Напыление - пленка
Cтраница 1
Напыление пленки из полиамидов применяется в основном в подшипниках приводных и распределительных механизмов паровозов ( фиг. [1]
Напыление пленки хрома производится в высоком вакууме ( до 1 10 6 мм рт. ст.) при скорости напыления 5 - 10 А / с предпочтительно с использованием планетарного вращения подложек для получения равномерной по толщине пленки и подавления роста крупных кристаллов. [2]
Напыление пленок окиси цинка гораздо труднее из-за того, что давления паров компонент сильно отличаются друг от друга. [3]
 |
Зависимость длины сво. [4] |
Когда напыление пленок происходит при высоком вакууме, атомы испаряемого вещества летят независимо друг от друга по прямым линиям без взаимных столкновений ч столкновений с молекулами остаточных газов вплоть до конденсации на поверхности стенок сосуда. На противоположной к маске стенке образуется четкое изображение маски, на закрытых частях которой полностью отсутствуют конденсированные частички пара. Изображение маски в точности соответствует ее геометрической тени, которая могла бы быть получена в том случае, если испаритель заменить точечным источником света. [5]
Для напыления пленок термическим испарением в вакууме, в основном, применяются следующие два метода: напыление в прямом пучке и напыление в квазизамкнутом объеме. При напылении в квазизамкнутом объеме [7] прямого пути от источника до подложки нет, и средняя длина свободного пробега кала по сравнению с расстоянием испаритель - подложка, в результате поток испаренных частиц теряет свою направленность. [6]
Для напыления сверхпроводящих пленок ( в основном из олова и свинца) можно применять испаритель, представляющий собой изотермический тигель с радиационным нагревом от танталовых ленточных нагревателей. Тигель ( рис. 3 - 55 в) имеет вид молибденовой ячейки с небольшим отверстием. Для получения удовлетворительной равномерности пространственного распределения плотности потока выбрана специальная форма канала с выходным отверстием, равным 2 4 мм. [7]
Время напыления пленки 10 - 20 мин. Исследование структуры напыленного слоя, про-веденнор с помощью электронного микроскопа, показало, что пленка, образуемая на поверхности замороженной пробы, имеет, по всей вероятности, равномерную толщину и плотность. Величина частиц распыленного в искровом разряде золота не превышает 0 1 - 0 2 мкм. Во время масс-спектрометрического анализа жидкостей золотая пленка обеспечивает подвод энергии к месту разряда, и одновременно с ее помощью осуществляется отвод тепла с поверхности пробы, о чем свидетельствует низкое давление паров исследуемого вещества ( 10 - 6 - 10 - 7 мм рт. ст.) в камере ионного источника при проведении эксперимента. Проводящая металлическая тонкая пленка на поверхности анализируемой жидкости обеспечивает спокойное искрение, и при наборе экспозиций ( от 5 - 10 - 5 до 300 м / с) расходуется 1 - 2 мг исследуемого вещества. Ионные токи, регистрируемые монитором, составляют около 3 - 10 - 10 а, что для сопоставимых режимов работы искрового источника в 3 - 4 раза больше их значений, обычно наблюдаемых при анализе проводящих твердых образцов. [8]
При постепенном напылении пленки становятся сплошными после достижения ими толщины более миллионных долей сантиметра. До этого они состоят из раздельных микроостровков и поэтому называются остров-ковыми, или диспергированными, пленками. Такие пленки представляют для науки особый интерес. Поскольку их островки обладают чрезвычайно малыми размерами, они становятся квантовомеханическими объектами. У них проявляются свойства, отсутствующие у толстых пленок, что открывает новые возможности их применения, особенно в связи с микроминиатюризацией. [9]
 |
Последовательность получения тонкопленочного элемента с помощью фоторезистивной маски.| Последовательность получения тонкопленочного элемента с помощью металлической маски. [10] |
Следующий этап - напыление пленки требуемого материала 3, который осаждается на открытые части подложки и маску. При опускании подложки в состав с травителем материал контактной маски растворяется и одновременно удаляется нанесенная на нем пленка напыляемого материала микросхемы. Поскольку для растворения материала контактной маски требуются слабые травители, то подложка не разрушается. Этот метод дает четкие и резкие края рисунка 4 схемы вследствие отсутствия зазора между маской и подложкой. [11]
Поскольку в процессе напыления пленки растет ее толщина, интенсивность света, проходящего через пленку, уменьшается, а отраженного увеличивается. Изменение интенсивности отраженного света фиксируется фотоэлементом, на выходе которого стоит чувствительный прибор. Этот метод применяется только для измерения толщины тонких полупрозрачных пленок. Пленки толщиной порядка 600 А и выше почти полностью поглощают свет. По этой причине этот метод для контроля толщины пленочных элементов микросхем практически не применим. [12]
Наиболее общий способ напыления пленок состоит в омическом нагревании спирали ленты. До напыления их обезгаживают продолжительным нагреванием в высоком вакууме при температуре, достаточно низкой для того, чтобы избежать заметного испарения металла, после чего температуру повышают и получают на стенках содержащего металл сосуда напыленную пленку. Нагревание окружающих стенок лучистой энергией может приводить к десорбции примесей, которые затем загрязняют пленку; этого можно избежать, применяя импульсный нагрев металла. Металлы, имеющие при температуре плавления слишком низкое давление паров, чтобы можно было достичь подходящих скоростей испарения, наматывают на тугоплавкий металл ( например, вольфрам или молибден) или испаряют из тугоплавкого тигля. Большинство напыленных пленок пористые, они имеют относительно высокие площади поверхности; чтобы избежать существенных изменений площади поверхности во время опытов, пленки необходимо до исследования прокалить для спекания при самой высокой из намеченных для последующих опытов температуре. [13]
Схема установки для лазерного напыления пленок JBio Sbi Teg, описанная в [78], показана на рис. 2.5. Давление в вакуумной камере составляет 1 - Ю 5 Тор. [14]
Схема установки для лазерного напыления пленок JBio 5Sbii6Te3, описанная в [78], показана на рис. 2.5. Давление в вакуумной камере составляет 1 - Ю 5 Тор. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5