Батарея - смещение
Cтраница 4
 |
Расположение статических. [46] |
Величина сопротивления Rg должна быть в несколько раз больше R a, чтобы шунтирование последнего сопротивлением Rg и батареей смещения E g не вызывало существенного уменьшения коэффициента усиления. [47]
 |
Схема установки режима с отдельным источником смещения. [48] |
В ней база транзистора подключена к положительному полюсу источника питания через весьма малые по величине сопротивления обмотки трансформатора и батареи смещения. [49]
 |
Принципиальная схема фотореле с исполнительными устройствами. [50] |
Фототек 1, проходя по сопротивлению R, создает на нем падение напряжения U IR, которое действует навстречу батарее смещения, уменьшая отрицательный потенциал на сетке лампы. [51]
На рис. 13.18 приведена схема, в которой насыщение транзистора устранено с помощью последовательного включения в цепь коллектора диода и батареи смещения. [52]
Последовательная коммутация фотоэлектрического сигнала с отдельных участков этой вытянутой в одном измерении структуры осуществляется перемещением некоторой эквипотенциальной линии, создаваемой источником пилообразного напряжения и батареей смещения, подключенными к структуре. Рассмотрение механизма формирования видеосигнала позволяет установить связь между параметрами трех слоев и основными характеристиками прибора: разрешающей способностью, быстродействием и чувствительностью. Приводится расчет схем включения прибора в случаях активной и реактивной нагрузки. [53]
Последовательная коммутация фотоэлектрического сигнала с отдельных участков этой вытянутой в одном измерении структуры осуществляется перемещением некоторой эквипотенциальной линии, создаваемой источником пилообразного напряжения и батареей смещения, подключенными к структуре. Рассмотрение механизма формирования видеосигнала позволяет установить связь между параметрами трех слоев и основными характеристиками прибора: разрешающей способностью, быстродействием и чувствительностью. Приводится расчет схем включения прибора в случаях активной и реактивной нагрузки. [54]
 |
Схема Г с ламповым нуль-индикатором.| Схема с компенсацией анодного тока. [55] |
Одна из простейших схем с электронной лампой в качестве нуль-индикатора приведена на рис. IX.3. Если переключатель установлен в положение 2, потенциал сетки равен потенциалу батареи смещения. Это положение соответствует нулевой точке прибора. [56]
Если фотоэлемент не освещен, то фототок приблизительно равен нулю, падение напряжения на сопротивлении R отсутствует и сетка лампы находится только под влиянием отрицательного потенциала батареи смещения. [57]
 |
Сравнение вольтампер-ных характеристик для туннельного ( 2, обычного ( / и обращенного ( 3 диодов. [58] |
Это связано с тем, что электронов, способные совершать туннельный переход в вырожденном полупроводнике оказывается очень много, и полная величина тока при прямых и об ратных смещениях зависит лишь от разности встречных потоков интенсивность которых регулируется с помощью батареи смещения выполняющей как бы роль клапана. Кроме того, согласно законал квантовой механики при туннельном переходе электрон не расходуе. [59]
 |
Схемы с обычной и дополнительной симметрией. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5