Принцип - действие - фотодиод
Cтраница 1
 |
Структура фотодиода с выпрямляющим переходом между металлом и полупроводником ( а и энергетическая диаграмма этой структуры при обратном напряжении ( 6. [1] |
Принцип действия фотодиода на основе выпрямляющего перехода металл - полупроводник аналогичен принципу действия фотодиода с р-п-переходом. Однако есть некоторые различия, которые сказываются на характеристиках и параметрах. При этом если энергия кванта света превышает высоту потенциального барьера, то возбужденные электроны из металла могут перейти в полупроводник через потенциальный барьер ( рис. 9.22), обеспечив тем самым возникновение фототока. Поэтому длинноволновая граница спектральной характеристики фотодиодов на основе контакта металл - полупроводник определяется высотой потенциального барьера на этом контакте и расположена при более длинных волнах электромагнитного спектра. [2]
Принцип действия фотодиодов и фототранзисторов не отличается от принципа действия солнечных батарей. [3]
Принцип действия фотодиода в фотогальваническом режиме основан на фотогальваническом эффекте. При освещении полупроводника фотоны проникают в него и создают значительное количество дырок и электронов, причем большая часть фотонов поглощается в наружном слое р-п-перехода. В результате создается неравновесная концентрация дырок и электронов, вследствие чего возникает диффузионное перемещение их вглубь к / 7-л-переходу. [4]
 |
Структура фотодиода с выпрямляющим переходом между металлом и полупроводником ( а и энергетическая диаграмма этой структуры при обратном напряжении ( б. [5] |
Принцип действия фотодиода на основе выпрямляющего перехода металл - полупроводник аналогичен принципу действия фотодиода с р-п-переходом. Однако есть некоторые различия, которые сказываются на характеристиках и параметрах. При этом если энергия кванта света превышает высоту потенциального барьера, то возбужденные электроны из металла могут перейти в полупроводник через потенциальный барьер ( рис. 9.22), обеспечив-тем самым возникновение фототока. Поэтому длинноволновая граница спектральной характеристики фотодиодов на основе контакта металл - полупроводник определяется высотой потенциального барьера на этом контакте и расположена при более длинных волнах электромагнитного спектра. [6]
Принцип действия фотодиодов основан на внутреннем фотоэффекте, состоящем в генерации под действием света электронно-дырочных пар в р-п переходе, в результате чего увеличивается концентрация основных и неосновных носителей заряда в его объеме. Обратный ток фотодиода определяется концентрацией неосновных носителей и, следовательно, интенсивностью облучения. Вольт-амперные характеристики фотодиода ( рис. 57, а) показывают, что каждому значению светового потока Ф соответствует определенное значение обратного тока. Такой режим работы прибора называют фотодиодным. [7]
Принцип действия фотодиода на основе выпрямляющего контакта металл - полупроводник аналогичен принципу действия фотодиода с р - - переходом. Однако есть некоторые различия, которые сказываются на характеристиках и параметрах. При этом, если энергия кванта света превышает высоту потенциального барьера, то возбужденные электроны из металла могут перейти в полупроводник через потенциальный барьер ( рис. 10.7), обеспечивая тем самым возникновение фототока. [8]
Принцип действия фотодиода ( рис. 82) основан на возрастании обратного тока р-я-перехода при его освещении. [9]
Чем различаются принципы действия фотодиодов и солнечных батарей. [10]
 |
Световые характери - [ IMAGE ] - 29. Вольтамперная характеристики фотосопротивлений стика фотосопротивлений. [11] |
В основе принципа действия фотодиодов лежит использование явления возникновения электродвижущей силы в месте контакта двух веществ при их освещении. Явление фотоэффекта запирающего слоя открыто в 1876 г. У. [12]
 |
Распределение токов в освещаемой р-п структуре при включении в прямом направлении.| Распределение то-ков в освещаемой р-п струк-туре. [13] |
В основе принципа действия фотодиода лежит свойство полупроводников образовывать электронно-дырочные пары при воздействии на него света с энергией фотона, превышающей ширину запрещенной зоны полупроводника. На рис. 12.1 представлено распределение токов в освещаемой р-п структуре при включении ее в обратном направлении. При отсутствии освещения через структуру протекает темповой ток, равный току насыщения / s обратносмещен-ного р-п перехода. При воздействии света с энергией фотона, превышающей ширину запрещенной зоны полупроводника, в р - и п - слоях структуры генерируются электронно-дырочные пары. [14]
 |
Эксплуатационные режимы фототиристоров. [15] |
Страницы: 1 2