Принцип - действие - элемент - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Чем меньше женщина собирается на себя одеть, тем больше времени ей для этого потребуется. Законы Мерфи (еще...)

Принцип - действие - элемент

Cтраница 1


Принцип действия элементов поясним по схеме инвертора НЕ с диодным оптроном ОПТ на входе, рис. 16.6, а. При достаточном входном сигнале х - 1 под действием света ФВ пропускает ток в базу транзистора, открывая его, у-0.  [1]

Принцип действия элемента И2Л аналогичен принципу действия элемента ДТЛ. Здесь базовый ток выходного транзистора VT2 обеспечивается выходной цепью р-п - р транзистора [ VT ], работающего в режиме генератора постоянного тока. Такая комбинация р-п - р и п-р - п транзисторов, реализуемая с помощью специального технологического процесса, занимает на кристалле очень малую площадь.  [2]

Принцип действия элемента И2Л аналогичен принципу действия элемента ДТЛ. Здесь базовый ток выходного транзистора VT2 обеспечивается выходной цепью р-п - р транзистора ( VT, работающего в режиме генератора постоянного тока. Такая комбинация р-п - р и п-р - п транзисторов, реализуемая с помощью специального технологического процесса, занимает на кристалле очень малую площадь.  [3]

Принцип действия элементов, носящих название струйная трубка, заключается: в преобразовании кинетической энергии потока жидкости в потенциальную энергию, проявляющуюся в форме давления жидкости при ее торможении.  [4]

Принцип действия элементов поясним по схеме инвертора НЕ с диодным оптроном ОПТ на входе, рис. 16.6, а. При достаточном входном сигнале х - 1 под действием света ФВ пропускает ток в базу транзистора, открывая его, y - Q.  [5]

Принцип действия элементов поясним по схеме инвертора НЕ с диодным оптроном ОПТ на входе, рис. 16.6, а.  [6]

Принцип действия элемента памяти на ферритовом кольце показан на рис. 10.5. Кольцо пронизано тремя проводниками, образующими одновитковые обмотки. Запись информации осуществляется путем1 намагничивания кольца в одном из направлений.  [7]

8 Общий вид кулачкового контроллера серии ККТ 60А. [8]

Принцип действия элементов коммутации аналогичен рассмотренному. Однако для гашения дуги при размыкании цепи постоянного тока в контроллерах KB 1 предусматриваются узлы электромагнитного дугогашения на каждом из элементов, коммутирующих ток главной цепи. Узлы дугогашения, аналогичные соответствующим узлам электромагнитных контакторов, состоят из электромагнитной системы ( катушки и маг-ннтопровода) и дугогасительной камеры. Последняя помимо гашения дуги выполняет также функцию защитных перегородок, предотвращающих переброс дуги на корпус или другие токоведущие части. Контакты главной цепи выполняются не медными, как в ККТ 60А, а металлокерамичсскими из композиции серебро - - окись кадмия. Кулачковые контроллеры ККТ 60А и KB 1 выполняются с коммутационными элементами главного тока на номинальный ток 63 А. Кроме того, имеются кулачковые элементы для коммутации цепей управления.  [9]

10 Структурная схема регулятора мощности. [10]

Принцип действия элементов системы следующий. Регулятор мощности, структурная схема которого представлена на рис. 2.6, после установки необходимых пределов и постоянной времени изменения мощности генератора и полярности напряжения, а также подачи импульса запуска с преобразователя информации, начинает изменять мощность генератора. Регулятор напряжения стабилизирует выходную мощность генератора при изменении сопротивления нагрузки, прзволяет запрограммировать закон изменения выходной мощности по заданным пара-мерам во времени и отслеживать его выполнение, а также реверсирует напряжение генератора.  [11]

Принцип действия фотоэлектрических атомных элементов основан на переходе энергии ядерного распада в световую энергию, которая затем преобразуется в электрическую.  [12]

Принцип действия химотронного элемента рассмотрим на примере диода, используемого для выпрямления слабых электрических сигналов ( от 10 до 200 мВ), когда полупроводниковые устройства малоэффективны. Диод состоит из стеклянного корпуса, залитого водным раствором йодистого калия ( KJ) с небольшим количеством йода ( J), и двух золотых или платиновых различных по площади электродов. К электродам подведено напряжение переменного тока. Поскольку это напряжение U 1 В, то в переносе зарядов участвуют только ионы йода J -, которые движутся к аноду и отдают ему свои электроны. При этом на аноде происходит реакция окисления 3J - - J - 2e, и ионы йода также превращаются в трехйодные ионы йода. Окисление йода происходит достаточно быстро даже на электроде малой площади, так как концентрация J в растворе невелика.  [13]

Принцип действия элементов памяти динамического типа основан на хранении информации с помощью конденсаторов. Схема состоит из запоминающего конденсатора С0 и транзистора VT, связывающего конденсатор с шиной столбца Y матричного накопителя. Емкость шины Су оказывает существенное влияние на работу элемента памяти.  [14]

Рассмотрим принцип действия элементов и устройств УСЭППА.  [15]



Страницы:      1    2    3    4