Оксидная маска
Cтраница 1
 |
Этапы изготовления планарного транзистора. [1] |
Оксидная маска органически связана с поверхностью пластины, обеспечивая наилучший контакт с нею. При этом исключается проникновение диффузанта в зазор между маской и поверхностью. [2]
 |
Этапы изготовления планарного транзистора. [3] |
Оксидные маски изготовляются методом фотолитографии, который имеет более общее значение в полупроводниковой технологии и описывается в следующем разделе. [4]
Оксидная маска органически связана с поверхностью пластины, обеспечивая прочный контакт с нею и исключая проникновение диффузанта в зазор между маской и поверхностью. [5]
Оксидные маски изготовляют методом фотолитографии, который имеет более общее значение в полупроводниковой технологии и описывается в следующем разделе. [6]
 |
Этапы изготовления планарного транзистора. [7] |
Толщина оксидной маски ( единицы микрон) достаточна для надежной защиты соответствующих участков пластины от проникновения диффузанта. [8]
Толщина оксидной маски ( около микрона) достаточна для надежной защиты соответствующих участков пластины от проникновения диффузанта. [9]
 |
Схема процесса диффузии в запаянной ампуле. [10] |
Планарная технология основана на использовании оксидных масок для избирательной физико-химической обработки полупроводниковой подложки. Оксидная маска представляет собой слой двуокиси кремния SiO2, полученный термической пассивацией подложки из кремния. Установлено, что пленка двуокиси кремния толщиной 0 1 мк является заградительной маской для диффундирующей примеси. [11]
 |
Зависимость показателя степени п от напряжения лавинного пробоя резкого р-п перехода.| Обратные ветви ВАХ германиевого ( а и кремниевого ( б р-п. [12] |
В случае пленарных р-п переходов, полученных диффузией примеси в окно в оксидной маске, при определении напряжения лавинного пробоя необходимо учитывать эффекты, связанные с кривизной р-п перехода по его периферии. [13]
 |
Резисторы на основе твердых схем. [14] |
В основе метода лежат функциональные блоки, выполняемые в кристалле полупроводника вплавлением, диффузией, осаждением, использованием оксидной маски и механической обработкой. Класс разрабатываемых функциональных устройств охватывает простые структуры, состоящие из отдельных эле-зментов, и весьма сложные. [15]
Страницы: 1 2 3