Пленка - алюминий
Cтраница 1
Пленки алюминия легко растворяются как в щелочных, так и в кислотных травителях. [1]
Пленка алюминия наносится на поверхность пластины и затем на ней методами фотолитографии создается рисунок требуемой конфигурации. Алгсминиевая металлизация вжигается для образования омических контактов с кремнием. Внешние выводы к алюминиевой пленке выполняются при помощи алюминиевой или золотой проволоки. [2]
Получение пленки алюминия на меди, железе, алюминии, стекле, фарфоре и даже на термостойких пластических массах осуществляют за счет нагревания углеводородного раствора соответствующего алюминийтриалкила до температуры, немного ниже температуры его разложения. Затем в раствор помещают покрываемый предмет, нагретый выше температуры разложения алюминий-алкила. При опускании изделия с температурой 335 С в 50 % - ный раствор триэтилалюминия в парафине, нагретый до 250 С, поверхность изделия покрывается слоем алюминия толщиной 25 мм. Покрытие такой пленкой, как предполагают авторы работы [5], позволяет предотвратить коррозию металлов, создать проводящий слой на стекле и керамике или подслой при хромировании. [3]
Образцами служили пленки алюминия толщиной 3 мкм, нанесенные на поверхность кремниевой подложки. [4]
Процессы ХОГФ пленок алюминия и алюминиевых сплавов только начинают появляться в технологических маршрутах изготовления И МС с УТ меньше 0 13 мкм или высоким топологическим рельефом. [5]
Трудность осаждения пленок алюминия на поверхность SiO2 или поверхность кремния с естественным окислом при пиролизе ОМАН возникает из-за легкости окисления атомов А1 на поверхностях соединений, содержащих кислород. Даже равновесный окисел на поверхности алюминиевых шин металлизации подавляет рост ХОГФ пленки алюминия в переходных отверстиях. Равновесный окисел с пленок алюминия удаляют ионным или реактивным ионным травлением, а затем в вакууме передают пластину в реактор ХОГФ алюминиевых пленок, что требует использования кластерной установки. [6]
 |
Схема процесса использования эффекта. [7] |
На подложку напыляется пленка алюминия и проводится ее фотолитография. При травлении алюминия размеры алюминиевых элементов будут меньше на величину подтравливания А, чем размер соответствующих маскирующих элементов из защитной пленки фоторезиста. [8]
Более длительное хранение пленок алюминия на воздухе привело к изменениям, которые оказалось возможным констатировать электронографически. [9]
Коммутацию с помощью пленок алюминия осуществляют по следующей технологии. Методом фотолитографии в тех местах пленки SiOz, где долж / кы быть контакты с кремнием, вскрывают окна соответствующих размеров. [10]
Внутренний слой окисиой пленки алюминия компактный, и его толщина зависит от температуры; внешний слой, окисла пористый и его толщина зависит от продолжительности реакции и влажности атмосферы. [11]
Получение конденсаторов анодированием пленки алюминия было описано Мартином [108], изучавшим влияние условий испарения алюминия на полярность, емкость, тангенс угла потерь и выход годных изделий. [12]
 |
Профили распределения примесей по толщине кремниевой пленки, осажденной на сапфира. [13] |
Отметим, что автолегирование пленок алюминия в процессе последующего отжига происходит лишь при температурах выше 1250 С. [14]
 |
Зависимость логарифма коэффициента пропускания магниевых фильтров от длины волны. 1 - незащищенная магниевая плен. [15] |
Страницы: 1 2 3 4