Напряжение - считывание
Cтраница 1
 |
Четырехтактный сдвигающий регистр на магнитно-диодных дроссельных элементах. [1] |
Напряжение считывания в приведенной схеме создается с помощью стабилитронов, включенных параллельно цепям связи групп сердечников. [2]
Если к затвору МНОП-транзистора подвести напряжение считывания Ua 10 В, то пороговое напряжение транзистора не изменится, а его значение, определенное по началу проводимости в цепи исток - сток, характеризует состояние логических нуля или единицы. [3]
При считывании записанной информации шина управления ШУ заземляется и к выбранной числовой шине прикладывается напряжение считывания, которое близко к среднему арифметическому двух пороговых напряжений и лежит в диапазоне 6 - 8 В. Выходной потенциал на разрядных шинах ШР характеризует считываемую информацию. [4]
 |
Режимы эксплуатации прибора с зарядовой связью. [5] |
Затвор 3 работает при этом в режиме считывания информации, а напряжение 1 / з называют напряжением считывания. [6]
В, то ЗЭ, в котором была предварительно записана 1 ( Unop015B) перейдет в состояние проводимости, Если же ранее был записан О ( иПорнЗВ), при подаче напряжения считывания ЗЭ остается закрытым. [7]
 |
Структура запоминающего л - МНОП-транзистора и п - МОП-транзистора выборки. [8] |
Считывают информацию, прикладывая к затвору напряжение, значение которого находится между пороговыми напряжениями низко - и высокоомного состояния. Напряжение считывания составляет обычно около 5 В, а время считывания - 100 не. Время хранения информации в МНОП-транзисторах достигает 10 лет. Для матриц на основе МНОП-транзисторов характерно очень большое допустимое число циклов запись / стирание, существенно большее, чем для матриц на МОП-транзисторах с плавающим затвором. На рис. 4.5 показан фрагмент ПЛМ на основе запоминающих МНОП-транзисторов и обычных управляющих и нагрузочных МОП-транзисторов. [9]
Считывают информацию, прикладывая к затвору напряжение, значение которого находится между пороговыми напряжениями низко - и вы-сокоомного состояния. Напряжение считывания составляет обычно около 5 В, а время считывания - 100 не. Время хранения информации в МНОП-транзисторах достигает 10 лет. Для матриц на основе МНОП-транзисто-ров характерно очень большое допустимое число циклов запись / стирание, существенно большее, чем для матриц на МОП-транзисторах с плавающим затвором. [10]
Основная трудность, возникающая при создании подобных схем, обусловлена весьма малыми напряжениями считывания ( единицы милливольт), что требует создания низкоомных петель связи, обладающих хорошим коэффициентом связи с пленкой. Задача усложняется еще и тем, что из-за несовершенной технологии существует большой разброс напряжения считывания. [11]
 |
Вольт-амперная характеристика запоминающего элемента на МНОП-транзисто-рах. [12] |
В, то ЗЭ, в котором была предварительно записана 1 ( Unop в 15 В) перейдет в состояние проводимости. Если же ранее был записан О ( и орн ЗВ), при подаче напряжения считывания ЗЭ остается закрытым. [13]
 |
Принцип действия ЗУ на ферритовых сердечниках. а - петля гистерезиса. L. О - точки остаточной намагниченности. б - нанизываемый кольцевой сердечник. [14] |
Необходимое магнитное насыщение достигается только тогда, когда одновременно производится возбуждение строки и столбца. Если при хранении изменяется магнитное состояние, то при изменении намагничивающей силы в считывающем проводнике возникает напряжение считывания. На рис. 3.11 представлен принцип действия запоминающего устройства на ферритовых сердечниках. При считывании происходит стирание хранимой информации. Чтобы сохранить ее, необходимо сразу же после считывания вновь записать данную информацию. [15]
Страницы: 1 2