Спонтанное зарождение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Воспитанный мужчина не сделает замечания женщине, плохо несущей шпалу. Законы Мерфи (еще...)

Спонтанное зарождение

Cтраница 2


Так как в случае метода Бриджмена при высоких температурах невозможно визуально наблюдать положение фронта роста, то процесс кристаллизации ведут либо в режиме спонтанного зарождения, либо в режиме кристаллизации на затравку. Во втором случае предварительно с помощью термопары устанавливается определенное распределение температуры на нагревателе и находится область, в которой температура соответствует температуре плавления исходного вещества. Именно в этой области располагают контейнер с затравочным кристаллом таким образом, чтобы перед началом кристаллизации указанный кристалл частично ( примерно наполовину) расплавился.  [16]

В 1688 г. итальянский биолог и врач Фран-ческо Реди, живший во Флоренции, подошел к проблеме возникновения жизни более строго и подверг сомнению теорию спонтанного зарождения. Реди установил, что маленькие беленькие червячки, появляющиеся на гниющем мясе, - это личинки мух.  [17]

Процесс автоактивации с применением тиомочевины чувствителен к количеству групп [ NH3 ], активирующий раствор склонен к саморазложению. При спонтанном зарождении в объеме раствора высокодисперсной твердой фазы, суммарная поверхность и активность-которой значительно превышают поверхность и активность ггодлож-ки, скорость коагуляции превышает скорость адсорбции первичных частиц на поверхности.  [18]

Возникновение зоны замороженных кристаллов связывают со степенью переохлаждения расплава при его соприкосновении со стенкой изложницы. При спонтанном зарождении переохлаждение слоя жидкости, прилегающего к стенке из-ложшщы, зависит от работы образования зародышей в расплавленной стали. Чем выше работа образования зародышей, тем больше переохлаждение, при котором спонтанно возникают зародыши критического размера.  [19]

Этим утверждением Аристотель подкрепил более ранние высказывания Эмпедокла об органической эволюции. Согласно гипотезе Аристотеля о спонтанном зарождении, определенные частицы вещества содержат некое активное начало, которое при подходящих условиях может создать живой организм. Аристотель был прав, считая, что это активное начало содержится в оплодотворенном яйце, но ошибочно полагал, что оно присутствует также в солнечном свете, тине и гниющем мясе.  [20]

Этот вывод иллюстрируется также и сопоставлением величин возможных и необходимых пересыщений. По расчетам И. А. Андреева, вероятность спонтанного зарождения пузырька СО в ванне становится измеримой тогда, когда при a 900 эрг / см2 критический радиус уменьшается до величины порядка 10 - 7 см. Такие значения гкр возможны лишь в случае чрезмерного пересыщения металла по отношению к окиси углерода. Андрееву, пересыщение должно составлять 3800, а Pcoj00 5130 атм, что весьма маловероятно.  [21]

Деформация оказывает существенное влияние на движущую силу мартенситного превращения, которая представляет собой разность свободных энергий мартенсит - аустенит. При температуре Мн эта разность достигает некоторой критической величины и химической энергии достаточно для спонтанного зарождения мартенсита.  [22]

В первом случае кристаллы-затравки опускались на дно тигля и по мере охлаждения росли совместно с кристаллами спонтанного зарождения.  [23]

Менее подвержены растрескиванию г-кристаллы. Часто можно наблюдать, что трещины в пирамидах г возникают на твердых включениях гидроокислов железа и микроскопических кварцевых кристаллах спонтанного зарождения, оседающих на грани. Такие трещины образуются главным образом в наружных слоях и распространяются розетками, достигая иногда поверхности затравки. Все другие виды трещиноватости, в том числе и разрывные трещины в затравках, имеют значительно меньшее распространение. Концепция гетерометрии приемлема, очевидно, лишь для объяснения интенсивного, постоянно проявляющегося, сингенетического растрескивания пирамид роста три-гональной призмы кристаллов аметиста.  [24]

Это позволяет оценить эффективные параметры дефектора, которые при соответствующем значении К приводят к разрушению образца при циклической деформации. Можно полагать, что эти параметры отвечают условиям, при которых происходит разрыхление металла вблизи действующих плоскостей скольжения, способствующее спонтанному зарождению усталостной микротретвдшм. Это соответствует одному из возможных, но не универсальных механизмов зарождения усталостной микротрещины [8], так называемому вакансионному механизму, при условии связи между Rp и Ср, соответствующей спонтанному разрушению при циклической деформации.  [25]

26 Графики зависимости числа центров кристаллизации ( ч. ц. к. алмаза в единице реакционного объема при длительности процесса 60 с. [26]

Относительное малое число центров, возникающих при температурах, близких к температуре плавления металла-растворителя, объясняется повышенной вязкостью расплава в этих условиях. Снижение числа образующихся кристаллов при максимальных температурах выбранного интервала связано с приближением p - T-napa - метров процесса к линии равновесия графит - алмаз, что должно резко уменьшать вероятность спонтанного зарождения кристаллов алмаза.  [27]

28 Графики зависимости числа центров кристаллизации ( ч. ц. к. алмаза в единице реакционного объема при длительности процесса 60 с. [28]

Относительное малое число центров, возникающих при температурах, близких к температуре плавления металла-растворителя, объясняется повышенной вязкостью расплава в этих условиях. Снижение числа образующихся кристаллов при максимальных температурах выбранного интервала связано с приближением р - Г - пара-метров процесса к линии равновесия графит - алмаз, что должно резко уменьшать вероятность спонтанного зарождения кристаллов алмаза.  [29]

Развивая свои представления, он в 1875 г. предположил, что в кристаллизующемся растворе находятся различные молекулы, отличающиеся по величине кинетической энергии. В спонтанном зарождении кристаллов могут принимать участие лишь те молекулы, которые имеют кинетическую энергию, лежащую в некоторых узких пределах, характерных для каждого вещества.  [30]



Страницы:      1    2    3    4