Накопление - положительный заряд
Cтраница 1
Накопление положительного заряда приводит к образованию инверсионных слоев. Для транзисторов типа п-р - п такие слои образуются в области базы, так как положительный заряд накапливается вблизи коллектора. [1]
 |
Схематическое изображение энергетических зон в порошкообразном CdS с барьерами между частицами в отсутствие внешнего напряжения ( а и с приложенным напряжением ( б. [2] |
Поскольку накопление положительного заряда вблизи барьера, уменьшающее его высоту, объясняет такие особые свойства слоев, как зависимость чувствительности от напряжения поляризации, запаздывание фотоответа, связанное с напряжением, гистерезис и другие эффекты, рассмотрим этот процесс несколько подробнее. Барьеры возникают вследствие наличия межкристаллических областей, которые по своим свойствам отличаются от объемных свойств кристаллитов. Это вызывает уменьшение высоты барьера и, следовательно, увеличение тока, проходящего ме жду частицами, которые сами по себе обладают относительно высокой проводимостью. [3]
Одновременно с накоплением положительного заряда на поверхности верхнего провода линии происходит накопление отрицательного заряда на поверхности нижнего провода. [4]
Одновременно с накоплением положительного заряда на поверхности верхнего провода линии происходит накопление отрицательного заряда на поверхности нижнего провода. Распространение отрицательного заряда вдоль нижнего провода слева направо связано с электрическим током в нижнем проводе, направленным в противоположную сгорону т.е. справа налево. [5]
На поверхности верхнего провода происходит накопление положительного заряда и левее сечения тп заряд на единицу длины qoCaU0, а правее равен нулю. При этом отрезок линии dx получит заряд dq qodx CoU0dx, который должен пройти по верхнему проводу через сечение тп и через любое сечение верхнего провода левее тп. [6]
 |
Изменение сопротивления пленочных резисторов в зависимости от их конструкции при облучении потоком быстрых нейтронов, равным 2 - Ю17 нейтронов / см2. [7] |
ИМ, в результате облучений Преобладает накопление положительного заряда. Это приводит к1 изменению поверхностной концентрации носителей заряда, образование поверхностных проводящих каналов, появлению поверхностного тока утечки и уменьшению пробивного напряжения. [8]
МДП-структуре Si - SiO2 - ФСС-А1 обусловлена накоплением положительного заряда в пленке двуокиси кремния. [9]
Пусть на малом участке проводящей поверхности в данный момент происходит накопление положительных зарядов; поверхностная плотность заряда сг увеличивается. Если ток, приносящий заряды, течет при этом в положительном направлении оси х и доставляет положительные заряды, то его величина несколько уменьшится после прохождения рассматриваемого малого участка поверхности, поскольку некоторый положительный заряд будет здесь оставлен. [10]
 |
Конструкция и распределение потенциала между электродами. [11] |
Когда такая ловушка имеет место, даже при больших разрежениях возможно накопление положительного заряда ионов, достаточного для компенсации электронного объемного заряда, исчезновения минимума потенциала и возникновения динатронного эффекта, искажающего характеристики. Кроме того, накопление ионов создает значительный уровень дополнительных шумов, определяемых колебаниями в возникающей ионно-электрон-ной плазме. [12]
 |
Схематическое изображение рас - Факсаравынчй. Кпион. [13] |
Поток катионов в раствор, а анионов в мембрану приводит к накоплению положительного заряда в растворе и отрицательного - в мембране. Поэтому первые диффундирующие ионы обусловливают разницу потенциалов между двумя фазами. [14]
 |
Сравнение цэкв и щ. для воздуха при нормальных атмосферных условиях. [15] |
Страницы: 1 2 3