Запись - информация
Cтраница 2
 |
Селектрон плоской конструкции. а - схематический разрез. б - разрез запоминающей ячейки. [16] |
Запись информации осуществляется путем изменения равновесного потенциала элемента экрана, избранного селектирующим устройством. При этом величина равновесного потенциала определяется знаком импульса записи, подаваемого на сигнальную пластину. Считывание записанной информации с избранного селектирующим устройством элемента экрана может производиться импульсом тока смещения в цепи коллектора или сигнальной пластины, возникающим в результате скачкообразного изменения потенциала облучаемого элемента. [17]
 |
Форма импульса за - v. [18] |
Запись информации в селектроне может осуществляться различными способами. Ниже рассматривается один из них, получивший наибольшее распространение. [19]
Запись информации в разрядах 1 ( положительный незатухающий ток в перемычке) или О происходит, когда токи, в сумме превышающие некоторое минимальное значение, текут по управляющим шинами X и Y. [20]
Запись информации на бумажный или иной носитель в целях ее сохранения и последующего использования. [21]
Запись информации на магнитные диски производится последовательно вдоль дорожек, бит за битом. В пределах каждой дорожки размещение информации аналогично размещению на магнитной ленте. [22]
Запись информации на ленту осуществляется с помощью магнитных головок путем нанесения на поверхность ферромагнитного покрытия намагниченных тонких штрихов. Одновременно с записью производится стирание стирающей головкой ранее записанной на ленте информации. Для обеспечения большей точности записи магнитная лента находится в постоянном контакте с рабочими поверхностями головок. Магнитные головки могут быть универсальными или сдвоенными. В первом случае одни и те же головки используются для записи и считывания информации, во втором - имеются отдельные блоки головок записи и считывания, расположенные на небольшом расстоянии друг от друга по направлению движения ленты. [23]
Запись информации и считывание осуществляются зонами переменной длины. Длина зоны задается каналом. Минимальная зона должна содержать не менее 18 байт. Параллельные операции, в том числе чтение, команда перемотать, перемотать и разгрузить, запись могут выполняться параллельно с любой другой командой; возможно подключение до 8 накопителей типа НМЛ-67, ЕС-5010, ЕС-5012, допускается возможность смешанного подключения накопителей; элементная база - интегральные схемы; потребляемая мощность - 1 ква; габаритные раз-меры - 1200Х750Х 1600 мм. [24]
Запись информации на ГМД осуществляется с одинарной или двойной плотностью. [25]
 |
Магнитная запись. [26] |
Запись информации осуществляется на информационных дорожках, параллельных друг другу. Это может осуществляться как блоком головок ( по головке на дорожку), так и путем перемещения одной головки ( или поверхности носителя) в направлении, перпендикулярном направлению записи. Может применяться и комбинированный способ записи, основанный на использовании этих двух способов. [27]
 |
Запоминающий элемент с одновит-ковой числовой обмоткой. [28] |
Запись информации производится путем одновременной подачи импульсов тока в числовую и разрядную обмотки элемента. В зависимости от значения информации ( 1 или 0) в обмотку записи разряда подается положительный или отрицательный импульс. [29]
 |
Магнитная запись. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5