Приведенный анализ

Cтраница 4

Приведенный анализ показал, что некоторые аппараты промысловой подготовки нефти были сконструированы без учета возможности вторичного диспергирования расслаивающейся эмульсии вследствие высокой скорости истечения струй. [46]

Изменение тока и напряжения при колебаниях длины дуги при заданной форме внешней характеристики источника.| Влияние формы внешней характеристики источника на изменение-тока и напряжения дуги. [47]

Приведенный анализ показывает, что процесс саморегулирования дуги происходит тем интенсивнее, чем больше изменяется сварочный ток при отклонениях длины дуги на одну и ту же величину, что имеет место при более пологих внешних характеристиках источника питания сварочной дуги. [48]

Приведенный анализ позволяет понять характер поведения рассеянного поля и в более сложном случае - при рассмотрении дифракции на клипе с многослойным поглощающим покрытием. [49]

Изменение распределения напряжений в волокнах в плоскости надреза по мере увеличения глубины надреза. [50]

Приведенный анализ для случая упругого деформирования компонентов может быть дополнен учетом упругопластических свойств матрицы аналогично разд. Разработанные модели, как уже отмечалось, позволяют исследовать перераспределение напряжений в композите, имеющем дефекты в виде разрушенных волокон или групп разрушенных волокон различной конфигурации. Но в силу того что число возможных конфигураций дефектов чрезвычайно велико, при непосредственном моделировании процессов разрушения на ЭВМ представляется целесообразным применять более простые и эффективные алгоритмы перераспределения напряжений, которые опираются на результаты исследований некоторых наиболее характерных ситуаций. [51]

Приведенный анализ в определенной мере объясняет тенденции развития современных конструкций оборудования. [52]

Приведенный анализ в предыдущем разделе показывает, что наличие в схеме объединительного звена ( см. рис. 26, 28 и 74) требует запоминания функций, размерность которых равна сумме размерностей потоков, подаваемых в объединительное звено. [53]

Приведенный анализ показывает, что индуцированные ограничения усложняют процесс решения задачи. [54]

Приведенный анализ, очевидно, достаточен только для подтверждения основных соотношений, присущих рассматриваемому потоку. Интегральные выражения, описывающие общие стороны неразрывности, количества движения и энергии потока, могут быть с успехом использованы в этом направлении, помогая с большей отчетливостью представлять характеристики потока. [55]

Приведенный анализ показывает, что с увеличением тока эффективность эмиттера падает. [56]

Приведенный анализ позволяет сделать вывод, что на поверхности серебра может присутствовать значительное количество деформаций, не оказывающих никакого влияния на ее каталитическую активность; увеличение деформации должно приводить к возрастанию значений А и Е только при условии, что деформация дает большое число центров, величины энергии активации реакции на которых близки к значению Ег. Используя данные табл. 5.1, можно выразить наши выводы в количественной форме. При напряжении 22 5 в для грани ( 111) с2 0, как и раньше, ci 106 центров на 1 см2, причем для реакции на этих центрах энергия активации равна 12 ккал-молъ-1. Изменения величины А в 105 раз и Е на 10 кпал-молъ 1 после бомбардировки ионами при напряжении, равном 4000 в, можно теперь объяснить правдоподобным предположением, что на 1 см2 образовалось 10е - 105 10й центров; причем для реакции на каждом центре энергия активации составляла. Следовательно, если первоначально имевшиеся на 1 см2 10е центров после интенсивной бомбардировки остаются на грани ( 111), то их влияние должно маскироваться присутствием 1011 новых дислокаций, образовавшихся на каждом квадратном сантиметре поверхности. [57]

Зависимость IK f ( i при различных значениях Re. [58]

Приведенный анализ и экспериментальные исследования теплового пробоя и самопрогрева транзистора при потенциометрическом питании цепи базы показывают, что в этом случае на указанные процессы влияет не только температурная зависимость / ко, о и температурная зависимость сопротивления эмиттера гэ. В связи с этим возникает необходимость в детальном исследовании этой зависимости для большинства типов транзисторов, используемых в предельных режимах. Зависимость гэ от температуры и тока эмиттера должна приводиться в справочных листах на транзисторы. [59]

Схема скважины. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5