Зародыш - кристалл
Cтраница 3
После образования зародышей кристаллов дальнейший рост их может, как правило, идти при значительно меньшем пересыщении. При этом частицы ( ионы, молекулы) стремятся занять положение, при котором их присоединение к растущему кристаллу является энергетически наиболее выгодным. На рис. 105, а таким положением является уступ на грани растущего кристалла, как это вытекает из простых геометрических соображений. Значительно менее выгодно любое положение на грани, не содержащей уступов и ступеней. Поэтому рост кристаллов должен идти послойно как прерывистый процесс: зарождение нового атомного слоя происходит лишь после завершения построения предыдущего. Это объясняют наличием винтовых дислокаций ( см. гл. Выход такой дислокации на поверхность дает ступень роста ( рис. 105, б), которая непрерывно воспроизводится, так что растущий атомный слой образует спираль, огибающую дислокацию. [31]
 |
Схема прибора для определения количества взвешенных частиц. [32] |
Поскольку наличие зародышей кристаллов облегчает выделение накипеобразоват телей, последние при нагреве и кипячении выделяются раньше из обработанной воды, а количество их, выделившееся за одно и то же время нагрева и кипячения, в этом случае оказывается большим. [33]
Поскольку наличие зародышей кристаллов облегчает выделение накипеобразователей, последние при нагреве и кипячении выделяются раньше из обработанной воды, а количество их, выделившееся за одно и то же время нагрева и кипячения, в этом случае оказывается большим. [34]
Часто образование зародышей кристаллов и кристаллизацию задерживают гомогенные примеси. К замедлению кристаллизации может, в частности, привести смазка для шлифов, увлеченная с веществом или раствором, поэтому смазку на шлифы следует наносить очень тонким слоем, а в некоторых случаях шлифы вообще лучше не смазывать. [35]
Начало образования зародышей кристаллов происходит не во всем объеме раствора или расплава, а в центрах кристаллизации, которыми могут быть, например, различные механические примеси; они могут возникать под влиянием шероховатостей стенок аппарата, других факторов. Для ускорения и равномерного образования зародышей во всем объеме раствора или расплава в аппарат подают затравку - мелкие частицы кристаллизующегося вещества, которые и являются зародышами кристаллов. Если нужно получить кристаллы крупных размеров, то число затравочных кристаллов должно быть невелико. [36]
Первичное образование зародышей кристаллов зависит от характера вещества и внешних условий. К последним относится растворимость при данной температуре и степень насыщенности раствора. Количество зародышей, образующихся в начальный момент кристаллизации, зависит от концентрации кристаллизующихся углеводородов, скорости охлаждения раствора и разности между температурой раствора и температурой насыщения. [37]
Механизм образования зародышей кристаллов цеолитов в кристаллизующихся силикаалюмогелях выяснен еще далеко не полностью. Результаты, полученные при исследовании линейной скорости роста кристаллов в процессе кристаллизации гелей и распределения кристаллов по размерам в конечных продуктах кристаллизации ( при допущении независимости скорости роста кристаллов от их размеров в течение всего процесса кристаллизации) [62, 75], свидетельствуют о непостоянстве скорости нуклеации в кристаллизующихся силикаалюмогелях и экстремальном характере ее изменения во времени. [38]
При внесении зародыша кристалла гликокола в раствор аспарагина нужно остерегаться употреблять двойники кристаллов. [39]
 |
Зависимость химической свободной энергии F исходной и мартенситной фаз от температуры и условия мартенситного превращения. [40] |
Условия образования зародыша линзообразного кристалла мартенсита с радиусом г и средней толщиной 2t ( rt) определяется следующим образом. [41]
Если радиус зародыша линзообразного кристалла мартенсита превышает некоторую критическую величину, то возможен рост зародыша кристалла мартенсита при температуре Ms, при которой изменение химической свободной энергии ( первый член в правой части (1.4)) становится большим по сравнению со свободной энергией нехимической природы, определяемой суммой второго и третьего членов того же уравнения. Именно при таких условиях развивается мертенситное превращение. Степень переохлаждения, определяемая разностью ( Г0 - Ms ], зависит от а и ( А В) и растет с увеличением различий структур исходной и конечной фаз. [42]
Расплав и держатель зародыша кристалла расположены внутри кварцевой, запаянной под вакуумом ампулы, а система вращения вынесена наружу. [43]
Процесс гетерогенного образования зародышей кристаллов является первой стадией возникновения катодного осадка на индифферентной подложке. Индифферентными подложками считают такие, которые покрыты оксидными пленками либо изготовлены из металла, в котором диффузия осаждаемого металла покрытия очень мала. [44]
Наблюдая за образованием зародышей кристаллов при гальваностатическом режиме, можно заметить, что при включении катодного тока ионы осаждаемого металла разряжаются и концентрация адатомов на поверхности катода возрастает. Когда эта величина концентрации достигает нескольких процентов от плотного монослоя, визуально можно заметить, что поступающие адатомы с адсорбированными частицами образуют агрегаты, размеры которых в некоторых местах достигают размеров критического зародыша. С этого момента ток расходуется не только на увеличение концентрации адатомов, но и на рост кристаллов. Если ток роста меньше внешнего тока, то перенапряжение электрода продолжает повышаться, и тогда вероятность образования новых зародышей увеличивается. В результате потребляемый ими ток становится равным внешнему току, а затем и превышает его. Начиная с этого момента кристаллики растут не только за счет внешнего тока, но и за счет работы внутренних короткозамкнутых элементов, анодом которых служат участки катода, свободные от зародышей. [45]
Страницы: 1 2 3 4