Качественный кристалл

Cтраница 1

Качественные кристаллы в экспериментах получены из гомогенного расплава стехиометрического состава. [1]

Для выращивания качественных кристаллов или направленных поликристаллов термоэлектрических материалов необходимо иметь достаточно чистые исходные компоненты - висмут, сурьму, селен, теллур. Если селен выпускают достаточно чистым, то с теллуром, сурьмой и висмутом возникают определенные сложности, особенно с теллуром. Одни производители предпочитают более грязный, но относительно дешевый теллур, другие - более чистый, который стоит намного дороже. Поэтому некоторые производители самостоятельно производят доочистку исходного теллура. Возгонка является эффективным способом очистки Те от многих примесей. По такому же принципу очищают и сурьму. Возгонка Sb, как известно, является малоэффективной при очистке от свинца и мышьяка. И если мышьяк как примесь практически не оказывает влияния на изменение свойств материала, то свинец является донором. Поэтому процесс возгонки Sb должен быть организован таким образом, чтобы можно было использовать небольшие различия в физических свойствах Sb, As и Pb. Очистка висмута обычно ограничивается стандартной процедурой, хорошо описанной в научно-технической литературе, - фильтрацией расплава Bi для очистки от оксидов, которые всегда присутствуют в металлическом висмуте. [2]

Хорошо известно, что качественные кристаллы с постоянной величиной коэффициента преломления могут быть получены из конгруэнтного расплава, так как только в этом случае состав кристалла практически не зависит от колебаний температуры на фронте кристаллизации и от уменьшения массы расплава в ходе кристаллизации. [3]

Нужная полиморфная модификация структурно неустойчива в соприкосновении с расплавом, а в результате твердофазных переходов качественные кристаллы в данной модификации не получаются. [4]

Только этим методом удалось получить постоянно воспроизводимые направленные наросты слюды на затравочных пластинах, однако качественного кристалла получено не было. Основным дефектом получаемого нароста были газовые включения - полости, пронизывающие весь кристалл, начиная от затравочной пластины. Было отмечено, что число и размер газовых полостей ( пузырей) некоторым образом зависят от герметичности тигля: в герметичном, заваренном с обоих торцов тигле включений заметно меньше, чем в открытой системе. [5]

Существование сложных структурных форм и полианионов крупных размеров определяет высокую вязкость слюдяного расплава, составляющую около 1 Па-с при температуре кристаллизации; для сравнения заметим, что условием получения качественных кристаллов из раствора в расплаве является вязкость, не превышающая 5 - 10 - 2 Па-с. Высокая вязкость расплава служит причиной скелетного и дендритного роста. [6]

Блок-схема измерительного устройства. [7]

Выбором оптимального температурного градиента в районе фронта кристаллизации равного 4 - 6 С / мм, при постоянном увеличении абсолютной величины градиента в сторону кристалла, обеспечивается плоская, либо слегка выпуклая форма фронта кристаллизации, наиболее пригодная для выращивания качественных кристаллов. [8]

Первый же опытный кристаллизационный цикл, выполненный на автоклавной установке вместимостью 750 л, дал положительный результат. В итоге были получены качественные кристаллы. [9]

Решение задач теплопроводности для движущегося полубесконечного стержня не позволяет проанализировать процесс в ряде практически интересных случаев. Известно, например, что для получения качественных кристаллов стремятся свести к минимуму тепловой поток с боковой поверхности кристалла. [10]

Карбид кремния плавится инконгруэнтно1 при t 2830 С, разлагаясь на Si и С. Однако малая скорость выращивания как условие получения качественного кристалла привела к тому, что раствор-расплавная методика в производстве SiC используется только для получения эпитаксиальных пленок. [11]

Последние обнаружены в метастабиль-ном состоянии при обычных условиях и, следовательно, могут быть выращены при повышенных температурах и давлениях и затем закалены с сохранением их структуры в нормальных условиях. Во многих случаях, особенно когда переход через кривую фазового равновесия проведен без соблюдения достаточных предосторожностей, образуются не качественные кристаллы, а двойники или даже поликристаллический материал. [12]

Анизотропия скоростей слоевого роста в плоскости ( 001 фторфлогопита. Ув. 100. [13]

Анизотропия азимутальных линейных скоростей роста в плоскости ( 001) относительно невелика и зависит от условий роста. Максимальная скорость роста в плоскости ( 001) при большом переохлаждении может достигать 10 см / мин и больше. Для выращивания крупных и качественных кристаллов слюды важное значение имеет установление величины максимальной скорости стабильного роста. При этом следует учитывать, что по мере того как кристалл растет, эта скорость уменьшается. Это связано как с неоднородностью пересыщения по грани из-за усиления диффузионного потока к углам, так и с накоплением примесей у фронта кристаллизации. [14]

Качество кристаллов бикарбоната натрия, полученного на стадии карбонизации аммиачно-содового производства, определяет технологические условия проведения этого процесса и, прежде всего - режим работы зоны начала образования кристаллов и режим работы зоны охлаждения суспензии. Длительным опытом эксплуатации карбонизационных колонн установлено, что для получения хорошо фильтрующейся бикарбонатной суспензии необходимо поддерживать максимально возможную температуру в зоне завязки кристаллов, не допускать повышения концентрации СО2 в выходящем из колонны газе выше определенного уровня и резкого охлаждения суспензии на входе в зону охлаждения колонны. Эти легко контролируемые показатели дают косвенную оценку основных факторов, определяющих получение качественных кристаллов - пересыщения раствора бикарбонатом натрия и скорости его кристаллизации в тех зонах, где они достигают максимального значения. Величина максимально допустимых значений пересыщения определяет как предельную производительность существующих типов карбонизационных колонн, так и возможности изменения их конструкции с целью интенсификации процессов абсорбции COj и охлаждения. [15]

Страницы: 1 2