Гетерогенная кристаллизация

Cтраница 1

Гетерогенная кристаллизация в неграфитирующемся углероде протекает путем осаждения углерода из газовой фазы и сопровождается процессом его гомогенной кристаллизации. [1]

Гетерогенная кристаллизация в неграфитирующемся углероде протекает путем осаждения углерода из газовой фазы и сопровождается процессом гомогенной кристаллизации. [2]

Гетерогенная кристаллизация расплава массой свыше нескольких килограммов происходит в условиях заметного расслоения фторсиликатного расплава. Влияние макронеоднородности расплава на характер его кристаллизации особенно ясно проявилось при термографических исследованиях. [3]

Изменение размеров кристаллитов в процессе графитации нефтяного кокса.| Модель углеродной сетки графита. [4]

При гетерогенной кристаллизации осаждение углерода происходит из газовой фазы с последующей его гомогенной кристаллизацией. [5]

Механизм гетерогенной кристаллизации связан с переносом углерода летучими соединениями с гетероатомами ( О, Cl, Si и др.) через газовую фазу. [6]

Изменение размеров кристаллитов в процессе графитации нефтяного кокса.| Модель углеродной сетки графита. [7]

При гетерогенной кристаллизации осаждение углерода происходит из газовой фазы с последующей его гомогенной кристаллизацией. [8]

При гетерогенной кристаллизации обычно предполагается, что образование критических зародышей новой фазы является лимитирующей стадией процесса. Критические зародыши могут расти по различному механизму. При определенных условиях для некоторых кристаллографических граней их рост может происходить без образования критического зародыша, например на грани куба алмаза. Трудно ожидать, что при всех условиях механизм роста графита будет одинаков. [9]

Способу гетерогенной кристаллизации фторфлогопита при медленном охлаждении массы расплава присущ ряд существенных недостатков, которые обусловливают спонтанность процесса и, как следствие, низкую воспроизводимость результатов: 1) большое и нерегулируемое число центров кристаллизации, возникающих на дне тигля, если кристаллизация проводится снизу вверх, или на поверхности расплава при охлаждении его сверху; 2) вогнутый вид изотермической поверхности кристаллизации, определяемый тем, что отвод тепла ведется от периферии ( нагревателей) к центру, в результате чего преимущественным является направление роста кристаллов от боковой поверхности тигля к его оси, что не соответствует условиям получения крупных кристаллов слюды. Такой же направленности растущих кристаллов способствует значительный теплоотвод по стенкам металлического тигля. Даже при направленном отводе тепла от дна тигля тепловые потоки через наросший слой кристаллов и по стенкам тигля будут близкими по величине, следовательно, и ориентироваться плоскостью максимального отвода тепла ( 001) кристаллы будут как от дна, так и от стенки тигля; 3) массовая кристаллизация вызвана высокой скоростью отвода тепла; 4) малый градиент температуры по высоте расплава ( 0 3 С / см), который может быть создан без перегрева расплава. [10]

Известно, что гетерогенная кристаллизация ( образование центров кристаллизации на твердой подложке) облегчается, если между подложкой и кристаллизующимся веществом существует кристаллографическое и размерное соответствие. При этом частицы твердой фазы, полностью смоченные расплавом кристаллизующегося вещества, служат самыми лучшими катализаторами процесса зарождения. Меньшее катализирующее влияние оказывают специально вводимые в расплав модификаторы зародышевого типа, приближающиеся по своим кристаллографическим и размерным параметрам к кристаллизующемуся веществу. [11]

Зависимость линейной Роста кристалла растет быстрее, чем скорости роста кристалла ир. к ЧИСЛО ЦбНТрОВ КрИСТаЛЛИЗЭЦИИ, ТО. [12]

Для интенсификации процессов гетерогенной кристаллизации, а также в целях регулирования размеров кристаллитов в расплав вводят модификаторы или катализаторы зарождения, стимулирующие образование зародышей. [13]

Несомненно, что процессы гетерогенной кристаллизации с участием химической реакции должны быть весьма чувствительны к энергетической неоднородности поверхности, так как такие стадии процесса, как адсорбция, химическая реакция и зародышеобразование, являются сами по себе чрезвычайно чувствительными к неоднородности поверхности. Рассмотрение процесса химической кристаллизации с этих позиций наталкивается на ряд трудностей, связанных с тем, что разработка теоретических основ таких процессов находится лишь на начальной стадии. Отсутствуют данные по теплотам адсорбции многих химических веществ, участвующих в реакции, в большинстве случаев неизвестен механизм собственно химической реакции. Вполне сознавая эти трудности, авторы все же рискнули провести такое рассмотрение в первом приближении для одного типа химической кристаллизации, а именно водородного восстановления летучих галогенидов тугоплавких металлов. Этот выбор связан со спецификой кристаллизации тугоплавких металлов ( в основном они имеют низкую диффузионную подвижность при температурах газофазной кристаллизации), с особенностями адсорбции водорода на переходных металлах ( наблюдается сильная зависимость теплот адсорбции от степени заполнения), а также с лучшей изученностью многих физических свойств тугоплавких металлов. [14]

Кривые интенсивности образцов сахарного кокса, прокаленных в малом ( а и большом ( б объемах. [15]

Страницы: 1 2 3 4