Критический зародыш

Cтраница 1

Критический зародыш может образовываться только при последовательном осаждении ( растворении) атомов, начиная с одного единственного ад-атома или пустого места в плоскости решетки. [1]

Критический зародыш становится стабршьным после образования двух связей на атом. Таким образом, изменение пересыщения должно сопровождаться изменением числа атомов в критическом и стабильном зародышах, приводящим к иной ориентации. [2]

Критический зародыш образуется последовательно в серии случайных актов присоединения и отрыва молекул от неустойчивых кластеров-дозародышей. [3]

Критический зародыш находится в равновесии с паром. [4]

Критические зародыши, которые определяют ориентацию, адсор-бируг. [5]

Критические зародыши - это неустойчивые частицы новой фазы, которые с равной вероятностью могут как расти, так и распадаться. Расчеты, основанные на современной теории электрокристаллизации металлов, показывают, что зародыши критического размера содержат от двух до восьми атомов металла. Изменение энергии Гиббса системы при образовании зародыша критического размера связано с возникновением поверхности раздела фаз зародыш - электролит и с образованием объема новой фазы. [6]

Зависимость изменения свободной энергии AG от числа частиц га / в зародыше новой фазы при различных температурах. [7]

Критический зародыш, состоящий из n ( i) частиц, находится в состоянии неустойчивого равновесия с окружающим его пересыщенным раствором. Присоединение еще одной частицы или потеря одной частицы приводит к понижению его свободной энергии; в первом случае он будет расти, во втором случае он растворится. [8]

Критический зародыш становится центром кристаллизации только тогда, когда он присоединяет к себе один или несколько атомов от материнской фазы. Частота присоединения атомов к зародышу пропорциональна фактору e - QlkT, где Q - энергия активации перехода атома через границу раздела фаз. [9]

Критические зародыши находятся в неустойчивом равновесии со средой. Они могут в равной степени присоединять и терять атомы металла. Частицы меньше критического размера исчезают, больше - начинают расти. [10]

Поверхностный критический зародыш представляет собой небольшой островок из К молекул, расположенный на последней завершенной плоскости решетки и находящийся в метастабильном равновесии с пересыщенной фазой. [11]

Критические зародыши новой фазы - частицы, способные к самопроизвольному росту. При гг рост частиц связан с увеличением энергии Гиббса. [12]

Критический зародыш новой фазы ( Гиббс) представляет собой активированный комплекс ( переходное состояние) системы. Движение системы через переходное состояние является результатом флюктуации и носит характер Врауновского движения в противоположность инерционному движению в теорий химических реакций Эйринга. [13]

Двухмерные критические зародыши графита могут образовываться как из двухмерного адсорбированного газа, так и в результате взаимодействия падающих на поверхность молекул с докри-тическим зародышем. [14]

Критическим зародышем в материнской фазе является флук-туационный участок критического размера с энергией не меньше определенного уровня и с химическим составом, соответствующим составу образующейся фазы. [15]

Страницы: 1 2 3 4