Эмиттерная навеска

Cтраница 2

В лунку вкладывают две навески: эмиттерную и базовую ( рис. 2.53, г) Эмиттерная состоит из сплава In Ga Sb, а базовая - из сплава Pb Sb. Во время вплавления из эмиттерной навески происходит диффузия сурьмы, а индий и галлий при рекристаллизации дают р-область эмиттера. [16]

Сплавной диффузионный триод. а - схема триодной структуры. 6-вывод базы в виде зонда. в - вывод базы через соединительный слой. 1-эмнттер-ная навеска. 2 - рекристаллизованная р-область ( эмиттер. 3 - диффузионная область базы. 4 - исходный материал ( коллектор. 5 -вывод базы. 6 - вывод коллектора. 7 - соединительный слой. [17]

При этом диффузия примесей производится из эмиттер-ной навески, находящейся в расплавленном состоянии. Для этого в состав сплава эмиттерной навески вводятся элементы III и V групп. [18]

Эмиттерная навеска, состоящая из сплава ( In Ga Sb), располагается с одной стороны продолговатой лунки, базовая навеска, состоящая из сплава ( Pb Sb) - с другой стороны лунки. Во время вплавления сурьма из эмиттерной навески диффундирует в базовую область, создавая неравномерное распределение примеси, а вплавление индия и галлия ведет к образованию эмиттерной области, обладающей дырочной проводимостью. Расплавление базовой навески ведет к образованию невыпрямляющего контакта с базовой областью. [19]

Конфигурации переходов мощных сплавных транзисторов. [20]

Технологически конверсионные транзисторы напоминают сплав-но-диффузионные. Медь отличается высоким коэффициентом диффузии в германии, благодаря этому при вплавлении эмиттера происходит диффузия меди из германия в эмиттерную навеску. Такой метод позволяет получать тонкие базовые слои большой площади, а следовательно, изготовлять мощные высокочастотные транзисторы. [21]

Для изготовления сплавно-диффузионного транзистора на основе германия р-типа в эмиттерную навеску вводится сурьма, имеющая большой коэффициент диффузии, и индий, у которого коэффициент диффузии мал. При вплавлении такой навески сурьма диффундирует из нее на довольно большую глубину, а индий - на малую. Из-за разных растворимостей концентрация индия в рекристалли-зованной области оказывается много большей, чем сурьмы. Таким образом образуется распределение примесей, близкое к идеальному для дрейфового транзистора. При такой технологии требования к состоянию поверхности исходной пластинки значительно ниже, чем при чисто диффузионной, так как эмиттерная навеска проплавляет пластинку полупроводника на некоторую глубину и диффузия происходит в места, не нарушенные поверхностной обработкой. [22]

Страницы: 1 2