Электродинамический анализ

Cтраница 1

Предыдущий электродинамический анализ устанавливает связь электронных характеристик сверхпроводника с его магнитными свойствами в рамках классической теории. Мы также видели, каким образом магнитная характеристика сверхпроводника - напряженность его критического поля - меняется с температурой. Поэтому можно предположить, что существует простая феноменологическая зависимость электронных свойств сверхпроводника от его температуры. Такая зависимость действительно была получена Гортером и Казимиром в 1934 г., которые использовали при этом в качестье аналога двухжидкостную модель сверхтекучести в гелии. [1]

Эквивалентные схемы кольцевых мостов с параллельно ( а и последовательно ( б включенными выходными плечами. [2]

Электродинамический анализ гибридного кольца представляет весьма сложную задачу математической теории дифракции из-за отсутствия точных физических и математических моделей Т - соеди-нений между различными типами ЛП. [3]

Полный электродинамический анализ ШНО является весьма сложным, и поэтому здесь мы снова воспользуемся методом эквивалентных схем. Проведем расчет ШНО, основываясь на методе зеркальных отображений: заменим восьмиполюсник двумя парам простейших четырехполюсников, соответствующих четному и нечетному впду возбуждения. [4]

Аграновича, В. А. Марченко, В. П. Шестопалова [89], в которой по существу определены основные направления в решении проблем резонансного рассеяния волн периодическими дифракционными решетками. К моменту ее появления было ясно, что основным средством электродинамического анализа в резонансной области частот должен стать численный эксперимент. Необходимо только так переформулировать исходную краевую задачу для дифференциального уравнения в частных производных, чтобы можно было эффективно использовать вычислительную технику: с прогнозируемой погрешностью и в реальном масштабе времени получать необходимые результаты. В [89] реализована схема, отработанная в рамках классического функционального анализа. Путем выделения и обращения ( метод полуобращения, левая регуляризация) статической части задача сведена к канонической фредголь-мовой. [5]

Микросборки СВЧ, использующие пассивные схемы на основе микроминиатюрных ЭСП, выполненных методами многослойной тонкопленочной технологии, и бескорпусные активные компоненты, выполняемые отдельно и подсоединяемые на последних стадиях технологического процесса к миниатюрной пассивной схеме, полученной в результате единого достаточно сложного технологического процесса. Хотя создание устройств СВЧ этого, второго, поколения не встречает принципиальных технологических трудностей, оно все же требует большой предварительной проработки методов расчета и проектирования соответствующих ЭСП на основе использования как электродинамического анализа, так и результатов эмпирических исследований. Существенными в разработке таких устройств будут, по-видимому, вопросы создания соответствующих методов измерения их параметров, а также преодоления определенного психологического барьера, связанного с отсутствием опыта в применении на СВЧ таких ЭСП. [6]

Характеристики полосно-пропускающей структуры с двумя ВДР 3В качественно аналогичны рассмотренным выше в разделе 9.3. Количественное описание этих характеристик целесообразно проводить в терминах коэффициентов связи ВДР kc и внешних доб-ротностей резонаторов QBa или коэффициентов их связи с подводящими волноводами К - Нахождение параметров kc, QB возможно путем получения соотношений, описывающих частотную зависимость коэффициента отражения двухрезонаторной ЭС, и последующего анализа этой зависимости с целью вычисления kc и QBH. Наиболее просто такая задача решается применительно к ЭС ( рис. 9.9 а), содержащей подводящие волноводы шириной Ав, между которыми включен отрезок запредельного волновода, имеющий ширину а и ту же высоту, что и подводящий волновод. В отрезке запредельного волновода расположены два диэлектрических элемента. Электродинамический анализ такой системы [154] позволяет найти амплитуды прямых и обратных волн, которые определяют результирующий коэффициент отражения на входе системы. [7]

При передаче энергии в зеркальной пли линзовой линии формируется волновой процесс, при котором практически вся энергия поля локализована в некоторой осевой зоне. Ее границы на рис. 7.346 несколько условно показаны штриховой линией. С точки зрения оптики, это некоторый параксиальный пучок лучей ( лучи близки к параллельным); граница пучка строится как огибающая этих лучей и называется каустикой. Электродинамический анализ показывает, что на границе пучка поле быстро убывает в поперечном направлении, причем возможны процессы с различными поперечными распределениями поля, по аналогии с различными собственными волнами волновода. [8]

Заметим также, что применение лучевой трактовки требует ряда оговорок. Во-первых, мы не имеем права говорить о сколь угодно низких частотах: геометрические размеры ( например, высота ионосферы) должны во много раз превосходить длину волны. Во-вторых, лучевой подход теряет смысл, если свойства среды значительно изменяются на расстояниях порядка длины волны. Когда диэлектрическая проницаемость приближается к нулю, длина полны и среде сильно увеличивается. В этом случае строгий электродинамический анализ необходим. Тем не менее, изложенная выше простая теория правильно передает основные черты процесса при распространении радиоволн в ионосфере. [9]

Страницы: 1