Омический переход

Cтраница 2

Чтобы можно было установить, насколько омический переход удовлетворяет предъявленным к нему требованиям, и чтобы можно было сравнивать разные омические переходы между собой, надо ввести количественные параметры, характеризующие эти переходы. [16]

Несмотря на это, теория омических переходов разработана слабее, чем теория электронно-дырочных переходов, а формирование омических переходов часто основано на эксперименте. [17]

Зависимость граничной концентрации носителей заряда около омического перехода от потока или от плотности тока этих носителей.| Определение падения напряжения на переходе путем экстраполяции распределения потенциала в полупроводнике. [18]

Итак, скорость рекомбинации на омическом переходе не превосходит тепловой скорости движения носителей заряда. Это имеет практическое значение, так как нет смысла пытаться совершенствовать омические переходы, скорость рекомбинации на которых приближается к максимально возможной. [19]

Структура транзистора с диодом Шотки ( а и его эквивалентная схема ( б.| Энергетическая диаграмма выпрямляющего перехода между алюминиевым электродом и высокоомной п-областью коллектора ( а и омического перехода между алюминиевым электродом и сильнолегированной п - областью эмиттера ( б кремниевого транзистора. [20]

Алюминиевый электрод образует с р-областью базы омический переход, а переход между алюминиевым электродом и относительно высокоомной n - областью коллектора получается выпрямляющим. [21]

Структура транзистора с диодом Шотки ( а и его эквивалентная схема ( б.| Энергетическая диаграмма выпрямляющего перехода между алюминиевым электродом и высокоомной я-областью коллектора ( а и омического перехода между алюминиевым электродом и сильнолегированной /. - областыо эмиттера ( б кремниевого транзистора. [22]

Таким образом, скорость рекомбинации на омическом переходе не превосходит скорости движения носителей заряда. Если перенос носителей заряда к переходу вызван диффузией, то скорость движения не может превзойти тепловой скорости. [24]

ВАХ омического перехода линейна, т.е. если омический переход действительно является омическим. [25]

База и эмиттер с помощью электродов Э, образующих омические переходы, соединяются с металлическими выводами В, посредством которых диод включается в электрическую цепь. [26]

В то же время при больших токах нарушается равновесие у омического перехода. [27]

Необходимо различать выпрямляющий переход ( такой, как р-л-переход) и невыпрямляющий, омический переход. Последний и является предметом следующего раздела. [28]

Однако в реальных невыпрямляющих контактах часто образуются различные промежуточные слои, ухудшающие свойства омических переходов. Поэтому окончательную доработку технологии их изготовления проводят экспериментально. [29]

Распределение концентрации неосновных носителей заряда в базе диода с тонкой базой при разных напряжениях.| Распределение концентрации неосновных носителей заряда в базе диода при разных обратных напряжениях, поясняющее увеличение обратного тока в диоде с тонкой базой. [30]

Страницы: 1 2 3 4