Замещение - элемент
Cтраница 3
 |
Схема замещения элемента объемно-пористого анода.| Две конструкции плоских. [31] |
Рассмотренная выше схема Вахенхузена ( рис. 5 - 3) может быть применена и при расчете конденсатора с объемно-пористым анодом, однако следует учесть, что в этом случае С0 не является уже емкостью оксидного слоя на плоском аноде, а представляет объемно-пористый анод, состоящий из элементарных емкостей отдельных оксидированных зерен, соединенных активными сопротивлениями прослоек электролита, заполняющего поры анода. Схема замещения элемента такого анода, использованная Нгуе-ном Тьен-Чи и Фергнолем ( Nguyen Thien-Chi and J. [32]
Последними могут служить семейства ортогональных линий, аналития. Расчет сопротивлений схем замещения элементов ведется из тех же геометрич. Граничные условия 1-го рода задаются в виде распределения напряжений, для чего граничные узлы соединяются с выводами низкоомного реостатного или автотрансформаторного делителя. Граничные условия 2-го рода задаются с помощью источников тока, имеющих очень большое внутр. Подобным же образом задаются токи в узлы сетки при решении уравнений Пуассона. Практически токи задаются от делителей напряжения через значительные сопротивления, которые целесообразно выполнять реактивными в виде конденсаторов, вследствие их стабильности, дешевизны, а главное - выигрыша в напряжении модели. Граничные условия 3-го рода задаются с помощью омич. Измерение напряжений в узлах сетки, представляющих решение краевой задачи, производится комиенсац. [33]
В системе с замещением элементов один или более элементов поочередно включаются в работу только после отказа предыдущего. В таких системах требуются устройства, обнаруживающие отказ, и переключатели. [34]
Такое представление схемы замещения применимо для расчета режимов питающих ( районных) и системообразующих сетей. Характеристика и расчет параметров схем замещения элементов сетей приведены в гл. Нагрузки в узлах сети представлены неизменными по величине мощностями. [35]
Локальные уровни, находящиеся в запрещенной зоне, расположены между разрешенной ( незаполненной) валентной и возбужденной зонами, поэтому для перевода электронов с локальных уровней в зону проводимости требуется меньшая затрата энергии. Например, присутствие в кристалле кремния примесных атомов замещения элементов V группы периодической системы ( Р, As, Sb), имеющих пять валентных электронов, приводит к тому, что четыре из них заполняют валентные связи, а пятый оказывается лишним. Этот электрон будет находиться на локальном энергетическом уровне. Энергия, необходимая для перехода электрона с локального уровня в зону проводимости, меньше, чем энергия перехода электрона из валентной зоны. Локальные уровни, с которых совершается переход электронов в зону проводимости, называются донорнылш, а дефекты, вызывающие появление таких уровней, - донорами. При наличии в кристалле доноров электронов кристалл имеет электронную проводимость и является полупроводником п-типа. Некоторые окислы металлов, в решетке которых существуют вакансии катионов ( нестехиометрические соединения), тоже ведут себя как полупроводники п-типа. [36]
Локальные уровни, находящиеся в запрещенной зоне, расположены между разрешенной ( незаполненной) валентной и возбужденной зонами, поэтому для перевода электронов с локальных уровней в зону проводимости требуется меньшая затрата энергии. Например, присутствие в кристалле кремния примесных атомов замещения элементов V группы периодической системы ( Р, As, Pb), имеющих пять валентных электронов, приводит к тому, что четыре из них заполняют валентные связи, а пятый оказывается липшим. Этот электрон будет находиться на локальном энергетическом уровне. Энергия, необходимая для перехода электрона с локального уровня в зону проводимости, меньше, чем энергия перехода электрона из валентной зоны. Локальные уровни, с которых совершается переход электронов в зону проводимости, называются донор-ными, а дефекты, вызывающие появление таких уровней, - донорами. При наличии в кристалле доноров электронов кристалл имеет электронную проводимость и является полупроводником п-типа. [37]
Локальные уровни, находящиеся в запрещенной зоне, расположены между разрешенной ( незаполненной) валентной и возбужденной зонами, поэтому для перевода электронов с локальных уровней в зону проводимости требуется меньшая затрата энергии. Например, присутствие в кристалле кремния примесных атомов замещения элементов V группы периодической системы ( Р, As, Pb), имеющих пять валентных электронов, приводит к тому, что четыре из них заполняют валентные связи, а пятый оказывается лишним. Этот электрон будет находиться на локальном энергетическом уровне. Энергия, необходимая для перехода электрона с локального уровня в зону проводимости, меньше, чем энергия перехода электрона из валентной зоны. Локальные уровни, с которых совершается переход электронов в зону проводимости, называются донор-ными, а дефекты, вызывающие появление таких уровней, - донорами. При наличии в кристалле доноров электронов кристалл имеет электронную проводимость и является полупроводником п-типа. Некоторые оксиды металлов, в решетке которых существуют вакансии катионов ( неетехиометрические соединения), тоже ведут себя как полупроводники гс-тапа. [38]
Схемы микроэлектронной аппаратуры помимо резисторов, конденсаторов, нндуктивностей включают в себя различные полупроводниковые элементы и / трансформаторы. Анализу подвергается эквивалентная схема устройства, которая получается из его принципиальной схемы путем замещения элементов моделями. [39]
Предположение модели Хигби об одинаковом времени соприкосновения с газом всех элементов поверхности жидкости выглядит не очень реальным. Поэтому в модели Данквертса За принят иной характер распределения: предполагается, что вероятность замещения элемента поверхности свежей жидкостью не зависит от продолжительности его контакта с газом. [40]
 |
Макроэлемент, пключающий трещину. [41] |
Заметим, что обычный прием оценки сопротивления разрушению состоит в том, что вначале рассчитывается тело без трещины, а затем вводятся трещины в разных местах конструкции; перестроение же сетки - трудоемкая процедура. Более эффективно такие расчеты могут быть выполнены с применением макроэлементов, которые, например, могут быть использованы для замещения любого изопараметричоского 8-узлоиого элемента, как показано на рис. 13.7. При: то. [42]
 |
Сингулярные изопараметрические элементы третьего ( а и.| Специальный сингулярный элемент с вершиной трещины. [43] |
Заметим, что обычный прием оценки сопротивления разрушению состоит в том, что вначале рассчитывается тело без трещины, а затем вводятся трещины в разных местах конструкции; перестроение же сетки - трудоемкая процедура. Более эффективно такие расчеты могут быть выполнены с применением макроэлементов, которые, например, могут быть использованы для замещения любого изопараметрического 8-узлового элемента, как показано на рис. 2.8. При этом внутреннее построение макроэлемента не регламентировано и может быть таким, чтобы отвечать целям расчета. [44]
Страницы: 1 2 3 4