Cтраница 2
Проведение процесса кристаллизации в условиях периодических колебаний температуры или концентрации парафинов около кривой равновесия дисперсная фаза ( парафин) - среда. При достаточной интенсивности акустического воздействия вновь возникающие зародыши кристаллов парафина периодически растворяются. Одновременное колебание температуры и концентрации, на микро-и макроуровнях на практике может быть реализовано при наложении на систему акустических колебаний. Низкочастотные акустические колебания эффективно интенсифицируют кристаллизацию. [16]
Зависимость энергии Гиббса образования зародыша от его радиуса. [17] |
В критической точке неустойчивость равновесия проявляется в том, что существует равная вероятность возникновения и исчезновения зародышей конденсации. Если степень пересыщения больше критической величины, то возникающие зародыши будут самопроизвольно расти. Энергия Гпббса ( см. рис. 11.24) снижается с увеличением размеров зародышей от критического значения, отвечающего равновесию в соответствии с уравнением Кельвина. Образование новых зародышей прекращается. Данное состояние системы также является неустойчивым, так как в системе происходят постоянные процессы роста и исчезновения частиц дисперсной фазы: одна часть частиц растет за счет исчезновения другой части частиц. Более подробно этот процесс рассматривается в разделе об устойчивости дисперсных систем. [18]
При наличии в растворе парафина поверхностно-активных веществ, способных адсорбироваться твердыми углеводородами, на поверхности выделяющихся кристаллов парафина образуется защитный слой, состоящий из поверхностно-активного вещества и препятствующий свободному дальнейшему отложению на этой поверхности новых слоев парафина. Присутствие активных примесей затрудняет также новообразование и развитие кристаллических зародышей, поскольку возникающие зародыши тотчас блокируются концентрирующейся около них поверхностно-активной примесью, и требуются особо благоприятные местные условия, чтобы возникающие зародыши могли укрепиться и далее развиваться. [19]
Минимальный размер зародыша, способного при данной температуре стать устойчивым центром кристаллизации, называется критическим размером зародыша. Следовательно, чем больше скорость охлаждения ( степень переохлаждения), тем все более и более мелкие вновь возникающие зародыши станут устойчивыми центрами кристаллизации. [20]
При наличии в растворе парафина поверхностно-активных веществ, способных адсорбироваться твердыми углеводородами, на поверхности выделяющихся кристаллов парафина образуется защитный слой, состоящий из поверхностно-активного вещества и препятствующий свободному дальнейшему отложению на этой поверхности новых слоев парафина. Присутствие активных примесей затрудняет также новообразование и развитие кристаллических зародышей, поскольку возникающие зародыши тотчас блокируются концентрирующейся около них поверхностно-активной примесью, и требуются особо благоприятные местные условия, чтобы возникающие зародыши могли укрепиться и далее развиваться. [21]
Количество образующихся зародышей также зависит от концентрации разряжающихся ионов: при снижении концентрации происходит уменьшение скорости образования зародышей и увеличение общего числа кристаллов. Последнее связано с тем, что при одном и том же перенапряжении в разбавленных растворах скорость диффузии ионов к поверхности зародышей ниже, чем в концентрированных растворах, в результате чего уменьшается расстояние между возникающими зародышами и возрастает их общее количество. [22]
Изменение формы изотерм кристаллизации блок-сополимера ПЭО / ПС. изотермы характеризуются величиной п. l 18pY ( 0j - РОО в зависимости от логарифма времени ( t - ti M. Т с 25 С. [23] |
Более сложная ситуация наблюдается при кристаллизации второго типа. В этом случае значительная часть зародышей, вероятно, разрушается при нагревании до Ts, а число новых зародышей, возникающих спорадически во времени, невелико. Возникающие зародыши имеют сложную форму и стимулируют вторичную кристаллизацию. Такой вывод соответствует микроскопическим наблюдениям, показывающим сложность и гетерогенность монокристаллов. В процессе кристаллизации, вызванной образовавшимися зародышами, участвует большая поверхность роста, поэтому скорость кристаллизации ( и п) возрастает очень быстро. С другой стороны, при кристаллизации по второму типу зародышеобразова-ние во время инкубационного периода приводит также к кинетическим кривым, характерным для случая самозарождения ( при этом значение п уменьшается до 1 0 - 1 2) и к образованию регулярных относительно одинаковых по размерам монокристаллов. [24]
С ростом силы поляризующего тока скорость роста осадка на катоде возрастает. При этом увеличивается число возникающих в различных точках растущего осадка новых кристаллических зародышей. Расстояние между новыми возникающими зародышами и их число зависят от концентрации раствора, с уменьшением которой расстояния возрастают, а число зародышей увеличивается. [25]
Схема роста двухмерного зародыша. [26] |
С ростом силы поляризующего тока скорость роста осадка на катоде возрастает. При этом увеличивается число возникающих в различных точках растущего осадка новых кристаллических зародышей. Расстояние между новыми возникающими зародышами и их число зависят от концентрации раствора, с уменьшением которой расстояния возрастают, а число зародышей увеличивается. [27]
С ростом силы поляризующего тока скорость роста осадка на катоде возрастает. При этом увеличивается число возникающих в различных точках растущего осадка новых кристаллических зародышей. Расстояние между новыми возникающими зародышами и их число зависят от концентрации раствора, с уменьшением которой расстояния и число зародышей возрастают. [28]
График зависимости Я от Тс ( рис. 6.24) свидетельствует о значительной разнице в кинетике ( и, в частности, в показателе Ав-рами п) в зависимости от того, меньше или больше Ts 45 С. Для TS 35 C п практически не зависит от Тс и близко к единице. Эти результаты также подтверждают сделанный ранее вывод о том, что спорадически возникающие зародыши имеют сложный характер, и это приводит к одновременному участию в росте большой поверхности. Гетерогенные зародыши более регулярны. [29]
Схема поясняющая образование. 1 фазовых контактов между частицами при пересыщениях и переохлаждениях системы.| Строение затвердевшего стального слитка. [30] |