Щелочногалоидный кристалл

Cтраница 1

Щелочногалоидные кристаллы могут быть окрашены и др. методами, наз. При аддитивных методах окраски электрон, вводимый в кристалл, замещает в нем ушедший ион галоида. [1]

В случае щелочногалоидных кристаллов кулоновские энергии почти полностью взаимно уничтожаются, оставляя сумму электронного сродства и кинетической энергии в качестве основного источника связи. Для Других ионных кристаллов три первые члена в выражении (9.2) почти полностью взаимно уничтожаются, оставляя в качестве источника связи электронное сродство. [2]

Обращаясь к щелочногалоидным кристаллам, для которых имеется достаточно экспериментальных данных, мы увидим, что для них е лежит в пределе 0 65 - 0 80 элементарного заряда, что резко расходится с данными по распределению электрической плотности. [3]

Известно, что щелочногалоидные кристаллы обладают радиационной памятью, обусловленной запасанием энергии ионизирующей радиации на / - - центрах. Эта память сочетается с удобством считывания информации о запасенной энергии простыми оптическими методами. [4]

Происходящее при освещении щелочногалоидных кристаллов окрашивание рассматривается как результат образования частиц металла, находящихся в состоянии, близком к атомному. Возникновение этих центров совершается в результате перехода освобожденных светом электронов с аниона галогена на расположенные поблизости катионы металла. [5]

Возможность количественного измерения поглощения щелочногалоидных кристаллов представляет большое преимущество цри исследовании механизма их свечения. К этому преимуществу присоединяются и другие: простота кристаллической решетки, ее определенно ионный характер и возможность приготовления фосфоров без плавня, нарушающего кристаллическую решетку как в структурном, так и в химическом отношении. Поэтому кри-сталлофосфоры щелочногалоидной группы неоднократно исследовались для выяснения природы свечения кристаллических веществ. Однако опыты показали, что кристаллофосфоры данной группы создают и дополнительные трудности, которые снижают их ценность как объектов, служащих для выяснения общих законов и кинетики свечения кристаллофосфоров. Здесь следует отметить малый выход сничеаия, вследствие чего данные соединения нельзя считать типичными фосфорами; слабость свечения усложняет, кроме того, технику исследовании. Свечение щелочногалоидных кристаллов не просто и по спектральному составу. Помимо видимого свечения, эти фосфоры имеют еще значительное ультрафиолетовое излучение. Далее, щелочногалоидные соединения своеобразно и сравнительно трудно активируются. Из других ионов тяжелых металлов в решетку щелочногалоидных фосфоров входит Си и Ni. Кроме того, как показывают непосредственные исследования, внутрь кристаллов могут проникать частицы газов, в частности составные части воздуха. Присутствие тех или иных газов внутри кристаллической решетки усложняет процессы свечения и ведет к появлению новых полос излучения. Особенно большие трудности вносит окрашивание щелочногалоидных фосфоров, происходящее под действием рентгеновского и коротковолнового оптического излучения: прозрачные кристаллы щелочногалоидных солей, подвергнутые действию коротковолнового излучения, приобретают окраску, невидимому, вследствие образования внутри кристаллической решетки нейтральных атомов металла. У кристаллофосфоров других групп это явление выражено гораздо слабее. [6]

В случае F-полос в щелочногалоидных кристаллах представляется более правдоподобным, что температурный сдвиг максимума полосы поглощения связан с тепловым расширением решетки или с асимметрией колебательного потенциала [3], так как наблюдаемый сдвиг ( равный нескольким kT) слишком велик, чтобы его можно было объяснить разностью частот или непостоянством дипольного момента перехода. [7]

Коэффициент линейного расширения щелочногалоидных солей.| Изменение п в щелочногалоидных системах. [8]

Наряду с теплотой образования изучен комплекс свойств щелочногалоидных кристаллов: коэффициент линейного расширения, коэффициент теплопроводности, плотность, параметр решетки, число частиц, приходящихся на объем элементарной ячейки, электропроводность, электрическая прочность [12-33], модуль Юнга [34], твердость по сверлению и взаимному шлифованию. Коэффициент линейного расширения твердых растворов изменяется с составом. [9]

Более подробно анизотропия контактного плавления изучалась на щелочногалоидных кристаллах, теплопроводность которых не является анизотропной величиной. [10]

Низкая стабильность / - - центров в щелочногалоидных кристаллах связывается некоторыми авторами [7, 12, 13] с повышенной концентрацией так называемых мягких F-центров, окруженных в отличие от жестких / - - центров окраски частицами кристалла, образующими искаженную кристаллическую решетку и находящимися вследствие этого в несимметричном электрическом поле. Количество таких геометрически нарушенных участков кристалла определяется плотностью дислокаций, выходы которых на поверхность кристалла могут быть обнаружены с помощью травления. [11]

Затухание свечении KCl-Tl - фосфора после предварительного полного возбуждения светом различной интенсивности. Е - относительная интенсивность возбуждающего света. [12]

Возникает вопрос о положении ионов Т1 в решетке щелочногалоидного кристалла. Данные рентгеноскопии указывают на то, что ион Т1 входит в решетку щелочногалоидного кристалла, заменяя ион металла решетки и образуя смешанный кристалл. Однако величины изменения постоянной решетки не совпадают с требованиями теории, что указывает на существование особого взаимодействия между, ионами Т1 и окружающими его ионами галоида. [13]

Спектры поглощения хлористых солей щелочных.| Положенно и форма полог, поглощения КС1. о - до освещелия ультрафпо-летокыми лучами, - после освещения и /., - после освещения и нагревания. [14]

На рис. 283 дано расположение полос поглощения F-центров различных щелочногалоидных кристаллов. [15]

Страницы: 1 2 3