Описанный переход

Cтраница 2

В области а существуют индивидуальные молекулы и молекулярные пары, причем, чем ближе к границе перехода, которой является критическая изохо-ра VKp, тем больше концентрация молекулярных пар. При переходе границы индивидуальные молекулы из смеси исчезают и в области / 3 появляются бимолекулы, концентрация которых возрастает по мере приближения к границе следующего перехода - критической изоэнтропе SKp, выше которой в области 7 сосуществуют бимолекулы и олигомолекулы. Описанные переходы являются фазовыми переходами второго рода, их реальное существование подтверждается характером экспериментально установленных зависимостей некоторых физических свойств этилена, например, отношения теплоемкости к температуре, произведения pV, вязкости и др., от давления. [16]

Будем нагревать образец ( например, изображенный на фиг. Последовательность описанных переходов в германии, легированном золотом, при нагревании от 0 до 77 К и от 77 до 298 К показана на фиг. Снова мы видим, что при высоких температурах донорные уровни золота не дают свободных электронов и их действие сводится лишь к захвату носителей тока. [17]

Каждый электрон несет с собой элементарный электрический заряд. В нейтральном атоме положительный заряд ядра уравновешивается имеющимися в электронной оболочке отрицательно заряженными электронами. После описанного перехода электронов электронейтральность нарушается: в рассматриваемом примере образуются катион натрия и анион хлора. Между этими заряженными частицами возникает электростатическое притяжение, описываемое законом Кулона. Силы электростатического притяжения действуют одинаково во всех направлениях, так что, собственно, говорить о связи катиона натрия с определенным анионом хлора не рледует. В действительности в ионном кристалле поваренной соли каждый катион натрия окружен шестью анионами хлора и, наоборот, каждый хлор-анион - шестью катионами натрия: здесь нельзя установить, какие из них связаны друг с другом. Употребительны также синонимы электровалентностъ, гетерополярная связь. При графическом изображении такой связи не следует употреблять черточку, поскольку такая символика создает представление о направленности и индивидуальности связи, которые в данном случае отсутствуют. [18]

В естественным образом превращается в / f - полигон, называемый фактор и о л и г о н о м полигона А и обозначаемый через Л / О. Если полигон А возник из нек-рого автомата, то описанный переход равносилен склеиванию одинаковым образом действующих последовательностей входных сигналов. [19]

Влияние температуры на плотность вакансий. [20]

Энергия образования вакансии возникает в результате нарушения связей в кристаллической решетке при удалении атома из узла. При удалении атома из узла двухмерной решетки он разрывает четыре связи и сохраняет лишь две связи, когда оказывается на поверхности. Следовательно, работа образования вакансии равна энергии двух связей. Однако подобная схема образования вакансий не является строгой, поскольку описанный переход атома через всю решетку возможен только при наличии огромной кинетической энергии. Средняя энергия колебания атомов при обычных температурах гораздо п / н меньше 1 эв, поэтому вакансии образуются при значительных Ю флуктуациях энергий. [21]

Значение Х приравнивается значению следующей точки и сравнивается со значением Vmx и Vmn. Третья точка соответствует Х2; она сравнивается с пределами окна в случае алгоритма AZTEC. Это повторяется до тех пор, пока с помощью алгоритма AZTEC не будет обнаружена линия. После запоминания этих данных указатель Р1 передвигается вперед. Затем по алгоритму AZTEC начинается построение новой линии и одновременно предварительное запоминание данных аглоритма выбора точек изменения знака наклона. Наиболее важным моментом при переходе является изменение положения указателя ( маркера), определяющее описанные переходы. [22]

Свободный электрон может двигаться но всей толще образца, участвуя в хаотическом движении. В полупроводнике происходят процессы замещения свободного ( вакантного) места связанным электроном другого атома, не требующие затраты энергии. За счет энергии решетки разрывается одна ковалентная связь атома 2 ( на что затрачивается энергия генерации), освободившийся электрон рекомбинирует с дыркой /, в результате чего выделяется такая же энергия, возвращаемая решетке. Значит, дырка является свободным зарядом, ибо только он может переходить с места на место без затраты энергии. Следовательно, в процессе генерации образуются два свободных заряда - электрон и дырка. Дырки тоже участвуют в хаотическом движении, так как описанный переход связанного электрона к дырке с разных направлений равновероятен. При наложении внешнего поля свободные электроны получают преимущественное направление движения и дрейфуют против поля, связанные электроны тоже преимущественно переходят на дырки против поля, что соответствует преимущественному дрейфу дырок вдоль поля. Возникает электрический ток, свободными зарядами которого являются электроны и дырки. [23]

Свободный электрон имеет возможность двигаться по всей толще образца, участвуя в хаотическом движении. В полупроводнике происходят процессы замещения свободного ( вакантного) места связанным электроном другого атома, не требующие затраты энергии. За счет энергии решетки разрывается одна ковалентная связь атома 2 ( на что затрачивается энергия генерации), освободившийся электрон рекомбинирует с дыркой 1, в результате чего выделяется такая же энергия, возвращаемая решетке. Значит, дырка является свободным зарядом, ибо только свободный заряд может переходить с места на место без затраты энергии. Следовательно, в процессе генерации образуются два свободных заряда - электрон и дырка. Дырки тоже участвуют в хаотическом движении, так как описанный переход связанного электрона к дырке с разных направлений равновероятен. При наложении внешнего поля свободные электроны получают преимущественное направление движения и дрейфуют против поля, связанные электроны тоже преимущественно переходят на дырки против поля, что соответствует преимущественному дрейфу дырок вдоль поля. Возникает электрический ток, свободными зарядами которого являются электроны и дырки. [24]

Страницы: 1 2