Cтраница 3
Телков рассматривал задачу, аналогичную [81], при наличии анизотропии, непроницаемого экрана и взаимодействия скважин и показал, что с увеличением коэффициента анизотропии фильтрационное сопротивление увеличивается. [31]
Более сложным является вопрос о роли V при наличии анизотропии. Однако связь между этими тензорами неизвестна. [32]
Если постоянное поле Н приложено в произвольном направлении - при наличии анизотропии, то анализ сигналов ДЭЯР при возбуждении образца поляризованным по кругу осциллирующим полем с частотой ядерного перехода является чрезвычайно громоздким и лишенным смысла, поскольку ( § 2) точные Измерения проводятся обычно при ориентации поля Н вдоль главной оси кристалла. [33]
Теоретические расчеты подтверждают возможность более высоких значений поверхностной амплитуды колебаний н наличие анизотропии. Поверхностные атомы кристаллов элементарных веществ ( алмаз, аргон) приобретают отличный от нуля динамический эффективный заряд. Это явление вызывает изменение спектра поглощения и может обнаруживаться по поверхностным колебаниям акустического и оптического типов в тонких пленках подобных кристаллов. [34]
В другой теоретической работе Эпштейн [15] подчеркнул, что Коккони и Салпитер учитывают наличие анизотропии лишь в члене кинетической энергии. Эпштейн указал, что возможно обобщение, при котором учитывается и анизотропия в члене потенциальной энергии, и тогда при некоторых условиях эти эффекты анизотропии будут полностью взаимно уничтожаться. Он утверждает, что в члене потенциальной энергии должна быть анизотропия, поскольку электромагнитный потенциал предполагает обмен фотонами, а полю фотонов также нужно приписать анизотропные свойства. Теоретическая интерпретация, данная Дикке и Эпштейном, согласуется с той точкой зрения, что отрицательный результат экспериментов подтверждает универсальный ( в соответствии с принципом Маха) характер масс-анизотропии, одинаковой для всех частиц и полей. [35]
Разная скорость окисления поверхностей образцов, имеющих разную кристаллографическую ориентацию зерен, говорит о наличии анизотропии диффузии кремния в решетке силицида, приводящей и к анизотропии окисления при малых толщинах окисной пленки. Меньшая скорость окисления при текстуре [001] перпендикулярно поверхности по сравнению с [100] указывает на более быструю диффузию кремния в направлении [100], протекающую по узлам собственной подрешетки. [36]
Магнитное обменное взаимодействие, в которое, как мы видели, входит составляющая, обусловленная наличием анизотропии, может благоприятствовать ориентации пар атомов в сплавах в направлении магнитного поля, приложенного во время термической обработки. Такой тип процессов при термомагнитной обработке назван направленным упорядочением. Направленное упорядочение наилучшим образом иллюстрирует фиг. АВ, АА и ВВ не зависит от присутствия магнитного поля, тогда как анизотропия в направлении поля может быть изменена: вдоль направления поля будет ориентировано больше одинаковых пар, чем в перпендикулярном направлении. Этот вид упорядочения, создаваемый отжигом при подходящей температуре ниже точки Кюри материала, имеет место внутри доменов вещества, так что в каждом домене на обычную магнитную кристаллографическую анизотропию накладывается одноосная анизотропия вследствие магнитного упорядочения. [37]
Магнитное обменное взаимодействие, в которое, как мы видели, входит составляющая, обусловленная наличием анизотропии, может благоприятствовать ориентации пар атомов в сплавах в направлении магнитного поля, приложенного во время термической обработки. Такой тип процессов при термомагнитной обработке назван направленным упорядочением. Направленное упорядочение наилучшим образом иллюстрирует фиг. АВ, АА и ВВ не зависит от присутствия магнитного поля, тогда как анизотропия в направлении поля может быть изменена: вдоль направления поля будет ориентировано больше одинаковых пар, чем в перпендикулярном направлении. Этот вид упорядочения, создаваемый отжигом при подходящей температуре ниже точки Кюри материала, имеет место внутри доменов вещества, так чх в каждом домене на обычную магнитную кристаллографическую анизотропию накладывается одноосная анизотропия вследствие магнитного упорядочения. [38]
Отсутствие других теоретических и экспериментальных исследований не позволяет оценить достоверность этих работ, особенно при наличии анизотропии пластов. [39]
Некоторые из примеров решенных задач, приведенных в § 3.10, достаточно сложны; несмотря на наличие анизотропии, зональной неоднородности, смешанных граничных условий и даже ( в разд. МГЭ, являются весьма удовлетворительными с точки зрения как точности, так и вычислительных затрат. [40]
Наконец, высокая абсолютная чувствительность, а также высокая чувствительность к угловой ориентации парамагнитного центра при наличии анизотропии - фактора делают метод ЭПР в сильных полях перспективным для томографии ( зойгматографии) малых объектов. [41]
Установлено, что при соблюдении оптимальных параметров контроля и процедуры его проведения основная причина пропуска дефекта - наличие заметной анизотропии упругих свойств основного материала, влияющей на скорость, затухание и на отклонение от прямолинейности распространения ультразвукового пучка. [42]
Очевидно, условия (42.3) и (42.4) совместимы лишь при У; 2уг, что свидетельствует либо о наличии анизотропии поверхностного натяжения, либо о том, что поверхностное натяжение, будучи изотропным, равно нулю. Эти две возможности образуют и два подхода к построению теории. Казалось бы, требование изотропии поверхностного натяжения возникает из того факта, что в двумерном смысле поверхность мицеллы жидкая. Но в направлениях ст и г кривизна поверхности сильно различается, что может быть причиной анизотропии у. Если учесть возникающую при этом анизотропию химического потенциала, то не создается каких-либо термодинамических противоречий в картине механически анизотропной, хотя и жидкой поверхности. [43]
Тождество результатов опытов а) и б) исключает простое объяснение асимметрии двух пиков в рамках квадруполь-ного расщепления наличием анизотропии и потому существованием определенной ориентации образца относительно пучка гамма-квантов. Изменение же спектров от б) к в) и затем к г) исключает объяснение асимметрии тривиальным наложением двух синглетных линий с разными химическими сдвигами. Таким образом, излагаемые результаты позволяют отказаться от необходимости интерпретации асимметричного дублетного расщепления как наложения двух разных химических сдвигов - интерпретации, приводившей, как мы видели хотя бы на примере РеС13 - 6Н2О, к явным недоразумениям. [44]
На наш взгляд, одно из возможных объяснений влияния скорости охлаждения и величины пересыщения на степень неизоме-тричности при наличии анизотропии связей в структуре может дать термодинамический подход. [45]