Cтраница 1
Зародыши металла, когда их рост приостанавливается, при наличии кислорода или другого окислителя могут раствориться, особенно если в растворе присутствует лиганд, с которым ионы металла образуют прочный комплекс. [1]
С помощью статистического анализа изображений поверхности стеклоуглерода с зародышами металла ( Си, Ag) исследованы особенности и закономерности распределения зародышей по размерам. Установлено, что при потенциостатическом режиме зародышеобразования меди и серебра с увеличением перенапряжения неоднородное распределение зародышей по размерам приближается к однородному распределению. При гальваностатическом режиме зародышеобразования меди с увеличением плотности тока и уменьшением концентрации ионов меди в растворе происходит уменьшение наиболее вероятного размера зародышей. Вместе с тем, степень неоднородности в распределении зародышей меди по размерам увеличивается вследствие возрастающей нестационарности процесса гальваностатического фазообразования. [2]
Однако в простейшем случае, если следовать классической теории образования зародышей, некоторые ее положения могут быть перенесены на процесс образования зародышей металла при электрокристаллизации. [3]
Каталитическое действие твердого продукта реакции будет в этом случае заключаться также в том, что в его присутствии отпадают затруднения, связанные с возникновением зародышей металла. [4]
С уменьшением концентрации паров карбонила на входе в аппарат разложения, например путем разбавления их инертным или реакционным газом, при прочих одинаковых условиях скорость образования зародышей металла снижается сравнительно немного, а скорость формирования частиц - в значительно большей степени из-за общего падения концентрации паров в объеме аппарата. [5]
При этом авторы сравнивают картину изменения потенциала платинового електрода без тока во времени с изменением потенциала при катодной поляризации и приходят к выводу, что появление первых зародышей металла на индифферентном электроде и электроде из выделяемого металла происходит с некоторым перенапряжением по сравнению с потенциалом устойчивого выделения металла. [6]
Первоначально образуемые зародыши металла имеют толщину нескольких атомных слоев, и слой этих зародышей может рассматриваться как двухмерный. Дальнейший рост двухмерного зародыша может происходить как в плоскости самого зародыша, так и в направлении, перпендикулярном плоскости двухмерного зародыша. [7]
Схема роста двухмерного зародыша. [8] |
После смещения потенциала катодл в сторону отрицательных значений ( по сравнению с равновесным потенциалом выделяемого металла) в растворе начинается образование кристаллических зародышей выделяемого металла на электроде. Первоначально образуемые зародыши металла имеют толщину нескольких атомных слоев, и слой этих зародышей может рассматриваться как двухмерный. Дальнейший рост двухмерного зародыша может происходить как в плоскости самого зародыша, так и в направлении, перпендикулярном плоскости двухмерного зародыша. [9]
После смещения потенциала катодэ в сторону отрицательных значений ( по сравнению с равновесным потенциалом выделяемого металла) в растворе начинается образование кристаллических зародышей выделяемого металла на электроде. Первоначально образуемые зародыши металла нмеюг толщину нескольких атомных слоев, и слой этих зародышей может рассматриваться как двухмерный. Дальнейший рост двухмерного зародыша может происходить как в плоскости самого зародыша, так и в направлении, перпендикулярном плоскости двухмерного зародыша. [10]
Основными объектами исследования выбраны процессы зародышеобразования меди и серебра на стеклоуглероде, являющиеся классическими моделями начальных стадий электрокристаллизации. Нанесение зародышей металла на предварительно стандартизированную зеркальную поверхность стеклоуглерода осуществляли двухимпульсным потенциостатическим или гальваностатическим методами. [11]
При длительной работе с применением корректировки растворов металлизации наблюдается уменьшение их стабильности со временем. Это может быть связано как с естественным увеличением вероятности образования зародышей металла в объеме раствора, так и с накоплением в растворе загрязнений. [12]
В фотографии хлорид серебра используют главным образом для светочувствительной бумаги. Пленки и фотопластинки покрыты бромидом и иодидом серебра, так как эти соли обладают большей светочувствительностью, чем хлорид серебра. При этом в местах, подвергшихся воздействию света, где уже образовались зародыши металла, протекает дальнейшее восстановление до металлического серебра. Изображение после этого остается устойчивым при воздействии света. [13]
Кристаллизация металла может существенно измениться, если поверхность растущего кристаллика подвергнуть тепловым, химическим или физическим воздействиям. Например, если пары карбонила разложить в атмосфере постороннего газа, то образующиеся пары металла ( а затем и его зародыши) окажутся окруженными молекулами этого газа - разбавителя. Формирующиеся частички металла, сталкиваясь с огромным количеством молекул постороннего газа, адсорбируют эти молекулы на своей поверхности. Наоборот, столкновение частички с парами металла и с молекулами карбонила в этих условиях затрудняется, вследствие чего замедляется рост зародышей металла и карбонильные порошки получаются более мелкими. [14]
Этим путем была получена обширная информация, касающаяся дислокаций и других субструктур. Кроме того, при этих работах получают особенно интересные результаты по зародышеобразованию и росту кристаллов. Общая процедура эксперимента заключается в следующем. Металл испаряется, например, с нагреваемой вольфрамовой проволоки, и испарившиеся атомы металла падают на поверхность монокристаллической подложки, которая поддерживается при температуре 200 - 400 С. Если условия выбраны правильно, на подложке могут образовываться зародыши металла, которые затем вырастают в крошечные кристаллиты, ориентированные относительно друг друга и подложки. Это значит, что главные плоскости решетки осаждаемых кристаллитов располагаются параллельно поверхности подложки, и азимутальное расположение кристаллитов одинаково относительно друг друга и относительно подложки. [15]