен в междууз-лие, или размещен в узле, заполнив существовавшую там вакансию. При первом процессе изменение изобарного потенциала соответствует появлению междуузельного дефекта и равно его химическому потенциалу, при втором процессе - исчезновению вакансии и равно ее химическому потенциалу со знаком минус. [23]

Этот последний процесс возможен только в дефектных кристаллах, так как вакансии являются, конечно, дефектами кристалла. [24]

После этого при необходимости получить полупроводник ( дефектный кристалл) в чистое вещество добавляется нужная примесь и расплавленная зона проводится вдоль кристаллического стержня сначала в одном, а затем в противоположном направлении. Это позволяет равномерно распределить нужную примесь по основному веществу. [25]

Следует отметить, что ни один из рассмотренных дефектных кристаллов в целом не несет электрического заряда. [26]

Общая схема образования кристаллических структур ( по Каргину. [27]

Однако это неупорядоченное вещество, внутренне присущее дефектному кристаллу, не следует рассматривать как самостоятельную аморфную фазу. [28]

Из изложенного выше следует, что в дефектных кристаллах металлов имеются узлы с неравномерно распределенным электрическим полем. Например, вакантные анионные узлы действуют в кристалле, как центры с эффективным положительным зарядом и создают кулоновское потенциальное поле, способное связывать электроны. В других металлах образуются вакантные места в катион-ной решетке, которые будут действовать в кристаллах как центры с эффективным отрицательным зарядом и давать кулоновское иоле, способное связывать положительные заряды. [29]

Из вышеизложенного вполне очевидно, что в дефектных кристаллах металлов имеются узлы с неравномерно распределенным электрическим полем. Например, вакантные анионные узлы действуют в кристалле с эффективным положительным зарядом и создают кулоновское потенциальное поле, способное связывать электроны. В других веществах образуются вакантные места в катион-ной решетке. Вакантные катионные узлы при этом будут действовать в кристаллах как центры с эффективным отрицательным зарядом и давать кулоновское поле, которое способно связывать положительные заряды. [30]

Страницы: 1 2 3 4