Транзисторный блок - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Существует три способа сделать что-нибудь: сделать самому, нанять кого-нибудь, или запретить своим детям делать это. Законы Мерфи (еще...)

Транзисторный блок

Cтраница 1


Отдельные транзисторные блоки не допускают ремонта на месте установки - это панели с печатным монтажом, залитым компаундом. В случае неисправности элемента у такого блока изменяются его электрические параметры, измерение которых может производиться с зажимов контрольного разъема.  [1]

2 Схема нейтрализации каскадов УПЧИ. [2]

Транзисторный блок ПТК имеет значительно меньшее усиление, чем ламповый - Для получения необходимого усиления в схемах УПЧИ используют от 3 до У транзисторов.  [3]

Транзисторный блок системы зажигания представляет собой электронный ключ.  [4]

Транзисторный блок управления ТБУ предназначен для формирования, стабилизации и импульсной модуляции входного сигнала управления магнитным усилителем А в зависимости от требований технологического процесса сварки. Сигнал задания в транзисторный блок управления поступает от блока задания сварочного тока БЗТ. Транзисторный блок управления представляет собой усилитель-модулятор на транзисторах. Для стабилизации температурного режима транзисторы этого блока охвачены отрицательной обратной связью, обеспечивающей минимальное напряжение ( 2 5 - 3 В) между эмиттером и коллектором.  [5]

6 Схемы приема на дециметровых волнах. [6]

В новых транзисторных блоках СКМ для целей АПЧГ применяется электронная подстройка частоты гетеродина с помощью варикапов. Благодаря применению специальных транзисторов и хорошей конструкции колебательных контуров уровень собственных шумов транзисторных СКМ оказывается немногим больше, чем в ламповых блоках.  [7]

При анализе условий эксплуатации транзисторного блока основное внимание следует уделять диапазону рабочих температур. При температуре до 70 С используются германиевые транзисторы, до 100 - 120 С - кремниевые. Кремниевые транзисторы по сравнению с германиевыми лучше работают при высоких температурах, имеют более высокие пробивные напряжения и на один-два порядка меньше / ко. Однако их р1 более резко падает при низких температурах - ( 20 - т - 60) е С и малых токах. Кремниевые транзисторы имеют меньший частотный предел, более высокое сопротивление насыщения и большие шумы. Предельная частота транзистора определяется его типом, схемой включения ( ОЭ, ОБ, ОК), режимом по постоянному току и должна соответствовать требованиям схемы. Не следует применять высокочастотные транзисторы там, где могут работать низкочастотные. Исключение составляют случаи, когда требуется получить малые шумы.  [8]

Существенно важной частью блока БУБ-1 является транзисторный блок БТ-1, выполненный в виде основания коробчатой формы, на котором смонтированы элементы бесконтактной схемы ( диодная и блокировочная платы, переключатели режимов) и установлена печатная плата. Сочленение платы с блоком выполнено на разъемах, что обеспечивает быстросъемность платы при необходимости ее замены.  [9]

В настоящее время все западно-европейские фирмы выпускают только транзисторные блоки ПТК.  [10]

Однако практика показала, что запуск двигателя с транзисторным блоком электронного зажигания достаточно надежно осуществляется и без замыкания резистора-вариатора. Поэтому перед установкой кнопок следует убедиться в необходимости их применения.  [11]

В связи с появлением видиконов с полностью электростатическим управлением пучком сейчас разработаны простые и экономичные транзисторные блоки разверток для формирования напряжений пилообразной формы, различной полярности и одинаковой величины, подаваемых на отклоняющие пластины видикона.  [12]

Транзисторный блок управления ТБУ предназначен для формирования, стабилизации и импульсной модуляции входного сигнала управления магнитным усилителем А в зависимости от требований технологического процесса сварки. Сигнал задания в транзисторный блок управления поступает от блока задания сварочного тока БЗТ. Транзисторный блок управления представляет собой усилитель-модулятор на транзисторах. Для стабилизации температурного режима транзисторы этого блока охвачены отрицательной обратной связью, обеспечивающей минимальное напряжение ( 2 5 - 3 В) между эмиттером и коллектором.  [13]

КРУ является применение транзисторных элементов для устройств релейной защиты и системной автоматики. Опытные партии КРУ с применением транзисторных блоков, разработанных институтами ВНИИэлектропривод и ВНИИрелестроения ( ВНИИР) и изготовленных Чебоксарским электроаппаратным заводом ( ЧЭАЗ), были выпущены МЭЩ в 1965 г. и поставлены в опытную эксплуатацию на Игнатьевскую подстанцию Мосэнерго и для с.  [14]

15 Схема амплитудного селектора. [15]



Страницы:      1    2