Напряжение - прямое смещение
Cтраница 1
Напряжение прямого смещения, приложенное к р-п-пере-ходу, снижает потенциальный барьер и позволяет множеству дырок продиф-фундйровать через тгереход, благодаря чему концентрация неосновных носителей рп в n - области возрастает. Аналогично много электронов диффундирует при этом из п-области через барьер в р-область, так что концентрация пр неосновных носителей в р-области перехода возрастает. Как следует из формул (1.68) и (1.69), если к переходу приложено напряжение обратного смещения ( показатель экспоненты отрицателен), то концентрация неосновных носителей вблизи перехода становится меньше величины, соответствующей состоянию теплового равновесия. Если же приложено внешнее напряжение прямого смещения, то неосновные носители инжектируются через р - - переход, диффундируют от перехода и рекомбинируют с основными носителями, которые поставляются омическим контактом в количестве, необходимом для компенсации заряда инжектированных неосновных носителей. [1]
Пр - напряжение прямого смещения; / пр - прямой ток; Т - интервал допустимых температур; М - число светодиодов ( сегментов); Ъ - ширина светящегося столба; у - неравномерность светового потока. [2]
Предположим теперь, что напряжение прямого смещения увеличивается. Сопротивление рп-пе-рехода при этом резко уменьшается. В этом случае проявляется объемное сопротивление полупроводникового кристалла. Большая часть падения напряжения приходится на объем полупроводника, а напряжение, приходящееся на рп-переход, не превышает величины Уь - При дальнейшем увеличении тока напряжение на pn - переходе уже составит VVa-IR, где R - сопротивление, соединенное последовательно с pn - переходом, Va - внешнее приложенное напряжение. Это напряжение V и следует использовать в выражении (3.21) при большом уровне ин-жекции. [3]
Уэ и UK понимаются напряжения прямых смещений переходов. [4]
Пороговое напряжение мало отличается от напряжения прямого смещения эмиттерного перехода в статическом режиме БЭиг1С, последнее можно использовать в этой формуле для приближенной оценки времени задержки. [5]
 |
Упрощенная нелинейная модель биполярного транзистора. [6] |
Статическая схема замещения транзистора в упрощенной модели Эберса - Молла имеет вид, показанный на рис. 2.9. Определим для этой схемы аналитические выражения, связывающие токи и напряжения электродов в статическом режиме, и будем считать, что положительными значениями токов и напряжений являются те, направления которых соответствуют режиму насыщения: токи, втекающие в базу и коллектор; вытекающий ток эмиттера; напряжения прямых смещений переходов. Принятое положение объясняется тем, что анализ режима насыщения с помощью нелинейной модели наиболее важен. [7]
Здесь конденсатор Сх не пропускает постоянной составляющей входного сигнала, но имеет малое реактивное сопротивление для его переменной составляющей, которая таким образом поступает на резистор R2 - ( Это так называемая RC-связь; более подробно она описана в разд. Напряжение прямого смещения базы поступает с делителя напряжения R - R2, который подключен к источнику питания. При этом в транзисторе п - р - п-типа потенциал базы устанавливают более положительным, чем эмиттер. Коллекторный резистор, на котором образуется выходной сигнал, обычно называют резистором нагрузки и обозначают Кн. Через разделительный конденсатор С3 сигнал поступает на следующий каскад. [8]
Полупроводниковые диоды не пригодны для выпрямления малых сигналов. Это обусловлено тем, что для появления проводимости кремниевым диодам требуется напряжение прямого смещения около 0 7 В, а германиевым - около 0 3 В. Если диод включить на выходе ОУ, то пороговые напряжения диодов будут уменьшены в Ку. [9]
 |
Микромощный импульсный стабилизатор. [10] |
На управляемом переходном транзисторе 2N6028 собран релаксационный генератор. Он не проводит ток, пока напряжение на управляющем электроде не превысит напряжения прямого смещения р - - перехода, а тогда он переходит в проводящее состояние, пропуская большой ток от анода к катоду и разряжая конденсатор. [11]
Выпрямитель - это устройство, которое преобразует переменный ток в постоянный. Диод является универсальным прибором для осуществления такого преобразования. При напряжении прямого смещения диод обладает практически нулевым сопротивлением, не зависящим от величины тока. [12]
Выпрямитель - - это устройство, которое преобразует переменный ток в постоянный. Диод является универсальным прибором для осуществления такого преобразования. При напряжении прямого смещения диод обладает практически нулевым сопротивлением, не зависящим от величины тока. [13]
В n - p - п транзисторе ток базы состоит из дырок, приходящих из внешнего электрода базы для рекомбинации с электронами. Ток базы образован основными носителями заряда - дырками в р-базе - и имеет дрейфовый характер, поэтому в базовой области имеется некоторое электрическое поле Еу, направленное по оси у. Поле Еу является причиной увеличения потенциала базы к краю эмиттера. Явление увеличения напряжения прямого смещения база - эмиттер и плотности тока инжекции электронов к краю эмиттера носит название эффекта оттеснения тока эмиттера. Учет и оценка этого явления будут приведены ниже. [14]
При применении п-р - n - транзистора оба импульса, подаваемых на транзистор Tt, должны иметь положительную полярность. Это обусловлено тем, что движок переменного резистора ( потенциометра) Rl устанавливается таким образом, что при отсутствии входных сигналов транзистор TJ заперт. Поскольку к коллектору транзистора не подводится постоянного напряжения для создания отрицательного обратного смещения его коллекторного перехода, необходимого для нормальной работы открытого транзистора, импульс, подаваемый на коллектор, должен иметь положительную полярность. Аналогично этому, если при наличии напряжения прямого смещения, снимаемого с резистора Rt, транзистор все же остается закрытым, то для его отпирания на базу транзистора следует подать сигнал положительной полярности. Следовательно, для отпирания транзистора Ti оба положительных импульса, подаваемых на транзистор, должны поступать одновременно. [15]
Страницы: 1 2