Обратное напряжение - смещение
Cтраница 3
Усилитель, в котором устанавливаемая величина обратного напряжения смещения значительно ниже напряжения отсечки. В таком усилителе для компенсации запирающего смещения и ввода транзистора в состояние проводимости входной сигнал должен иметь значительную амплитуду. Обычно проводящее состояние имеет место только в течение части полупериода входного сигнала определенной полярности. [31]
При интерпретации результатов измерений вольт-фарадных характеристик необходимо учитывать зависимость измеряемых значений емкости от формы перехода. Коэффициент увеличения площади перехода уменьшается при повышении обратного напряжения смещения вследствие сглаживания области объемного заряда. К аналогичному эффекту приводит и продолжительная термообработка [15, 20], в процессе которой увеличивается толщина компенсированного слоя CdS. При больших значениях коэффициента увеличения площади перехода угол наклона зависимости С-2 от V увеличивается, и после термообработки элементов данная зависимость смещается в сторону высоких значений величины С-2 в большей степени, чем в случае планарного перехода. Следовательно, значение концентрации легирующей примеси, найденное по результатам емкостных измерений, оказывается заниженным, а коэффициент диффузии меди - завышенным по сравнению с их действительными значениями. Отклонение профиля распределения пространственного заряда от прямоугольного также приводит к изменению зависимости С-2 от V [15], Пфистерер [15] подчеркивает, что определение концентрации легирующей примеси, исходя из зависимости С-2 от V, оказывается невозможным в двух случаях: при сложной форме перехода и непрямоугольном профиле распределения пространственного заряда. [32]
Когда входной сигнал подается на базу, напряжение сигнала модулирует потенциал базовой области и, следовательно, модулирует потенциальный барьер эмиттерного перехода. На коллекторный переход от источника коллекторного напряжения подается обратное напряжение смещения до состояния Насыщения, и, следовательно, на коллекторный переход существенно не влияет напряжение малого сигнала. [33]
Определить: а) какой ток будет протекать при обратном напряжении смещения затвор - исток, равном 2 В; б) чему равна крутизна и максимальная крутизна в этом случае. [34]
Выигрыш в быстродействии, даваемый лавинным режимом работы, в диффузионно-сплавных транзисторах существенно меньше, чем в сплавных. Действительно, из сравнения рис. 4 и 6 видно, что при малых обратных напряжениях смещения ( 1 - 1 / М 0 7) в диффузионно-сплавных транзисторах левая граница запирающего слоя zn смещается в большей степени, чем в сплавных, а это означает более резкий спад граничной частоты / г с током. При больших же обратных напряжениях смещения ( 1 - 1 / М - 0 7) zn смещается в большей степени в сплавных транзисторах, что означает более резкое увеличение т с током. Более того, как уже отмечалось, реально в диффузионно-сплавных транзисторах при больших напряжениях смещения может иметь место даже уменьшение 1т с ростом тока. [35]
 |
Конструк - [ IMAGE ] - 103. Характеристика [ IMAGE ] - 104. Конфигурация полевого транзистора ция канального тран - канального транзистора. с изолированным затвором и каналом п-типа. эистора. [36] |
На стерженьке имеется шейка, в которой путем вплавления индия создан охватывающий все сечение кольцевой р-п переход. Стержень включается в выходную цепь, а на р-п переход при помощи батареи Ес подается обратное напряжение смещения и к нему же подводится усиливаемый сигнал. Действующее сечение канала внутри шейки, по которому проходят электроны от катода к аноду, получается меньше ее геометрического сечения, так как электроны не могут проникнуть в обедненную область объемного заряда р-п перехода. Ввиду зависимости толщины объемного заряда от напряжения на р-п переходе сечение открытого для электронов канала, а вместе с ним и сопротивление стержня изменяются под действием переменной составляющей напряжения в цепи р-п перехода. [37]
Дополнительные составляющие обратного тока возникают вследствие влияния различных объемных и поверхностных дефектов. Эти составляющие обычно называют током утечки, причем считают, что он линейно зависит от приложенного обратного напряжения смещения. При повышении температуры быстрее других составляющих возрастает ток насыщения Is, который в конечном счете становится преобладающим над всеми остальными составляющими обратного тока. [38]
Вентильную схему строят, используя свойства однополюсного транзистора. Запирающее сопротивление между точками 1 и 2 ( рис. 185, г) достаточно велико, если к элементу приложено большое обратное напряжение смещения. При нулевом смещении запирающее сопротивление мало. При подаче сигнала смещения на один из электродов Сь G2 или G3 схема между точками / и 2 открывается. [39]
Для некоторых целей желательно получать чувствительные объемы, большие, чем это может быть достигнуто в детекторах с диффузионным переходом. Задача состоит в том, чтобы обеспечить диффузию лития в кремний при повышенной температуре ( 120 - 150) и при обратном напряжении смещения. При этих условиях подвижность ионов Li велика, и под действием приложенного напряжения смещения они дрейфуют к отрицательному электроду. Если достигается почти полная компенсация акцептора донором ( литий), то создаваемый ионами Li ( и электронами) ток может практически стать равным нулю; таким способом были получены удельные сопротивления 105 ом / см, и в такого рода детекторах, полученных дрейфом Li при сравнительно умеренных напряжениях смещения, легко обеспечиваются распределенные по области компенсации обедненные слои толщиной в несколько миллиметров. Соотношение ( 1) неприменимо к таким детекторам. Детекторы из насыщенного литием германия особенно интересны для регистрации у-квантов. [40]
Следует обратить внимание на то, что наличие сопротивления базы не позволяет осуществить режим короткого замыкания, поэтому яри измерении первичных фототоков нужно задавать одновременно на оба перехода обратные напряжения смещения. [41]
Следует обратить внимание на то, что наличие сопротивления базы не позволяет осуществить режим короткого замыкания, поэтому при измерении первичных фототоков нужно задавать одновременно на оба перехода обратные напряжения смещения. [42]
 |
Единичный элемент объема. [43] |
Смысл третьего предположения заключается в том, что в области перехода можно пренебречь рекомбинацией. Позднее будет показано, что ширина запирающего слоя пропорциональна квадратному или кубическому корню ( в зависимости от того, какой имеем переход - резкий или плавный) либо некоторой другой функции обратного напряжения смещения. Ожидается, что при большем обратном напряжении запирающий слой будет достаточно широким. [44]
 |
Вольт-кулоновая характеристика конденсатора с сегнетоэлектриком. [45] |
Страницы: 1 2 3 4