Cтраница 2
Анализ матричных схем завершает исследование, линеек излучателей с немеханическим движением луча, оптимальных в том смысле, что число управляющих устройств равняется теоретически минимальному. [16]
Особого внимания заслуживает вопрос о боковых лепестках линейки излучателей, причем боковое излучение, имеющее различную природу, нужно разделить на два вида. Первый вид - это обычные боковые лепестки, свойственные линейкам как с неизменной, так и с управляемой фазой токов. При равных амплитудах токов в излучателях уровень бокового излучения достигает 21 % от главного максимума. [17]
Заканчивая анализ влияния взаимной связи на свойства линейки излучателей, ответим на вопрос, какую же величину взаимной связи можно допустить, не опасаясь, что она сильно исказит результаты расчета системы, проведенного без учета связи. Сравнивая линейки излучателей с диаграммами вида cosny0 при п 0 и п 1, видим, что при п 0 взаимная связь в корне изменяет свойства линейки, в то время как при п 1 в большинстве случаев на практике влиянием взаимной связи можно пренебречь. Дело в том, что на свойства линейки влияет не столько величина переходного затухания между двумя соседними излучателями, сколько скорость роста этого затухания при увеличении расстояния между излучателями. [18]
Все, что было сказано относительно свойств линеек излучателей, сохраняет силу применительно к решеткам. [19]
Сначала определим, влияние на положение луча линейки излучателей изменения характеристик фазовращателей под воздействием изменения частоты сигнала и температуры окружающей среды, а затем влияние квантования фазового распределения. [20]
Этот же результат был получен ранее при анализе линейки излучателей в предположении, что диаграмма направленности отдельного излучателя имеет вид идеального прямоугольника. [21]
Если вектор х обозначает распределение интенсйвностей, формируемое линейкой излучателей ( модуляторов), а матрица А. [22]
Заметим, что формулы в предыдущей части параграфа получены для линейки излучателей, расположенной вдоль полярной оси, а рассмотренная сейчас формула вычислена для решетки, перпендикулярной этой оси. Однако введенный в этом случае угол у совпадает с углом у, изображенном на рис. 5.6.13. Это можно использовать при анализе решетки излучателей в целом. [23]
Формулы (4.2.16) и (4.2.17) аналогичны формуле (3.1.11), полученной при анализе линеек излучателей. [24]
В параграфах 4.2 и 4.3 были рассмотрены, с одной стороны, линейки дискретных излучателей, которые питаются синфазно токами одинаковой силы и отстоят один от другого на равные расстояния, а с другой - излучающие плоскости с равномерным и эк-вифазным распределением плотности токов. Было показано, что для антенн обоих типов направленные свойства в конечно м счете определяются их поперечными размерами, а говоря точнее, отношением между поперечным размером и длиной волны. Влиять как-либо на относительный уровень боковых лепестков мы при этом не могли. [25]
Сделанный вывод еще нельзя считать доказательством того, что полученное число действительно является минимальным для любых линеек излучателей. [26]
Таким образом, для того чтобы оценить изменение КНД решетки, нужно вычислить коэффициенты g сначала для линейки излучателей, а затем для системы линеек и полученные коэффициенты перемножить. [27]
Разность фаз излучающих токов в двух соседних фазовращателях всегда меньше 360 поэтому при анализе фазового фронта в линейке излучателей, переходя последовательно от фазовращателя к фазовращателю, необходимо будем в расчетах восстановить сбросы фазы на 360, которые были сделаны при задании программы изменения фаз в фазовращателях. [28]
Удвоив приведенное значение 90, получаем ширину главного лепестка по кулевому уровню для любого числа вибраторов в линейке излучателей. [29]
В целом зависимость КНД и КУ линейки изотропных излучателей от у0 и dfk сильная, в то время как эта же зависимость для линейки направленных излучателей значительно слабее. [30]