Cтраница 1
Накопление отрицательного заряда на затворе, повышающее пороговое напряжение транзистора, происходит вследствие инжекции электронов сквозь слой оксида кремния 2 при лавинном пробое стокового р-п-перехода. Стирание информации производится облучением структуры ультрафиолетовыми лучами 3 ( или другими видами ионизирующих излучений), в результате чего накопленный на затворе заряд рассасывается. Возможна и электрическая перезапись ( как в МНОП-структурах) при помощи дополнительного электрода, размещенного над плавающим затвором. [1]
Схемы двойного электрического слоя. [2] |
По мере накопления отрицательных зарядов на поверхности металла число катионов, переходящих в раствор в единицу времени, уменьшается, а число катионов, освобождающихся из раствора, увеличивается. [3]
По мере накопления отрицательных зарядов на поверхности металла число катионов, переходящих в раствор в единицу времени, уменьшается, а число катионов, освобождающихся из раствора, увеличивается, так как первый процесс с накоплением на металле отрицательных зарядов затрудняется, а второй процесс облегчается. [4]
По мере накопления отрицательных зарядов на поверхности металла число катионов, переходящих в раствор в единицу времени, уменьшается, а число катионов, освобождающихся из раствора, увеличивается. [5]
Диссоциация же полисопряженного полиэлектролита благодаря накоплению отрицательного заряда на функциональных группах и его перераспределению по цепи сопряжения сопровождается обратными явлениями. [6]
Одновременно на поверхности другого провода происходит накопление отрицательного заряда. [7]
Одновременно с накоплением положительного заряда на поверхности верхнего провода линии происходит накопление отрицательного заряда на поверхности нижнего провода. Распространение отрицательного заряда вдоль нижнего провода слева направо связано с электрическим током в нижнем проводе, направленным в противоположную сгорону т.е. справа налево. [8]
Одновременно с накоплением положительного заряда на поверхности верхнего провода линии происходит накопление отрицательного заряда на поверхности нижнего провода. [9]
Занятые МО D3h и C4v структур молекулы PHs, полученные по РМХ. Относительные размеры окружностей соответствуют величинам соответствующих коэффициентов при АО в МО. [10] |
Коэффициенты при АО аксиальных лигандов больше коэффициентов АО экваториальных лигандов, это обеспечивает накопление отрицательного заряда на аксиальных атомах, а большая разрыхленность аксиальных связей обусловливается наличием верхней занятой 2а МО, которая для аксиальных направлений является разрыхляющей, а для экваториальных - связывающей. [11]
Потенциалоскоп с видимым изображением потенциального рельефа. [12] |
При этом потенциал диэлектрика также повысится на величину приложенного напряжения, но под действием пучка электронов всспроизводящего прожектора на нем произойдет накопление дополнительного отрицательного заряда и после выключения кнопки ( снятия положительного сигнала с подложки сетки-мишени) потенциал мишени окажется меньшим потенциала катода на величину поданного напряжения. [13]
Выше других расположена кривая, снятая в щелочном электролите, поскольку, как известно, ионизация кислорода при высоких значениях рН облегчается накоплением отрицательного заряда в двойном электрическом слое. Промежуточное положение между кривыми, снятыми в щелочном и кислом электролитах, занимает кривая 1, снятая на электроде, контактируемом с ионообменной мембраной. [14]
Схема катодной защиты заземленного резервуара. [15] |