Трехэлектродный полупроводниковый прибор
Cтраница 1
 |
Схема устройства транзистора. [1] |
Трехэлектродные полупроводниковые приборы называются транзисторами. На рис. 48 приведена схема наиболее распространенного варианта структурной схемы транзистора. К этим слоям присоединены три внешних электрода, по числу которых такой транзистор называют обычно полупроводниковым триодом. [2]
 |
Включение л-р-л-транзистора ( а, распределение потенциала ( б, концентрации электронов ( в и напряженности электрического поля ( г. [3] |
Усилительный трехэлектродный полупроводниковый прибор с двумя р-л-переходами на основе трехслойной структуры ( п-р - п или р-п - р), в котором один - эмиттерный модулирует сопротивление другого - коллекторного, - называют биполярным транзистором. [4]
Первый трехэлектродный полупроводниковый прибор - биполярный транзистор - был изобретен в 1948 г. В. За это изобретение в 1956 г. они были удостоены Нобелевской премии. [5]
 |
Равновесное магнитное поле для нейтральной АЧгшнии. [6] |
ТИРИСТОР - трехэлектродный полупроводниковый прибор, состоящий из трех р-п-переходок, взаимодействие между к-рыми приводит к тому, что прибор может находиться в одном из двух устойчивых состояний: выключенном-с высоким сопротивлением и включенном - с низким. Внутренний базовый р-слой обычно выполняется сильнолегированным ( концентрация примеси / V 10 7 - 10 8 см 3) и тонким, чтобы обеспечить достаточно высокий ( 0 7 - 0 9) коэф. KI ( коллектор) - в запорном направлениях; его область пространственного заряда ( ОПЗ) расположена почти полностью в n - базе. Эмиттер 3t обычно имеет распределенные по всей площади шунтирующие каналы, выполненные в виде выходов р-слоя сквозь - слой к ме-таллич. Процессы, определяющие возможность переключения, протекают след, образом. [7]
Транзистор представляет собой трехэлектродный полупроводниковый прибор, в котором на базовом кристалле размещены два p - n - перехода. [8]
Тиристор представляет собой управляемый трехэлектродный полупроводниковый прибор с тремя / - и-переходами. [9]
Биполярный транзистор - трехэлектродный полупроводниковый прибор, в котором на базовом кристалле размещены два р-га-пере-хода. Сечение транзистора типа п-р - п, показывающее чередование слоев с р - и n - проводимостью в различных участках полупроводника, показано на рис. 3.10. Каждый из / 9-п-переходов транзистора обладает свойствами обычного диода. [10]
Полевым транзистором называется трехэлектродный полупроводниковый прибор, в котором ток создают основные носители заряда под действием продольного электрического поля, а управление величиной тока осуществляется поперечным электрическим полем, создаваемым напряжением, приложенным к управляющему электроду. [11]
Полевой транзистор представляет собой трехэлектродный полупроводниковый прибор, в котором имеются следующие области: исток, затвор, канал и сток, а управление выходным током осуществляется за счет изменения толщины проводящего полупроводникового слоя. [12]
 |
Тиристор. а-схема включения. б-вольт-амперная характеристика. [13] |
Тиристор Т представляет собой трехэлектродный полупроводниковый прибор ( рис. 6.48, а) с силовыми электродами - анодом А и катодом К, а также управляющим электродом УЭ. [14]
Однопереходный транзистор - это трехэлектродный полупроводниковый прибор с одним р-л-переходом и двумя невыпрямляющими контактами к базовой области, предназначенный для усиления и генерации электромагнитных колебаний при модуляции сопротивления базы в результате инжекции через р-я-переход неосновных носителей заряда. [15]
Страницы: 1 2