Анализ - частотная зависимость
Cтраница 1
 |
Возможные электрические эквивалентные схемы границы электрод - электролит при анодном окислении серебряного электрода. [1] |
Анализ частотной зависимости емкостной и омической составляющих измеряемого импеданса путем сравнения с частотными зависимостями составляющих импеданса электрических схем, представленных на рис. 4, позволяет выяснить вопрос о том, какая из этих схем является эквивалентной исследуемой границе электрод - электролит. Если импеданс границы электрод - электролит компенсировать при измерениях мостовым методом параллельно включенными емкостью Сп и сопротивлением Rn, то очевидно, что для простейшей схемы III ( см. рис. 4) измеряемые Сп и R6 не должны зависеть от частоты переменного тока. [2]
Анализ частотной зависимости импеданса не вызывает больших затруднений, когда электрическая эквивалентная схема содержит небольшое количество элементов ( три-четыре), он тогда легко проводится как графически, так и аналитически. При наличии большего количества элементов анализ сильно усложняется. [3]
Анализ частотных зависимостей параметров распространения УЗ в твердых телах позволяет определить экстремальные диаметры ферми-поверхкостей и эфф. Дополнит, информация о структуре исследуемого вещества может быть получена при изменении внеш. В таких исследованиях, как правило, определяют не абс. Такой подход позволяет, напр. Аналогично при измерении относит, приращений коэфф. [4]
Из анализа частотной зависимости, представленной на рис. 38, нетрудно сделать вывод о справедливости квазиоптических принципов формирования полей в существенно распределенных неоднородностях тракта, каковыми являются двойные изломы. Для таких структур увеличение к приводит к уменьшению амплитуды осцилляции, которые сами становятся более упорядоченными, а их огибающие асимптотически приближаются к единице. Наличие волновода связи большой протяженности сильнее влияет на выходные характеристики устройств с а: 90 [149], особенно в резонансной области частот, в которой значения в зависимостях Wn ( x) имеют резкие перепады. [5]
Для анализа частотных зависимостей каскада ( рис. 4 - 1, а, б) положим вначале, что и ес, и рассмотрим процессы в анодной ( стоковой) цепи. Для этого воспользуемся эквивалентными схемами рис. 4 - 1, в и г. Условимся, что в дальнейшем анализе будем употреблять индексацию, характерную для ламповых схем, хотя все сказанное ниже в равной степени справедливо и для усилителей на полевых транзисторах. [6]
Для удобства анализа частотных зависимостей в приборах имеются частотные метки через 1 10 и 100 кГц / которые позволяют определять ширину частотной полосы объектов. [7]
Вторая и третья задачи решаются анализом частотной зависимости импеданса исследуемой системы. [8]
 |
Типичные схемы двухполюсников. [9] |
Графики частотной зависимости реактивного сопротивления таких двухполюсников при любом количестве элементов в схеме можно построить, руководствуясь теми четырьмя правилами, которые были получены при анализе частотных зависимостей сопротивления двухполюсников из трех элементов. [10]
В схеме на рис. 2.9 величины С1б, L 5tt Cja подбирают таким образом, чтобы частота резонанса токов в этом контуре совпадала с собственной частотой колебаний диафрагмы. Анализ частотной зависимости сопротивления и нахождение резонансных частот как для контура С ъ L 5 R 5 C la, так и для схемы а рис. 2.9 в целом рассматриваются в разделе двухполюсников курса линейных электрических цепей. [11]
Выше мы исходили из предположения, что величина Нэк не изменяется с частотой. Для анализа частотной зависимости г б это предположение вполне допустимо. [12]
Электротехнически эта задача формулируется как синтез электрической цепи, эквивалентной границе электрод / электролит. Этот синтез проводится путем анализа частотной зависимости импеданса, измеренной экспериментально. Таким путем в синтезируемой цепи может быть определена величина емкостного элемента, эквивалентного двойному слою. Этот путь весьма сложен, когда эквивалентная схема содержит много электрических элементов. [13]
При исследовании различных зависимостей используем понятие добротности резонансов, подразумевая под этим отношение полуширины резонансной кривой на уровне Wfj 0 5 ( W - коэффициент прохождения / / 10-волны по мощности) к значению параметра, где W принимает экстремальное значение. Естественно, что при анализе частотных зависимостей это совпадает с обычным определением. [14]
В тех случаях, когда исследуемые металлы обладают большой адсорбционной способностью к водороду или кислороду, применение измерений импеданса к определению потенциала нулевого заряда встречает большие трудности. Причина этих затруднений в том, что эквивалентная электрическая схема для таких электродов сложна, даже в условиях отсутствия процессов перехода ионов металла через границу электрод - электролит она содержит много электрических элементов. Анализ частотной зависимости импеданса в этих случаях очень сложен, и пока не удалось с достаточной точностью указанным методом определить величину емкости двойного слоя таких электродов и, следовательно, их потенциал нулевого заряда. [15]
Страницы: 1 2