Напряжение - базовое смещение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Скупой платит дважды, тупой платит трижды. Лох платит всю жизнь. Законы Мерфи (еще...)

Напряжение - базовое смещение

Cтраница 2


При линейной аппроксимации характеристик транзистора ( см. § 8.1) характеристика управления такого усилителя при отсутствии нагрузки показана на рис. 15.1 6 жирными линиями. В отличие от характеристики икэ: икэ ( еу) простейшего однокаскадного усилителя ( рис. 8.4) она будет смещена влево относительно начала координат на величину падения напряжения щ на резисторе RI, вызванного напряжением базового смещения EQ.  [16]

На транзисторах Т3, Т4 выполнен управляемый мультивибратор, который генерирует импульсы запуска четырехканаль-ного шифратора. На транзисторах Г5 - Та выполнен многофазный мультивибратор, транзисторы которого в исходном положении находятся в открытом состоянии. Такой режим их работы устанавливается выбором напряжения базового смещения. Прямоугольный импульс положительной полярности снимается с части коллекторной нагрузки транзистора Tt и своим задним фронтом меняет полярность на обкладках конденсатора С. Ть закрывается отрицательным, потенциалом. Время нахождения транзистора в закрытом состоянии определяется емкостью конденсатора С7 и положением движка потенциометра Rn. Изменяя положение движка потенциометра Ru, можно менять постоянную времени перезаряда конденсатора CV и время нахождения транзистора Т5 в закрытом состоянии.  [17]



Страницы:      1    2