Отдельный кристаллик

Cтраница 1

Отдельные кристаллики также имеют большое количество дефектов кристаллической решетки, обусловленных трудностью перестройки атомов селена в процессе кристаллизации. Одной из причин образования дефектов является неодинаковое значение температурного коэффициента линейного расширения монокристаллов селена в различных направлениях. Вследствие этого в поликристаллическом селене при повышенной температуре возможно образование локальных механических напряжений, разрывов и других дефектов, искажающих идеальную кристаллическую решетку. [1]

Отдельные кристаллики соли кубической формы приготовлялись из монокристалла природного астраханита, который был извлечен из донных отложений Карабогазского залива. [2]

Если отдельные кристаллики материала в соответствии с их расположением по отношению к плоскости шлифа вытравливаются сильно, то возникает явление, известное в минералогии как образование фигур травления. Под фигурами травления понимают контуры среза поверхностью шлифа плоскостей куба кристалла, обнаженных в результате избирательного вытравливания. Величина фигур травления, называемых также еще ямками травления, зависит от реагента и продолжительности травления. В плоскости зерна фигуры травления однотипны и имеют одинаковое расположение. Однородные фигуры травления ука - зывают на кристаллографически однозначные плоскости, разнородные фигуры травления принадлежат кристаллографически различным плоскостям. Итак, фигуры травления находятся во взаимосвязи с симметрией кристалла. Принципиального различия между выявлением плоскости зерна и фигур травления зерен нет, однако выявление фигур может происходить точно по граням и углам элементарного куба. [3]

Связующее объединяет отдельные кристаллики цеолита в гранулы, сохраняя возможность доступа молекул адсорбата к каждому из них, поскольку в гранулах создается вторичная пористость - так называемые транспортные поры. Дополнительная адсорбционная поверхность транспортных пор невелика и обычно не влияет на суммарную адсорбцию в грануле, кроме случаев, когда имеет место адсорбция насыщенных или пересыщенных паров веществ. Тогда транспортные поры могут заполняться адсорбатом частично или полностью по механизму капиллярной конденсации, и это дает существенный прирост суммарной адсорбции. [4]

Линейные размеры отдельных кристалликов не должны превышать 10 - 3 см. Исследуемый образец в виде столбика из спрессованного порошка илипроволоки ( с ( 0 2 н - 1 мм) помещается в центре цилиндр и ческой камеры ( фиг. Отраженные от образца лучи образуют на пленке, изогнутой по цилиндрической поверхности, систему симметричных линий, как это показано на фиг. [5]

Возможность изменения структуры отдельных кристалликов исключается вследствие вышеописанного результата рентгеновского анализа в монохроматических лучах. [6]

Всякое изменение формы отдельных кристалликов, из которых состоит кристаллическое тело, а также изменения в их взаимном расположении ведут к существенным изменениям механических свойств всего твердого тела в целом. [7]

Возможность изменения структуры отдельных кристалликов исключается вследствие вышеописанного результата рентгеновского анализа в монохроматических лучах. [8]

В отличие от графита отдельные кристаллики BN прозрачны. По вопросу о возможности образования им продуктов внедрения ( аналогичных производным графита) имеются противоречивые данные, но аддукты щелочных металлов, по-видимому, существуют. Были получены также смешанные нитриды бора - ЫзВКз и 33 ( BN2) 2, где Э - Са, Ва. [9]

Благодаря полям анизотропии в отдельных кристалликах прецессия и связанный с ней эффект детектирования СВЧ имеют место и в ненамагниченном стержне. [10]

При пластической деформации поликристаллического материала отдельные кристаллики, находящиеся в тесном окружении и в воздействии со своими соседями, подвергаются не только пластическим сдвигам, но и упругим деформациям. [11]

Структура нитрида бора ( ойычная форма. [12]

В отличие от графита, отдельные кристаллики BN прозрачны. По вопросу о возможности образования им продуктов внедрения ( аналогичных производным графита) имеются противоречивые данные. Были получены также смешанные нитриды бора - - Li3BN2 и Эз ( ВК Ь, где Э - Са, Ва. [13]

При кристаллизации такого раствора получаются отдельные кристаллики полупроводникового соединения, которые отделяются от избытка металла, например, растворением в кислоте. [14]

Соединение AlAsS4 получено в виде отдельных кристалликов при медленном охлаждении веществ после синтеза. [15]

Страницы: 1 2 3 4