Анализ - кристалл
Cтраница 3
 |
Построение диаграммы состояния бинарной системы на основании кривых охлаждения. [31] |
Наклон кривой 3 резко меняется при 800 С, но температура продолжает понижаться, хотя и более медленно. Это изменение наклона происходит в результате осаждения BeF2 - CaF2, что можно установить анализом кристаллов, отфильтрованных из смеси. [32]
 |
Схема установки для измерения вязкости.| Аппаратура для измерения коэффициента термического расширения стекла. [33] |
На рис. 2 приводится диаграмма, характеризующая температурные границы и степень кристаллизации данной марки стекла. Применяется также подсчет количества кристаллов в 1 мм3 или на 1 мм2 поверхности. Анализ кристаллов проводится петрографическим или рентгено-структурным методом. [34]
Таким образом, Cjb и С2 являются единственными возможными подгруппами фактор-группы. В табл. 4 приведены эти случаи и даны представления для каждого из них. Такой анализ кристалла типа нафталина является типичным. [35]
 |
Схема рентгеновского спектрографа.| Кривая отражения рентгеновских лучей от кристалла NaCl. [36] |
Лауэ является результатом интерференционного отражения от определенной системы сетчатых плоскостей. Таким образом, метод Вульфа - Брэгга, как способ рассмотрения, эквивалентен методу Лауэ. Однако метод Вульфа - Брэгга имеет и большое самостоятельное значение вви-ду того, что он, как уже указывалось, лежит в основе спектроскопии рентгеновских лучей, а также - одного из наиболее плодотворных методов анализа кристаллов. [37]
Слишком быстрое добавление воды вызывало появление в растворе красной мути, образующейся, вероятно, в результате частичного разложения. При анализе кристаллов, осажденных гексаном, после удаления большей части гексана непрерывным током сухого воздуха ( полное высушивание вызывает разложение), было обнаружено в результате титрования тиосульфатом 75 5 % иода. Формуле ( С5Н5МЫ2 соответствует 61 6 % иода, а формуле ( С5Н5МЫз - 70 7 % иода. [38]
Аллард и Крулфельд ( 1967) предположили, что благодаря хорошей электропроводности графита в разряд поступает достаточно энергии, так что положительные ионы образуются из КС1 непосредственно, минуя газовую фазу из нейтральных молекул. Использование электродов из смеси графит - КС1 дало приемлемые результаты по большинству примесных элементов, но привело к ухудшению чувствительности и увеличению опасности загрязнений и сегрегации. Поэтому данный метод непригоден для анализа кристаллов галогенидов щелочных металлов высокой чистоты. [39]
С выражением кристаллохимия стекла мы встречаемся все чаще и чаще, и, несмотря па явный формальный nonsense, нетрудно понять его истинный смысл. Химия силикатов вообще долгое время была исключительно химией эмпирической, в которой единственно реальными были формулы из окислов. И в этом смысле слова она представляла белое пятно в химии, поскольку современному химическому мышлению требуются конкретно, в трех измерениях изображенные молекулы и радикалы, катионы и анионы, их конфигурация должна быть выражена числовыми ( длины сиязей) и угловыми ( валентные углы) параметрами. Такие представления в области нерастворимых без разложения силикатов до сих пор может дать лишь рентгеноструктуриый ( в малой степени также элоктронографический и нейтронографический) анализ кристаллов - кри-сталлохимия. [40]
Правило плотной упаковки не следует смешивать с плотной упаковкой иного типа, часто упоминаемой в литературе. Во многих комплексных кристаллах с многозарядными катионами даже такие относительно маленькие анионы, как О - и F -, велики по сравнению с катионами. Эти анионы обычно располагаются так, что оказываются почти плотно упакованными друг с другом. Это значит, что если посмотреть только на одни анионы, jro обнаруживается повторение одного из плотно упакованных расположений, обсуждаемых в Приложении IV. Этот факт имеет большое значение при анализе кристаллов. Приблизительно плотная упаковка такого рода никоим образом не является несогласующейся с правилом плотной упаковки, обсуждаемым в тексте. [41]
Страницы: 1 2 3