Загрязнение - подложка
Cтраница 1
Загрязнения подложки сильно влияют на электрофизические свойства пленок. Поэтому перед напылением необходимо тщательно очищать подложки, а также предохранять их от появления масляных пленок, возникающих в результате проникновения паров рабочих жидкостей из насосов. [1]
При производстве полупроводниковых приборов загрязнение подложек на микронном и субмикронном уровнях приводит к отбраковке половины продукции. Качественную очистку кремниевых и стеклянных подложек можно эффективно осуществить с помощью ЛПМ с УФ-излучением. УФ-излучение также может успешно применяться в высокопроизводительных фотолитографических операциях по изготовлению или моделированию деталей. [2]
Механическая заслонка позволяет осуществлять предварительную очистку мишени без загрязнения подложки. [3]
Ионная бомбардировка в системах с постоянным смещением и при распылении на переменном токе используется для уменьшения степени загрязнения подложки остаточными газами, атомы и молекулы которых в результате взаимодействия с высокоэнергетическими ионами рабочего газа приобретают энергию, достаточную для десорбции с подложки. С этой же целью были разработаны системы катодного распыления с несамостоятельно поддерживаемым разрядом. [4]
При обеспыливании контактированием подложка проходит последовательно по ряду валиков с покрытием из синтетических полимеров, достаточно липким для того, чтобы частицы загрязнений подложки перешли на валик. [5]
Схема распыления на постоянном токе с постоянным смещением - разновидность схемы распыления на постоянном токе, отличающаяся тем, что на подложку подается отрицательный по отношению к аноду потенциал для предотвращения десорбции напыляемых на подложку частиц и для уменьшения загрязнения подложки и пленки остаточными газами. [6]
Они возникают на границе раздела за счет воздушных включений ( пузырей), газообразных, жидких и ( или) твердых продуктов термоокислительной деструкции, низкомолекулярных фракций типа восков, примесей в полимере, в том числе вытесняемых на поверхность подложки при кристаллизации, загрязнений подложки и вследствие этого микроучастков, не смачиваемых адгезивом. [7]
Перед созданием проводящих слоев производится тщательная оч ист к а подложек промывкой в спирте, кипячением в воде и обработкой в парах спирта. Загрязнения подложек ухудшают адгезию, которая определяется атомными связями. Загрязнения, особенно жировые, создают между пленкой и подложкой очень тонкие, вплоть до мономолекулярных, слои, не дающие возможности атомам пленки и подложки сблизиться на расстояния, необходимые для проявления сил сцепления. [8]
Достоинством метода раздельного напыления является высокая точность совмещения масок с подложками, поскольку эта операция производится на воздухе до помещения масок и подложек в откачиваемый объем. К недостаткам метода следует отнести возможность загрязнения подложек и нанесенных на них слоев при их сообщении с атмосферным воздухом. [9]
Преимущество пушек с полым катодом по сравнению с накаливаемым катодом ( обычно в виде вольфрамовой нити) состоит в том, что эти пушки могут работать при относительно высоких давлениях и они просты в изготовлении. Существенным недостатком является распыление стенок полого катода и загрязнение подложки материалом, из которого изготовлены стенки катода. Для уменьшения распыления катода можно заменить аргон гелием, однако гелий требует для поддержания разряда более высокое давление и дает более низкое качество очистки поверхности подложки при ее ионной бомбардировке. [10]
Химическая обработка может применяться как самостоятельно, так и в сочетании с ультразвуковой. Существенным недостатком химической очистки подложек является необходимость контролировать чистоту моющего раствора для предотвращения загрязнения подложки веществами, ранее растворенными в моющем растворе. Обязательным условием финишной промывки является постоянное обновление моющей среды. [11]
 |
Реактор для плазмохимического осаждения диэлектрических пленок. [12] |
Основным достоинством этого реактора является низкая температура осаждения пленок. Однако он имеет и недостатки - небольшой объем, трудность автоматизации загрузки и разгрузки и возможность загрязнения подложек рыхлым осадком. [13]
Действительно, высокотемпературный отжиг способствует частичной очистке поверхности, поэтому непосредственно перед конденсацией подложки отжигаются при температуре - 900 С не менее 10 мин. Если кристаллизация проводится при температуре ниже температуры отжига, то за время, необходимое для снижения и установления температуры ( 2 - 3 мин), уровень загрязнений подложки изменится мало. Кроме того, Вудманом [7] было показано, что давление остаточных газов в системе почти не влияет на плотность линейных дефектов. [14]
Необходимо отметить, что хорошо очищенные поверхности подложек обладают большим уровнем свободной энергии, что приводит к быстрому повторному загрязнению их пылью и влагой из атмосферы. Опасность повторных загрязнений состоит в том, что химический состав их неизвестен и не всегда одинаков. Поэтому такие загрязнения могут вызвать нежелательные последствия. Для предотвращения повторных загрязнений подложек их хранят в специальных камерах, наполненных очищенной от пыли и влаги средой. [15]
Страницы: 1 2