Напряжение - сток
Cтраница 3
Для МОП-транзисторов при уменьшении длины канала увеличивается зависимость порогового напряжения от напряжения стока и возникает так называемый эффект смыкания. Кроме того, при сужении области истока уменьшается коэффициент усиления в результате увеличения сопротивления этой области. Для длины канала 0 25 мкм временная задержка на один вентиль с коэффициентом разветвления по выходу 1 составляет 70 пс при произведении временная задержка - мощность 5 фДж, а при 40 фДж задержка уменьшается до 30 пс. [31]
На втором участке вольт-амперной характеристики ток стока почти не растет при увеличении напряжения стока. Эта область напряжений стока соответствует насыщению или перекрытию канала. В результате автоматически устанавливается некоторая малая ширина канала. [32]
 |
Конструкция тонкопленочного транзистора. [33] |
На рис. 10.9 для одного из экспериментальных образцов показана зависимость тока стока от напряжения стока при различных величинах положительного смещения на затворе. При увеличении положительного смещения на затворе ток стока возрастает, поэтому такой режим работы называют обогащенным. При изменении полярности на затворе транзистор может работать1 в режиме обеднения. При работе в режиме обеднения максимальный ток стока наблюдается при нулевом смещении. [34]
Интегральные МДП-транзисторы имеют следующие значения параметров: ток стока до 10 мА, напряжение стока до 30 В, входное сопротивление - десятки МОм, предельная частота - сотни МГц. Таким образом, интегральные МДП-транзисторы являются сравнительно низкочастотными элементами, что обусловлено большими межэлектродными емкостями. [35]
Подвижные носители заряда перемещаются вдоль поверхности полупроводника под действием продольного поля Ех, созданного напряжением стока. [36]
Семейство этих характеристик расходится узким пучком вследствие малой зависимости тока стока на рабочем участке от напряжения стока. [37]
Си причем изменения напряжений затвора и стока противоположны: при повышении напряжения затвора возрастает ток стока и напряжение стока снижается, а при уменьшении напряжения затвора напряжение стока увеличивается. Однакс вследствие очень малого влияния напряжения стока на ток стока ( высокое внутреннее сопротивление Ri) передаточная характеристике транзистора при наличии нагрузки остается практически такой же. [38]
Величина выходной проводимости у полевого транзистора очень мала, она обусловлена изменением эффективной длины канала при изменении напряжения стока. [39]
Мощные полевые транзисторы имеют короткие каналы, обеспечивающие насыщение скорости носителей благодаря сильному электрическому полю, создаваемому напряжением стока. Поскольку силовая крутизна S пропорциональна скорости движения носителей заряда, в области малых токов наблюдается ее рост с увеличением выходного тока. Затем наступает насыщение крутизны, при котором смещение в цепи затвора и увеличение тока стока не вызывают дальнейшего роста параметра S. Данное свойство обеспечивает устойчивость полевых транзисторов к токовым перегрузкам по сравнению с биполярными аналогами. [40]
Если напряжение стока превышает напряжение насыщения, то ток стока при фиксированном значении напряжения затвора перестает зависеть от напряжения стока. [41]
Таким образом, подставив соотношения (3.10) и (3.11) в (3.9), получим зависимость тока стока / с от напряжения стока Uc и затвора f / з, которая справедлива только при U3 - Uc Uaop. При Ua - - t / c С / пор канал около стока находится в режиме отсечки и использовавшиеся пределы интегрирования не будут верны. [42]
Заметим, что плавное приближение справедливо только для линейной области вольт-амперной характеристики при малых значениях Vd - При повышении напряжения стока VD обедненный слой со стороны стока расширяется и наступает режим отсечки в канале аналогично МОП-транзистору. [43]
Выходная проводимость характеризует влияние напряжения стока на ток стока; численно она равна величине изменения тока стока ( в микроамперах) при изменении напряжения стока на 1 В. [44]
 |
Статические характеристики МДП-транзистора.| Структура канала и области объемного заряда МДП-транзистора. [45] |
Страницы: 1 2 3 4