Электрооптический кристалл
Cтраница 1
Электрооптический кристалл ориентирован в направлении Z, его боковые грани параллельны осям X и Y. Поляризатор и анализатор ориентированы по отношению к опорным осям под углами 45 и - 45 соответственно. [1]
Электрооптические кристаллы, имеющие при комнатной температуре структуру ТКВБ, были выращены из тройной системы KNb03 - LiNb03 - BaNb2Oe ( гл. [3]
Электрооптические кристаллы - сегнетоэлектрики являются весьма перспективными для систем постоянной и оперативной памяти с фазовой записью информации. Обнаруженный в 1966 году Ашкиным и др. [1.4] эффект оптически индуцированного двулучепреломления в монокристаллах некоторых сегнетоэлек-триков и его дальнейшее изучение показало, что в основном первичные процессы фотопереноса в фотохромных материалах и сегнетоэлектриках одинаковы. [4]
 |
Кривые зависимости порогового тока накачки от напряженности магнитного поля. [5] |
Электрооптический кристалл 2 с плоскопараллельными торцами црмещен в оптический резонатор так, что ось Z кристалла совпадает с оптической осью резонатора. [6]
Электрооптические кристаллы находят широкое практическое применение. Из них изготовляются оптические затворы и модуляторы для передачи информации с использованием лазерного пучка, генерации гигантских импульсов излучения. Модуляторы света применяются в световой связи, в светодальномерах, в устройствах звукозаписи звукового кино, в цветном телевидении, в автоматических поляриметрах, в устройствах скоростной фото - и киносъемки и пр. Электрооптцческие преобразователи используются в управляемых узкополосных интерференционно-поляризационных светофильтрах, в устройствах для измерения высоких напряжений, в оптических элементах счетно-решающих систем. Создавая неоднородное электрическое поле в электрооптическом кристалле, можно эффективно изменять направление распространяющегося в нем светового пучка. Остановимся кратко на некоторых из перечисленных применений. [7]
Электрооптические кристаллы типа нио-бата лития интенсивно исследовались в связи с их ярко выраженными нелинейными оптическими свойствами. [8]
Параметр электрооптического кристалла ( e [ ( / s) l 2, входящий в формулу (3.64), равен 0 8 для LiNb03 и мало отличается от аналогичного параметра для Других подходящих материалов: DKDP и BSO при комнатной температуре. [9]
В результате электрооптический кристалл в структуре такого ПВМС должен быть изолирован по крайней мере от одного из электродов. Если оба электрода расположить непосредственно на поверхностях кристаллической пластины, поверхности кристалла окажутся эквипотенциальными, U ( х, у) const и, следовательно, фЬ2 const, сколько бы сложное электрическое поле не было создано внутри электрооптического кристалла. Таким образом, пространственная модуляция кристаллом, не изолированным от электродов, за счет продольного электрооптического эффекта невозможна. [10]
В фототитусе электрод и электрооптический кристалл разделяются фотопроводником. Его диэлектрическая проницаемость и толщина обычно таковы, что и в этом случае слагаемое E / d - мало в сравнении с ez / d2 - В результате, исходя из приведенных выше данных об изменениях диэлектрической проницаемости кристалла при охлаждении, разрешающая способность должна увеличиваться в соответствии с (8.4) в 3 раза. [11]
Упрощенная эквивалентная электрическая схема электрооптического кристалла изображена на фиг. [12]
В аналоговых дефлекторах из электрооптических кристаллов используется изменение направления светового луча, проходящего через электрооптический элемент, обусловленное изменением показателя преломления при наложении а кристалл управляющего электрического поля. [13]
 |
Зависимость Уф / Vcs от частоты при различных в полосковом волноводе с комбинированным диэлектриком. [14] |
Однако вследствие различия диэлектрических констант электрооптического кристалла в оптическом и свч диапазонах выравнивание скоростей света и сзч волн в линии достигается путем ее неоднородного заполнения диэлектриком. Часть сечения линии заполняется электрооптическим кристаллом, имеющим высокое значение диэлектрической проницаемости, другая часть сечения заполняется диэлектриком с низким значением проницаемости. Соотношение этих частей сечения выбирается так, чтобы эквивалентная проницаемость для всего сечения в диапазоне свч была равна проницаемости электрооптического кристалла в оптическом диапазоне. [15]
Страницы: 1 2 3 4